Memory Compiler如何选择Memory

Memory是大家Floorplan中经常使用到一个器件，而且需要花费不少时间去摆放它。Memory的种类很多，各种类型还分别具有不同的参数。那大家有没有想过，对一个设计来说，我们是如何去选择合适的memory类型？不同的类型有什么区别？

在后端设计实现中，我们把这一过程称为memory compiler。下面，我们来介绍下memory compiler的具体内容。

1. Memory基本概念
   由存储阵列，地址译码器，输出控制器组成。
   存储阵列是memory的核心区域，它有许多存储单元组成，每个存储单元存放一位二值数据。每次读出一组数据，称为一组字。一个字中所含的位数称为字长（Bit）。为了区别各个不同的字，给每个字赋予一个编号，称为地址，由译码器将地址代码转译。地址单元个数就是字数（Depth），用N表示，数值为2n，n为地址码的位数。
   我们经常以字数（Depth）和字长（Bit）的乘积来表示存储器的容量。下图所示，Bit为1，Depth为（28）256，那么一共有256个存储单元。
   

2. Memory的类型
   咱们以常用的T28工艺的Memory compiler为例,Memory Compiler提供下面几种类型的Memory
   其中，具体功能如下：
   
   下面介绍一个单端口SRAM
   
   其中：
   CLK: SRAM的时钟，地址A/数据D/Chip使能CEB/写使能WEB都是在CLK下trigger
   CEB: Chip使能信号，CEB低，WEB高的时候，数据被读出去
   CEBM：BIST功能的，Chip使能信号
   WEB：写使能信号，低有效
   WEBM: BIST功能的写使能信号
   BWEB[N-1:0]:Bit 写使能信号
   BWEBM[N-1:0]:BIST功能的Bit 写使能信号
   A[M-1:0]: 地址信号
   AM[M-1:0]: BIST功能的地址信号
   D[N-1:0]: 数据输入
   DM[N-1:0]: BIST功能数据输入
   Q[N-1]:0: 数据输出
   BIST:BIST使能信号
   AWT：该信号有效，Q从D和WEB来
   SD: shut down mode
   SLP: Sleep mode
   SCLK/SDIN/SDOUT：repair的clock，输入和输出

3. Memory的配置
   看下图，
   1024指的是Word_depth，words的数目，就是上面说的Depth
   32指的是IO_width，就是一个字包含位数
   m8指的是column_mux是8，用来分Bit line
   s指的是segment，用来分word line
   

4. Memory如下选型：
   Memory选型要考虑Function，考虑PPA，考虑DFT等因素，考虑后端实现等因素。下面从几个角度说几点

a. 从功能角度，要考虑：
类型：选register file还是rom还是ram
配置：选好类型之后，需要考虑memory的word_depth,io_width, column_mux，segment等

b. PPA角度：
考虑memory的area，dynamic power，leakage power，setup/hold time, acess time，低功耗模式配置等

c. DFT角度：
mem是否支持BIST功能，是否需要repair，mem做repair的成本等

d. 后端实现：
Mem用到的metal layer，出pin方向，poly方向，电源规划要求，timing margin，IR margin等。

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