关于Nor Flash闪存的扇区、块、页

以W25Q128为例:
128Mbit 的容量。
每页256字节,一共65536页,合计65536(页)*256(字节)*8(bit)=134,217,728bit ,等于134,217,728/1024/1024=128Mbit.

每次编程数据为256字节。擦除可以按16页(即一个扇区擦除,4K)、按128页擦除(32KB块擦除)、按256页擦除(64KB块擦除)或者整片擦除,四种擦除的指令不相同。

这个芯片总结来说:

每页256个字节,一共65536页。

每个扇区有16页,也即4KB大小。

块比较特殊,可以是32KB,也可以是64KB,这取决于擦除方式,所以这里分两种块擦除操作。

点击链接查看全文“//user.qzone.qq.com/627816272/blog/1564499209

  • 18
    点赞
  • 70
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 4
    评论
STM32F4系列微控制器内置了闪存存储器,可用于存储程序代码和其他非易失性数据。读写闪存的步骤如下: 1. 设置闪存接口: 首先,需要初始化闪存接口。在启用闪存操作之前,需要配置Flash预取缓冲和等待状态。这可以通过设置FLASH_ACR寄存器来完成。 2. 解锁闪存: 在进行任何写操作之前,需要先解锁闪存。这是通过设置FLASH_KEYR寄存器为特定值来完成的。 3. 擦除闪存扇区: 如果要写入新的数据,通常需要先擦除闪存的特定扇区。可以使用FLASH_Erase_Sector函数来执行擦除操作,将扇区的地址作为参数传递给该函数。 4. 写入数据到闪存擦除完成后,可以使用FLASH_ProgramWord函数将数据以字为单位写入闪存。这个函数接收要写入的数据地址以及数据本身作为参数。 5. 锁定闪存: 写入完成后,为了保护数据的完整性,可以通过设置FLASH_CR寄存器将闪存重新锁定。 需要注意以下几点: - 在进行任何闪存操作前,务必检查FLASH_SR寄存器的标志位,以确保闪存内部操作已经完成。 - 闪存操作期间,不要执行其他重要的操作,以避免干扰闪存操作的正常进行。 总而言之,通过设置闪存接口、解锁闪存擦除扇区、写入数据和锁定闪存,我们可以在STM32F4微控制器上进行闪存的读写操作。这样可以方便地存储和更新程序代码和其他非易失性数据。

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论 4
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值