学习和体会：增强型MOS管和结型场效应管

第一部分 MOS管工作原理体会（N沟道增强型为例）

      参考文章https://zhuanlan.zhihu.com/p/415208587)

问题一：反型层是怎么来的？

  是由于加在栅极G上的电压把源极S和漏极D，N型半导体上的电子吸引过来，当u_GS=U_GS(th)（开启电压）时栅极G把两头来的电子连接在一起则反型层开始形成。此时的反型层相当于一条线把漏-源牵起来。

继续增加栅-源电压U_GS，栅极就会跟源极和漏极要更多电子，则反型层厚度（▲U=u_GS-U_GS(th)）。▲U相当于实际的要的电子。

问题二：到底是夹断还是不断，为什么预夹断后恒流？

  此时当漏极D加上电压U_D时此时会产生漏极电流i_D，相当于漏极在向反型层要电子，增加漏-源电压i_D增大。

预夹断：u_DS=u_GS-U_GS(th),栅极向漏极要不了电子，但是漏极还在向反型层要电子，此时只有源极在提供电子。（由于U_DG=▲U则漏极要的电子等于源极给的电子），实际上是不断的。

  当漏极电压u_DS>u_GS-U_GS(th)，栅极发现怎么漏极这么能吸电子，可是我已经全部给你了啊（源极来的电子）。此时在增大漏极电压是无法增大漏极电流i_D。此时为恒流，且为最大恒流。

  以上为第一部分全部理解。

第二部分：结型场效应管工作原理体会（N型为例）

       参考于木旦文老师有关结型场效应管的文章

  问题一：栅-漏之间的夹断和源-栅之间的夹断是一种吗？

不是一种，栅-漏的夹断还存在漏-源之间贯穿的电场线，而栅-源夹断漏-源之间是没有贯穿的电场线的。具体可以去知乎看看原文。

  问题二：栅-漏之间的夹断是什么？

前提条件：U_GS(off)<u_GS<0

说明：N型半导体不在耗尽层中间的区域当作电子通道，电子不会进入耗尽层。

  当增加漏极电压u_D(正值)，此时栅极P型半导体和漏极N型半导体就开始形成耗尽层，开始电子通道比较宽，电流也比较小，电子可以顺利通过通道，当漏极电压增大，通道开始慢慢收紧。漏-源电压相当于电子通道利用率。

  增大到预夹断：u_GD=U_GS(off)（两个值都是负的），此时电子通道已经很窄了，利用率达到最大，在增大电压后电子通道宽窄前后变化不大，则漏极电流i_D几乎不变。

  以上为第二部分全部理解。

此文章作为学习中方便理解所用，不代表正确的观点。