为什么电源正极进来后要先过大电容,再过小电容?

最好的资料是电容厂家的设计指南:
1.电容简单的等效模型是C+ESL+ESR
2.通常电解电容容量越大,ESR越小,ESL越大,承受纹波电流越大
3.电流流经阻抗最小路径
4.大电流,PCB走线电阻不能忽略;高频纹波电流PCB走线电感不能忽略
5.在考虑EMC辐射的时候,高频路径面积要最小
      滤波电容为什么多颗大小容量并联,为什么IC的VCC滤波电容要先大后小,小的靠近IC电源脚,看电容的阻抗特性,过长的PCB布线电感在高频下会使小电容的滤波能力大打折扣,甚至丧失滤波能力;同时,不贴近IC脚,高频环路面积也大,带来更严重的辐射问题,参看下图1,图2,图3。

                                         图1                                                        图2                                                     图3
       储能电容为什么大电容靠近动点,开关电源的输入电容先小后大,输出电容先大后小,储能电容回路往往伴随较大的电流,如果有高频开关,还有高频大的纹波电流(纹波电流是电容寿命的关键因素),纹波电流会形成纹波电压,会在电容的ESR上产生大量的热,大电流情况,PCB布线电阻也不能忽略,多颗电容并联,靠近开关节点的电容会流过更大的纹波电流如果小电容靠近开关节点,纹波电流超出额定值,很容易挂掉,然后大电容纹波电流增加,温升加剧,恶性循环输出电容寿命严重缩短,开关电源中,大的dv/dt,di/dt,EMI问题严重的多,大电容靠近开关节点,让开关节点的母线电压更稳,减小高频回路也有利于解决EMC辐射问题(注意开关电源的开关频率,噪声频率,往往还会就近并小容量瓷片电容),参看下图4,图5。

                 

                                    图4                                   

 DC-DC电源模块输出先放大电容还是小电容_taojishuang的博客-CSDN博客_dcdc输出电容过大

 

 

作者:hnsjc
链接:https://www.zhihu.com/question/510232753/answer/2313627752
来源:知乎
著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权,非商业转载请注明出处。
 

因为这一大一小2个电容的用处不一样,虽然它们都叫“去耦”电容。

一、电路中为什么需要“去耦”电容

一个电路,从供电和用电的角度来看,可以分为2部分:电源和负载。负载一般需要纯净稳定的直流电,即不管负载电流如何变化,电源的电压波形应该是一条直线。这一点,几乎所有的电源都做不到,原因有好多:

  1. 电源有内阻,负载电流变化时,电源电压也跟着变。
  2. 电源可能带好多个负载(比如多个芯片),某个芯片的电流变化会导致电源电压跟着变化,从而再导致其他芯片的电压发生变化。
  3. 一些电子电源本身有较大的波纹,不是纯净的直流电。
  4. 各种电磁干扰窜入电路后,导致电源波动。

如上各种原因产生的电源供电电压波动,相当于交流信号叠加在直流电线路上,从电源端“耦合”到负载端,或反之。这些干扰信号频率范围可以很宽广,它们可以从电源、负载、外界产生,通过相互耦合,影响电路的正常工作。如果负载是一个逻辑芯片,可能会导致高低电平识别错误。

解决办法是在电源与负载之间添加“去耦”电容,如下图:

当加上图中的去耦电容后,左端的高频成分被过滤平滑,右端就得到平滑的直流电了。左端如果是电源,那么经过去耦电容后,电源的高频被过滤,不会影响到负载。左端如果负载,那么负载的波纹也被过滤,不会耦合到电源。

所以去耦电容的作用是:将两个不同的电路或本地电路与外部电路隔离或去耦,换句话说,去耦电容器用于将交流信号与直流信号去耦

二、定位去耦电容

去耦电容应放置在电源和负载(IC)之间,彼此并联。当直流电源向电路供电时,去耦电容会对直流信号产生无限大的电抗,因它它们不会对电路产生任何影响。但对交流信号,电容器将为高频信号创建一个低阻抗路径,以便分流,从而产生干净的直流信号。

定位涉及两个不同的电容器,考虑一个电容 10μF 的大电容器放置在远离 IC 的位置,用于平滑电源中的低频变化,一个 0.1μF 的小电容器放在靠近 IC的位置,用于平滑高频电源的变化。如下图:

小电容器需要更靠近IC,这将更有效的过滤IC产生的高频信号,或更有效地抑制线路引入的高频信号对IC的影响。用于低频平滑的电容器类型最多的是电解电容器,而用于高频平滑的电容器是表面贴装陶瓷电容器。

三、去耦电容的值

选择去耦电容器的值没有太多限制(旁路电容需要根据实际电路计算)。由于去耦电容被广泛使用,因此一般作以下选择:

  • 低频噪声去耦电容值通常应在 1 µF 至 100 µF 之间
  • 高频噪声去耦电容的典型值应在 0.01 µF 至 0.1 µF 之间。

一些IC 数据表提供要使用的电容器的确切值。去耦电容应始终直接连接到低阻抗接地层以使其有效运行。

作者:IT电子笔记
链接:https://www.zhihu.com/question/510232753/answer/2326873821
来源:知乎
著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权,非商业转载请注明出处。
 

电容作为电子基本元器件之一,实际生产的电容都不是理想的,会有寄生电感,等效串联电阻存在,同时因为电容两极板间的介质不是绝对绝缘的,因此存在数值较大的绝缘电阻。其等效模型如下,

有等效模型,那么就存在阻抗-频率特性,当容抗远大于感抗时,电容显容性,当容抗远小于感抗时,电容显感性。

 

 

所以电容滤波是有频段的,不是电容是越大越好,每个电容有一定的滤波频段,大电容滤低频,小电容滤高频,主要是根据电容的谐振频点来决定,电容在谐振频率点处有最佳的滤波效果!在以谐振点为中心的一段频段之内有较好的滤波效果,其他部分滤波效果不佳!电容的谐振点与电容的容值以及ESL相关。

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