一、半导体基础知识
1.基本概念
- 本征半导体: 化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。
- 空穴: 共价键中的空位。
- 电子空穴对: 由热激发而产生的自由电子和空穴对。
- 空穴的移动: 空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次填充空穴来实现的。
- N型半导体: 掺入五价杂质元素(如磷)的半导体。N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子,由热激发形成。
- P型半导体: 掺入三价杂质元素(如硼)的半导体。在P型半导体中空穴是多数载流子,它主要由掺杂形成;自由电子是少数载流子, 由热激发形成。
- 漂移运动: 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
- 扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。
2. PN结的形成与特性
形成:
由于扩散运动,载流子会向低浓度的区域扩散,当P、N半导体接在一起时,P型半导体中的多数载流子空穴向N型半导体扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向P型扩散,最终达到动态平衡,在交界处形成一个空间电荷区(PN结),方向N→P。由于缺少多子,空间电荷区也称为耗尽层。
特性:
- 单向导电: 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位,称为加正向电压,简称正偏;反之称为加反向电压,简称反偏。
PN结加正向电压时: 低电阻、大的正向扩散电流。
PN结加反向电压时: 高电阻、很小的反向漂移电流。
当PN结处于正向偏置时,多数载流子会由于扩散作用穿过PN结,在对方区域的PN结附近积累电荷。 这种电荷的累积量高于无偏置时的正常水平,且其大小取决于施加在PN结上的正向电压。当距离PN结越远时,由于空穴与电子之间发生复合作用,载流子的浓度会逐渐减小。
如果施加的正向电压增加了一个增量 Δ𝑉,那么在PN结附近,空穴或电子的扩散运动会导致一个对应的电荷增量 ΔQ 积累。扩散电容 Cd就是电荷增量与电压增量的比值,即:
Cd= ΔQ/Δ𝑉
扩散电容反映了PN结在正向偏置下,因载流子的扩散运动导致的电荷存储效应。
结构和种类
- 点接触型二极管: PN结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。
- 面接触型二极管: PN结面积大,用于工频大电流整流电路。
二极管类型 | 主要用途 | 主要参数 |
---|---|---|
整流二极管 | 整流电路 | 反向击穿电压 ( V R V_R VR),正向电压降 ( V F V_F VF),最大正向电流 ( I F I_F IF),反向恢复时间 ( t r r t_{rr} trr) |
齐纳二极管 | 稳压、过压保护 | 齐纳电压 ( V Z V_Z VZ),最大反向电流 ( I R I_R IR),功率消耗 ($P) |
肖特基二极管 | 高频整流、低压应用 | 正向电压降 ( V F V_F VF),反向泄漏电流 ( I R I_R IR),最大反向电压 ( V R V_R VR) |
发光二极管 (LED) | 照明、显示、指示灯 | 正向电压 ( V F V_F VF),最大正向电流 ( I F I_F IF),光强度 ( I v I_{v} Iv) |
变容二极管 | 调谐电路 | 电容范围 ( C C C),调谐比,反向击穿电压 ( V R V_R VR) |
隧道二极管 | 高频振荡、微波电路 | 峰值电流 ( I P I_P IP),谷值电流 ( I V I_V IV),负阻特性 |
光电二极管 | 光电探测、光通信 | 响应度,暗电流 ( I D I_D ID),响应时间 |
二极管静态工作点分析
负反馈曲线与电路中的电阻R
和接入电压VDD
有关。
二、BJT 三极管
三极管有两种类型: NPN型
和PNP型
。
1.BJT的工作原理
BJT导通的根本原因是:集电极与发射极的载流子浓度不同,发射极的载流子浓度远远大于集电极的载流子浓度,当基极通电时(以NPN
为例),E极
电子流向B的数目远远大于C极
流向B极
的数目,而B极
含有的载流子很少,无法中和来自E极
的所有载流子,从而流向了C极
,从而形成了三级管电流。电流方向由C→E
。
BJT正常工作时,发射极正偏集电极反偏。
2.载流子传输过程
发射区发射载流子
,集电区收集载流子
,基区作为媒介
,控制载流子的传输。
3.电流关系
I
E
=
I
B
+
I
C
I_E=I_B+I_C
IE=IB+IC
I
C
=
I
N
C
+
I
C
B
O
I_C=I_{NC}+I_{CBO}
IC=INC+ICBO
i
b
是
C
→
B
的电流(
I
C
B
O
)
I
B
是
B
