模电 - 双极型三极管（BJT）简述

基本概念

• 双极结型三极管（Bipolar Junction Transistor，BJT）俗称半导体三极管，是场效应管之外的另一种重要的三端电子器件。
• 特点：超高频性能、大电流驱动能力
• MOS管是单极型器件，BJT则因其有自由电子和空穴两种极性的载流子同时参与导电而得名。
• 常见外形：

结构简介

• 结构示意图及电路符号：
  
• 在一个硅（或锗）片上生成三个杂质半导体区域：一个P区加在两个N区中间，或者一个N区加在两个P区中间。BJT有两种类型：NPN型和PNP型。从三个杂质半导体区域各自引出一个电极，分别称为发射极e，集电极c，基极b，它们对应的杂质半导体区域分别称为发射区，集电区，基区。
• 三个区（基区/集电区/发射区）
• 两个PN结（发射结/集电结）
• 三个区各自的特点：
  • 基区：“控制区” ，掺杂浓度很低，基区宽度非常薄。
  • 集电区：“收集载流子的区域” ，收集载流子，不能有过高的载流子（不能有过高的掺杂浓度），但是面积最大。类似仓库，不能放满东西也不能太小。
  • 发射区：“发射载流子的区域” ，往外发射载流子，要有足够的载流子发射，此区域的载流子浓度最高，也就是掺杂浓度最高。
  • 三个区电气不对称。
• 结构图：
  
• 集成电路中的NPN型BJT的截面图：

工作原理

• BJT内部有两个背靠背、互相影响的PN结。当这两个PN结的偏置条件（正偏或反偏）不同时，BJT将呈现不同的特性和功能，可能有四种工作状态：放大、饱和、截止、倒置。

放大状态

• BJT内部载流子的传输过程
• BJT的电流放大作用是由其内部载流子的定向（由发射区向集电区）运动体现出来的。为了保证内部载流子做这样的定向运动，实现电流放大，无论NPN型还是PNP型的BJT，都要将它们的发射结加正偏，集电结反偏。以NPN为例，分析如下：
  
• 发射结正偏
  • 发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流I_E。
    • 发射结外加正向电压，发射区（高掺杂）的多子电子将不断通过发射结扩散到基区，形成发射结电子扩散电流I_EN，其方向与电子扩散方向相反。同时基区的多子空穴也要扩散到发射区，形成空穴扩散电流I_EP，其方向与I_EN相同，两个电流一起构成受发射结正向电压V_BE控制的发射结电流（也就是发射极电流）I_E，即：$$I_E=I_{EN}+I_{EP}=I_{ES}(e^{V_{BE}/V_T}-1)\approx I_{ES}{e}^{V_{BE}/V_T}$$
    • I_ES为发射结的反向饱和电流，其值与温度、发射区及基区的掺杂浓度有关，还与发射结的面积成比例。
    • 由于基区掺杂浓度很低，I_EP很小，可认为：$$I_E=I_{EN}+I_{EP}\approx I_{EN}$$
  • 载流子在基区扩散与复合，形成复合电流I_BN
    • 由发射区扩散到基区的载流子电子在发射结边界附近浓度最高，离发射结越远浓度越低，形成了一定的浓度梯度。浓度差使得扩散到基区的电子继续向集电结方向扩散。扩散的时候，有一部分电子与基区的空穴复合，形成基区复合电流I_BN。但是由于基区很薄，掺杂浓度又低，因此复合的电子很少，I_BN很小。基区被复合掉的空穴由电压源V_EE从基区拉走电子来补充。
• 集电极反偏
  • 现在自由电子扩散到集电结处，浓度梯度越来越高，如果集电结不把靠近的自由电子抽走，整个自由电子扩散会越来越慢直至停止。
  • 由于集电结外加反偏电压，空间电荷区的内电场被加强，对基区扩散到集电结边缘的载流子电子有很强的吸引力，使其漂移过集电结，被集电极收集，形成集电极漂移电流I_CN，这个电流是受发射结正向电压V_BE控制的。此外，基区自身的少子电子与集电区的少子空穴也要在集电结反偏作用下产生漂移，形成集电结反向饱和电流I_CBO，方向与I_CN一致。两者构成集电极电流I_C，即：$$I_C=I_{CN}+I_{CBO}$$
  • I_CBO不受发射结电压控制，因而对放大没有贡献。它的大小取决于基区和集电区的少子浓度，数值很小，但受温度影响很大，容易使BJT工作不稳定。
• BJT的基极电流：$$I_B=I_{EP}+I_{BN}-I_{CBO}=I_{EP}+I_{EN}-I_{CN}-I_{CBO}=I_E-I_C$$
• 形象的比喻
  • 整个载流子的过程就像非洲大草原上，野牛群的大迁徙。现在有一条河流截住了牛群们的路，它们必须度过河流才能到达广阔的青青草原。
  • 基区内的空穴就相当于河里的鳄鱼，而由发射区扩散过来的自由电子就如同迁徙的牛群过河。如果基区里面的鳄鱼足够多，或者河流足够宽，迁徙的牛群绝大部分都会被消灭，所以基区不能做的很宽也不能高掺杂浓度。其实基区的工艺就决定了此区域内复合的程度，换句话说也就是牛群的通过率。假设基区里面的掺杂浓度使得100个电子，有10个电子会被复合掉，也就是电流I_EN里面有10个电子被复合掉了，但是在图中的I_BN方向（基极那块）又会很容易由V_BB再产生10个。
  • 集电结反偏，产生一个电场，类似抽水机把自由电子全都吸过去了，收集（前面提到的漂移运动）集电极就类似牛羊要去的青青草原，如果渡过河的牛羊全部停留在河的岸边，后面的牛羊会逐渐拥挤，越来越跑不动，推不动前面的牛羊，河里面越来越多的牛羊会被鳄鱼吃掉。青青草原就把牛群吸引过去，整个电路才会处于正常的传输状态。

