模拟电路的设计从反相器(inverter)开始。不聊理论,聊聊在实际设计中,反相器的设计。本人能力有限,不足和不对的地方欢迎指正讨论。
反相器很简单,一个pmos管,一个nmos管。怎么开始设计呢?
一般是从NMOS开始。选择所设计电压域的管子。初步确定管子的width和length。length原则就是比能取的最小值大一点点。比如length最小值能取到30nm,那就取35nm的样子。这是因为保证工艺的可靠性,考虑到流片时的偏差,当取最小值30nm时,流片出来会在30nm左右波动。这就导致仿真model不准,因为最小就是30nm。不过现在很多设计,包括工艺厂提供的标准单元直接就取最小值,说明这个影响很小或者已经考虑进去了。width原则就是要保证至少有两个contact孔。这也是为了芯片yield考虑的。
PMOS尺寸一般比NMOS大,往往是length尺寸相同,width比NMOS大。不过随着工艺的进步PMOS和NMOS的这种差异越来越小。通过以上的操作,NMOS的尺寸可以确定,PMOS的length也可以确定,接下来可以通过仿真的方式确定PMOS的width。
反相器主要考虑信号传输时,上拉和下拉的平衡。输出端加上负载电容,例如10fF。仿真观察上升沿和下降沿的时间。调整PMOS尺寸,当上升和下降时间差不多,就可以确定整个反相器的尺寸。
以上是常规设计。不同需求下设计考虑不同。例如在低功耗设计时,length会取的比较大,这样漏电流比较小,但同时工作频率也会降低。
反相器在模拟电路中,有一种当作buffer的用法。
这可以看作是放大器。电容隔直,电阻为放大器提供直流偏置点。电阻将反相器偏置在如下图绿圈位置。这位置斜率最大,即增益最高。其好处是输入信号摆幅不用很大,且输入与输出可以是不同的电源域。缺点是存在静态功耗。
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