晶体管的使用和差异

增强型NMOS

典型应用

通过单片机IO口控制灯泡或其他器件.

可以看成一个由电压控制的电阻的等效模型

电压指的是GS两端的电压差,电阻指的是DS之间的电阻,电阻会随着GS电压的变化而变化.关系如图.

Vgsth

Vgsth临界电压.也就是打开nmos需要的gs电压,这是每个Nmos的固有属性,在数据手册上有.

Vgsth应该小于高电平的电压值

如果控制的高电平是5V,那么选用3V的Vgsth比较合适.

太小会因干扰误触发,太大打不开

Rdson

mos管完全打开的时候的DS电阻被称为Rdson,同样手册上会有说明.

导通的时候会有一个很低的电阻值

CGS

指的是 G跟S之间的寄生电容

所有的Nmos都有,由制造工艺产生,没办法避免

cgs会影响nmos 的打开速度,加载到G端电压要先给电容充电,这就导致了gs的电压并不能一下子达到给定的数值

电容值很小,一般忽略,但是在高速pwm控制场景下是致命的,当pwm周期接近爬坡时间时波形就会失真

一般来说Cgs大小和Rdson是成反比的关系,Rdson越小Cgs越大,需要平衡他们之间的关系

Nmos的位置

上面的应用是灯泡在上面,nmos在下面,如果位置调换结果如何呢?

这样的话,Vs电压为5V,要维持mos管的开状态的话,gs电压要高于vgs,G端电压就需要大于5+vgsth(导通电压),大概就到了10V了,这超过了单片机的高电平电压,所以无法维持nmos打开的状态,此时陷入一个不确定的状态.所以Nmos不能放在上面

灯泡接在上面和下面的差异

对于灯泡来说,的确差异不大,但是如果把灯泡换成芯片的话,就不一样了

芯片的GND引脚没有直接接地,nmos打开的时候可能会有通信混乱问题

nmos关闭的时候,下面断开,vcc的电流可能会从其他io口流出去,进入未知状态.

NMOS和PMOS区别

PMOS符号

P模式的典型应用

当G低电平,灯泡亮,G高电平,灯泡灭,跟Nmos控制逻辑相反.

等效模型

和nmos差异在Rds和Vgs的关系Vgsth是一个负值

差异

Rdson,Nmos<Pmos

价格 ,Nmos<Pmos

品种 , Nmos>Pmos

CGS,封装差不多

故综合考虑,能用nmos尽量用nmos

NMOS和PMOS总结

对于灯泡,电机等无源功率器件,可以利用nmos作为下管控制.对于芯片这类有源器件,可以用pmos作为上管控制

三极管和mos管的区别

三极管

在三极管中ce导通的条件是be有持续电流通过,所以三极管被称为电流控制元件

典型 应用

和之前的mos管看起来一样,

区别

和MOS管制区别

mos管制是电压控制元件 gs维持电压差就可以导通

三极管是电流控制元件 be维持电流导通

1. mos更加省电,保持mos管的打开状态不需要额外的电流,虽然一个三极管消耗电流很少,但现在集成电路中晶体管数量特别多,故现在都用mos管

2. mos管第二个优势是导通阻抗小,导通可以轻松做到小于10毫欧,即便10A电流也只产生0.1V的压降和1W的功耗,而三极管导通可以等同一个二极管,产生固定0.4V左右压降,10A电流产生4W功耗

1. 三极管的优势两点1.便宜,控制led此类小电流中,可以使用,性价比高,一般选用S8050三极管,价格只有几分钱

2. 耐高压大电流,mos管因为工艺原因,如果做高压的话Rdson就会很大,三极管很容易做到耐高压,不过高压场景不常见

稳压二极管

参数

反向击穿电压

功率

限制

1. 不适合大负载场景,不然发热很严重,一般只适合用于几十毫安负载的场景

2. 缺乏反馈,输出不稳定,负载的跳变和输入电源的跳变会引起输出电压的剧烈波动

IGBT

由一个三极管加一个nmos管组成

常用于新能源车,电磁炉,高铁

由来

mos管耐压低,一般到400V就到头了,在高压场景就不适合.而三极管耐压特别高,达到上千伏,根据三极管放大原理,如果要输出100A电流就需要在控制B极输入1A电流,但是单片机只能最大输出20ma作业电流,所以再加上一个Nmos管,控制Nmos来控制输入三极管B端的电流,即组成了IGBT.

总结对比

根据需求选用.

(也有各参数性能都高的材料,碳化硅,在此不细说)

学习来源:工科男孙老师的个人空间_哔哩哔哩_bilibili