3种连接方式

• 共基极
  

• 共发射极
  

• 共集电极
  

电流分配关系

• BJT共基极直流放大系数：$$\bar{\alpha }=\frac{I_{CN}}{I_E}$$它表达了I_E转换为I_CN的能力，显然$$\bar{\alpha }<1$$接近1，一般在0.98以上。
• 因此，结合上述可得：$$I_C=\bar{\alpha }{I}_E+I_{CBO}$$当I_CBO很小时，有：$$I_C\approx \bar{\alpha }{I}_E$$
• 由于I_E=I_C+I_B，可以将上式代入BJT在共射极连接时输出电流I_C受输入电流I_B控制的电流分配关系，即：$$I_C=\frac{\bar{\alpha }}{1-\bar{\alpha }}{I}_B+\frac{\bar{\alpha }}{1-\bar{\alpha }}{I}_{CBO}=\bar{\beta }{I}_B+I_{CE0O}$$其中 $$\bar{\beta }=\frac{\bar{\alpha }}{1-\bar{\alpha }}$$ $$I_{CEO}=\frac{1}{1-\bar{\alpha }}{I}_{CBO}=(1+\bar{\beta })I_{CBO}$$
• 共射极直流电流放大系数：$$\bar{\beta }$$
• 集电极与发射极之间的反向饱和电流：I_CEO，常称为穿透电流。I_CEO的数值一般很小，当它可忽略时，上式可简化：$$I_C\approx \bar{\beta }{I}_B$$
• 可得BJT在共集电极连接时输出电流I_E受输入电流I_B控制的电流分配关系，即：$$I_E=I_B+I_C=(1+\bar{\beta })I_B$$
• 上述电流分配关系说明，无论哪种连接方式，BJT在发射结正偏、集电结反偏，而且上述两个放大系数不变时，输出电流I_C(或I_E)正比于输入电流I_E(或I_B)。如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将BJT称为电流控制器件。I_E是受正向发射结电压V_BE控制的，因此I_C和I_B也是受正向发射结电压V_BE控制的。这体现了BJT的正向受控特性。

I-V特性曲线

共射极连接时的I-V特性曲线

• BJT连接称共射极形式，输入电压为v_BE，输入电流为i_B，输出电压为v_CE，输出电流为i_C，如下图所示：
  

输入特性曲线

• 共射极连接时的输入特性曲线描述了当输出电压v_CE为某一数值（以v_CE为参变量）时，输入电流i_B与输入电压v_BE之间的关系，用函数表示为：$$i_B=f(v_{BE}){\mid }_{v_{CE}=常数}$$
• 如下图NPN型硅BJT在共射极连接且发射结正偏时的输入特性曲线。图中示出了v_CE分别为0V、1V、10V三种情况下的输入特性曲线。BJT的输入特性曲线与半导体二极管的正向I-V特性曲线相似，随着v_CE的增加，特性曲线向右移动。也就是当v_BE不变时，随着v_CE的增加，i_b将减小。或者说，当i_B不变时，随着v_CE的增加，v_BE将增大。
  
• 当v_CE较小，集电结处于正偏或反偏很小的状态，集电区收集电子的能力很弱，而基区的复合作用较强，在v_BE相同的情况下，i_B较大。
• 集电结上反偏电压加大，内电场增强，收集电子的能力增强， 与此同时，集电结空间电荷区变宽，从而使基区的有效宽度减小，载流子在基区的复合机会减小，结果使i_B减小。将v_CE变化引起基区有效宽度变化，致使基极电流i_B变化的效应称为基区宽度调制效应。

