模拟电路中PN结的形成

一、基本概念

半导体是指原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间一种结构。

载流子是携带电荷的粒子。

PN结是典型的半导体，其由P半导体和N半导体构成的，其中P型半导体是一种空穴为多数载流子的杂质半导体，N型半导体是自由电子为多数载流子的杂质半导体。空穴带正电，自由电子带负电，所以P型半导体带正电荷多，N型半导体带负电荷多。

二、PN结形成

P半导体和N半导体相接触，基于扩散运动和飘移运动达成正负载流子的平衡，从而形成PN结。

（1）扩散运动。P半导体和N半导体各自携带了空穴和自由电子两种多子，由于粒子会从浓度高的地方向浓度低的地方运动，形成扩散的现象，因此P中的带正电粒子会向N区运动，N中的带负电的粒子会向P区运动。

由于扩散运动 ，PN结交界面附近的N区和P区中缺乏多数载流子，形成内电场，方向由N指向P，内电场的存在阻碍更多的P、N区多子扩散运动，当多子的

（2）漂移运动。当多子扩散运动使得P、N半导体接触面形成内电场之后，内电场的电势使得一部分空穴和自由电子形成与扩散运动相反的运动方向的运动。

当扩散运动和漂移运动导致的两个相反方向的载流子运动达到动态平衡之后，就形成了PN结