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本征半导体可以导电:粒子热运动带来的本征激发
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本征激发的速度 复合的速度和什么有关
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本征半导体导电 是因为 载流子的存在
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本征半导体导电能力和什么有关:载流子 浓度
2.杂质半导体
•可扩散性:在纯净的本征半导体扩散其他元素 构成杂质半导体
温度对n型半导体载流子子的影响
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对
n
型半导体多子影响不大:本身自由电子多,热运动产生的自由电子不多
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对
n
型半导体少子影响很大:少子浓度变化非常大,本身基数少
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如果一个半导体器件性能和少子有关,那么他受温度影响大
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如果仅仅和多子相关,受温度影响小
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掺杂,得到
n
型
p
型 导电能力提高了
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把这两种杂志半导体放在一起的时候,产生了
pn
结
2.pn结
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1.pn
结的形成
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P
型半导体
n
型半导体 放在一起
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N
区自由电子扩散到
p
区的时候,反过来
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在交界面处 复合
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载流子消耗,形成空间电荷区,形成空间电场,电场方向
n
指向
p
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空间电场组合两个区的多子复合,起了阻挡的作用
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N
区少子空穴被空间电荷区拉到
p
区,
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P
区空穴也被拉到
n
区
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少子在空间电场力作用下,飘的运动 称之为漂移运动
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一定程度下,多子扩散运动,少子漂移运动 达到 动态平衡
•如果对电流不加限制一直增加,会烧掉pn结,加电阻:限定pn结通过的最大电流u/r
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Pn
结单向导电:只能
p
到
n