E
导通电流
i_b是C→B的电流(I_{CBO})I_B是BE导通电流
ib是C→B的电流(ICBO)IB是BE导通电流
i
b
=
I
C
E
−
I
B
E
i_{b}=I_{CE}-I_{BE}
ib=ICE−IBE
Ⅰ.电流放大系数α
α
=
传输到集电极电流
发射极注入电流
α=\frac{传输到集电极电流}{发射极注入电流}
α=发射极注入电流传输到集电极电流
则
α
=
I
N
C
I
E
α=\frac{I_{NC}}{I_E}
α=IEINC
由于
I
C
>
>
I
C
B
O
I_C>>I_{CBO}
IC>>ICBO
则有
α
=
I
C
I
E
α=\frac{I_C}{I_E}
α=IEIC
α
α
α 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般 α = 0.9~0.99
。
Ⅱ. 电流放大系数 β
β
=
α
1
−
α
β=\frac{α}{1-α}
β=1−αα
I C E O = ( 1 + β ) I C B O ( 穿透电流 ) I_{CEO}=(1+β)I_{CBO}(穿透电流) ICEO=(1+β)ICBO(穿透电流)
则 β = I C − I C E O I B β=\frac{I_C-I_{CEO}}{I_B} β=IBIC−ICEO
当 I C > > I C E O I_C>>I_{CEO} IC>>ICEO时, β ≈ I C I B β≈\frac{I_C}{I_B} β≈IBIC
可理解为 I E = I B + I C = I B + β I B = ( 1 + β ) I B I_E=I_B+I_C=I_B+βI_B=(1+β)I_B IE=IB+IC=IB+βIB=(1+β)IB
β 是另一个电流放大系数。同样,它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般 β >> 1
。
4. BJT的V—I特性曲线
Ⅰ. 输入特性曲线
当
v
C
E
=
0
V
v_{CE}=0V
vCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。当
v
C
E
≥
1
V
v_{CE}≥1V
vCE≥1V时,
v
C
B
=
v
C
E
−
v
B
E
>
0
v_{CB}= v_{CE} - v_{BE}>0
vCB=vCE−vBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,基区复合减少,同样的
v
B
E
v_{BE}
vBE下
I
B
I_B
IB减小,特性曲线右移。
Ⅱ.输出特性曲线
请参考:BJT详细介绍
5.放大电路的分析方法
Ⅰ.图解分析法
静态工作点的图解分析(采用该方法分析静态工作点,必须已知三极管的输入输出特性曲线。)
(1)首先,画出直流通路;
(2)列输入回路方程;列输出回路方程(直流负载线);
(3)在输入特性曲线上,作出直线vbe = Vbb - ibRb ,两线的交点即是Q点,得到IBQ;
(4)在输入特性曲线上,作出直线 Vce = Vcc - icRc ,两线的交点即是Q点,得到IBQ。
动态工作情况的图解分析: 根据vs的波形,在BJT的输入特性曲线图上画出vBE 、 iB 的波形,根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE 的波形。
若静态工作点选择不当,可能会导致截止失真或饱和失真。
图解分析法的适用范围:幅度较大而工作频率不太高的情况。
优点: 直观、形象。有助于建立和理解交、直流共存,静态和动态等重要概念;有助于理解正确选择电路参数、合理设置静态工作点的重要性。能全面地分析放大电路的静态、动态工作情况。
缺点: 不能分析工作频率较高时的电路工作状态,也不能用来分析放大电路的输入电阻、输出电阻等动态性能指标。
Ⅱ.小信号模型分析法
6.三种放大电路的比较
- 信号由基极输入,集电极输出——共射极放大电路
- 信号由基极输入,发射极输出——共集电极放大电路
- 信号由发射极输入,集电极输出——共基极电路
共射电路:
既能放大电流,也能放大电压。
\color{red}既能放大电流,也能放大电压。
既能放大电流,也能放大电压。
输入电阻居三种电路中,输出电阻较大,通频带较窄。
通常作为低频电压放大电路的单元电路。
共集电路:
只能放大电流,不能放大电压。
\color{red}只能放大电流,不能放大电压。
只能放大电流,不能放大电压。
是三种接法中输入电阻最大,输出电阻最小的电路,并具有电压跟随的特点。
常用于电压放大电路的输入级和输出级,在功率放大电路中,也常常采用射极输出的形式。
共基电路:
只能放大电压不能放大电流。
\color{red}只能放大电压不能放大电流。
只能放大电压不能放大电流。
具有电流跟随的特点
输入电阻小,电压放大倍数、输出电阻与共射电流相当,是三种接法里高频特性最好的电路。
常作为宽频带放大电路。
余下请查看:模电知识点