MOSFET正温度系数和负温度系数

MOSFET正温度系数和负温度系数@TOC

MOSFET正温度系数和负温度系数

今年暑假准备找工作了，想趁这个机会将电力电子方面的基础知识整理一下。

MOSFET

老师在电子电子器件上就介绍过MOSFET和BJT的最大的区别：一方面是BJT电流型驱动，MOSFET是电压型驱动。另一方面就是MOSFET具有正温度系数，而且正是基于这个特性，并联的MOSFET可以实现自动均流。

正、负温度系数的定义：
正温度系数：主要是指MOSFET的导通电阻Ron的大小会随着管子温度的增加而增大。
负温度系数：主要是指MOSFET的导通电阻Ron的大小会随着管子温度的增加而减小。

通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时，具有正的温度系数导通电阻也增加，因此流过的电流减小，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件，在其内部也是有许多小晶胞并联而成，晶胞的导通电阻具有正的温度系数，因此并联工作没有问题。但是，当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响，以及各个晶胞单元等效电路模型，就会发现，上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立，而在开关转化的瞬态过程中，上述理论并不成立，因此在实际的应用中会产生一些问题，本文将详细地论述