什么是场效应管增强型

    一般，MOSFET既有增强型的、也有耗尽型的器件。而结型场效应晶体管（JFET）通常只有耗尽型场效应晶体管。
    增强的结型场效应晶体管（E-JFET）有长沟道和短沟道两种不同的结构。长沟道E-JFET与长沟道耗尽的结型场效应晶体管（D-JFET）的不同点就在于：增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在栅电压为0时沟道即被夹断，只有加上正栅偏压 (必须小于0.5V) 时才产生沟道而导电；输出伏安特性仍然为饱和特性。长沟道E-JFET通常不采用，但在高速和低功耗场合也有一定的用处。短沟道E-JFET 实际上也就是静电感应晶体管（SIT），它的原始沟道既窄又短，在栅电压为0时沟道即被耗尽，并且再在栅极上加有一定的反向偏压，使沟道形成了电子的势垒，通过改变Vds和Vgs可以控制此势垒的高低，从而可控制输出电流。