模拟电子电路学习（一）

一、半导体基础知识

1.基本概念

• 本征半导体： 化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。
• 空穴： 共价键中的空位。
• 电子空穴对： 由热激发而产生的自由电子和空穴对。
• 空穴的移动： 空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次填充空穴来实现的。
• N型半导体： 掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子，由热激发形成。
• P型半导体： 掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。
• 漂移运动： 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
• 扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。

2. PN结的形成与特性

形成：

由于扩散运动，载流子会向低浓度的区域扩散，当P、N半导体接在一起时，P型半导体中的多数载流子空穴向N型半导体扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P型扩散，最终达到动态平衡，在交界处形成一个空间电荷区（PN结），方向N→P。由于缺少多子，空间电荷区也称为耗尽层。

特性：

• 单向导电： 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。

PN结加正向电压时： 低电阻、大的正向扩散电流。
PN结加反向电压时： 高电阻、很小的反向漂移电流。

  当PN结处于正向偏置时，多数载流子会由于扩散作用穿过PN结，在对方区域的PN结附近积累电荷。 这种电荷的累积量高于无偏置时的正常水平，且其大小取决于施加在PN结上的正向电压。当距离PN结越远时，由于空穴与电子之间发生复合作用，载流子的浓度会逐渐减小。
  如果施加的正向电压增加了一个增量 Δ𝑉，那么在PN结附近，空穴或电子的扩散运动会导致一个对应的电荷增量 ΔQ 积累。扩散电容 Cd就是电荷增量与电压增量的比值，即：

Cd= ΔQ/Δ𝑉

扩散电容反映了PN结在正向偏置下，因载流子的扩散运动导致的电荷存储效应。

结构和种类

• 点接触型二极管： PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。
• 面接触型二极管： PN结面积大，用于工频大电流整流电路。

二极管类型	主要用途	主要参数
整流二极管	整流电路	反向击穿电压 ($V_R$)，正向电压降 ($V_F$)，最大正向电流 ($I_F$)，反向恢复时间 ($t_{rr}$)
齐纳二极管	稳压、过压保护	齐纳电压 ($V_Z$)，最大反向电流 ($I_R$)，功率消耗 ($P)
肖特基二极管	高频整流、低压应用	正向电压降 ($V_F$)，反向泄漏电流 ($I_R$)，最大反向电压 ($V_R$)
发光二极管 (LED)	照明、显示、指示灯	正向电压 ($V_F$)，最大正向电流 ($I_F$)，光强度 ($I_v$)
变容二极管	调谐电路	电容范围 ($C$)，调谐比，反向击穿电压 ($V_R$)
隧道二极管	高频振荡、微波电路	峰值电流 ($I_P$)，谷值电流 ($I_V$)，负阻特性
光电二极管	光电探测、光通信	响应度，暗电流 ($I_D$)，响应时间

二极管静态工作点分析

负反馈曲线与电路中的电阻R和接入电压VDD有关。

二、BJT 三极管

三极管有两种类型： NPN型和PNP型。

1.BJT的工作原理

  BJT导通的根本原因是：集电极与发射极的载流子浓度不同，发射极的载流子浓度远远大于集电极的载流子浓度，当基极通电时（以NPN为例），E极电子流向B的数目远远大于C极流向B极的数目，而B极含有的载流子很少，无法中和来自E极的所有载流子，从而流向了C极，从而形成了三级管电流。电流方向由C→E。

  BJT正常工作时，发射极正偏集电极反偏。

2.载流子传输过程

  发射区发射载流子，集电区收集载流子，基区作为媒介，控制载流子的传输。

3.电流关系

$I_E=I_B+I_C$
$I_C=I_{NC}+I_{CBO}$

$i_b是C\to B的电流（I_{CBO}）I_B是BE导通电流$
$i_b=I_{CE}-I_{BE}$

Ⅰ.电流放大系数α

$\alpha =\frac{传输到集电极电流}{发射极注入电流}$
则 $\alpha =\frac{I_{NC}}{I_E}$
由于 $I_C>>I_{CBO}$
则有 $\alpha =\frac{I_C}{I_E}$

$\alpha$ 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 α = 0.9~0.99 。

Ⅱ. 电流放大系数 β
$\beta =\frac{\alpha }{1-\alpha }$

$I_{CEO}=(1+\beta )I_{CBO}(穿透电流)$

则$\beta =\frac{I_C-I_{CEO}}{I_B}$

当$I_C>>I_{CEO}$时，$\beta \approx \frac{I_C}{I_B}$

可理解为$I_E=I_B+I_C=I_B+\beta I_B=(1+\beta )I_B$

β 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 β >> 1 。

4. BJT的V—I特性曲线

Ⅰ. 输入特性曲线

当$v_{CE}=0V$时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。当$v_{CE}\ge 1V$时， $v_{CB}=v_{CE}-v_{BE}>0$，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的$v_{BE}$下 $I_B$减小，特性曲线右移。

Ⅱ.输出特性曲线

请参考：BJT详细介绍

5.放大电路的分析方法

Ⅰ.图解分析法
静态工作点的图解分析（采用该方法分析静态工作点，必须已知三极管的输入输出特性曲线。）

（1）首先，画出直流通路；
（2）列输入回路方程；列输出回路方程（直流负载线）；
（3）在输入特性曲线上，作出直线vbe = Vbb - ibRb ，两线的交点即是Q点，得到IBQ；
（4）在输入特性曲线上，作出直线 Vce = Vcc - icRc ，两线的交点即是Q点，得到IBQ。

动态工作情况的图解分析： 根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE 、 iB 的波形，根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE 的波形。

若静态工作点选择不当，可能会导致截止失真或饱和失真。

图解分析法的适用范围：幅度较大而工作频率不太高的情况。
优点： 直观、形象。有助于建立和理解交、直流共存，静态和动态等重要概念；有助于理解正确选择电路参数、合理设置静态工作点的重要性。能全面地分析放大电路的静态、动态工作情况。
缺点： 不能分析工作频率较高时的电路工作状态，也不能用来分析放大电路的输入电阻、输出电阻等动态性能指标。

Ⅱ.小信号模型分析法

6.三种放大电路的比较

• 信号由基极输入，集电极输出——共射极放大电路
• 信号由基极输入，发射极输出——共集电极放大电路
• 信号由发射极输入，集电极输出——共基极电路

共射电路：
$既能放大电流，也能放大电压。$
输入电阻居三种电路中，输出电阻较大，通频带较窄。
通常作为低频电压放大电路的单元电路。

共集电路：
$只能放大电流，不能放大电压。$
是三种接法中输入电阻最大，输出电阻最小的电路，并具有电压跟随的特点。
常用于电压放大电路的输入级和输出级，在功率放大电路中，也常常采用射极输出的形式。

共基电路：
$只能放大电压不能放大电流。$
具有电流跟随的特点
输入电阻小，电压放大倍数、输出电阻与共射电流相当，是三种接法里高频特性最好的电路。
常作为宽频带放大电路。

余下请查看：模电知识点