输出特性

• 共射极连接时的输出特性曲线描述了当输入电流i_B为某一数值（即i_B不变），集电极电流i_C与电压v_CE的关系，函数表示：$$i_C=f(v_{CE}){\mid }_{i_B=常数}$$
• 输出特性曲线：
  
• 放大区：
  • 发射结正偏电压大于开启电压，集电结反偏。
  • 电流关系：$$i_C=\beta i_B$$
  • 特点：各条曲线几乎与横坐标轴平行，随着v_BE的增加，略向上倾斜。
  • 该区域内，i_C主要受i_B控制。v_CE对i_C的影响由基区宽度调制效应产生，v_CE增加时，基区有效宽度减小，载流子在基区的复合机会减少，使得电流放大系数略有增加，保持i_B不变的情况下，i_C随着增加，输出特性曲线略微上翘。
  • 考虑基区宽度调制效应时的输出特性曲线：
• 截止区
  • 截止区是指集电结反向偏置，发射结上偏置电压小于PN结的开启电压，发射极电流i_E=0时，所对应的区域，此时i_B=-I_CBO。
  • 双结反偏，CE之间（开关）断路。
• 饱和区
  • 双结正偏，u_CES 饱和状态下，三极管CE之间能达到的最小电压。CE之间（开关）闭合。
  • 电流关系：$$\beta I_B>I_{Cmax}$$
  • I_Cmax由外部电路决定，一般使用时集电极会连入一个限流电阻R_C
• 补充知识点：仔细观察饱和区跟截止区，你会发现什么？是不是就是基极给不给电压的区别？集电结反偏电压一定，基极给电压，那么管子进入饱和区（开关管闭合）；基极不给电压，那么管子进入截止区（开关管断开）。这是不是可以做成数字电路中的某种应用，给基极一个PWM信号，控制即可。

共基极连接时的I-V特性曲线

输入特性曲线

• 共基极输入特性曲线：当v_CB为某一数值时，输入电流i_E与输入电压v_BE之间的关系曲线，函数形式：$$i_E=f(v_{BE}){\mid }_{v_{CB}=常数}$$
• 曲线：
  
• 当v_CB=0时，输入特性与PN结特性相同。
• 当v_CB>0时，随着v_CB的增加，输入特性曲线略向左移，说明v_CB保持不变时，随着集电结反偏电压的增加，i_E也有所增加。

输出特性

• 当i_E为某一数值时，输出电流i_C与输出电压v_CB之间的关系曲线，函数形式：$$i_C=f(v_{CB}){\mid }_{i_E=常数}$$
• 曲线：
• 当i_E>0（发射结正偏）、v_CE>-0.4V(集电结反偏或正偏电压较小)时，工作在放大区。而此时的放大区，特性曲线十分平坦，v_CB变化时，i_C几乎不变。这说明共基极连接时，BJT几乎是一个理想电流源。
• 当i~E >0 V，v_CB<-0.4V(集电结正偏)时BJT工作在饱和区。
• i_E=0以下的区域为截止区。

BJT的主要参数

电流放大系数

• 直流电流放大系数
  • 共射极直流电流放大系数：$$\bar{\beta }=(I_C-I_{CEO})/I_B$$ 当I_C >> I_CEO时，近似：$$\bar{\beta }\approx I_C/I_B$$ 这个值在共射极输出特性曲线上求得。理想状态下，对给定的BJT，此值是常数。实际上，它只是在一定范围内，被近似认为是常数。
  • i_C过小或过大时，放大系数都会变小。放大系数与i_C的关系曲线：
  • 共基极直流电流放大系数：$$\bar{\alpha }=(I_C-I_{CBO})/I_E$$ 当I_C >> I_CBO时，近似：$$\bar{\alpha }\approx I_C/I_E$$ 它也不是常数。
• 交流电流放大系数
  • 共射极交流电流放大系数
    • 定义为集电极电流变化量与基极电流变化量之比，即：$$\beta =\frac{\Delta i_C}{\Delta i_B}\mid {}_{v_{CE}=常数}$$ 显然，与共射极直流电流放大系数含义不同，一个反映静态（直流工作状态）时的电流放大特性，一个反映动态（交流工作状态）时的电流放大特性。但是BJT输出特性曲线比较平坦（恒流特性比较好），在各条曲线距离相等的条件下，这两者可以混用，即：$$\beta \approx \bar{\beta }$$
  • 共基极交流电流放大系数
    • 定义为：$$\alpha =\frac{\Delta i_C}{\Delta i_E}\mid {}_{v_{CB}=常数}$$ 同样，在输出特性曲线比较平坦，各曲线间距相等的条件下，可以认为：$$\alpha \approx \bar{\alpha }$$

极间反向电流

• 集电极—基极反向饱和电流I_CBO
  • I_CBO是集电结加上一定的反偏电压时，集电区和基区的平衡少子各自向对方漂移形成的反向电流。少子少子少子，重要的事情说三遍，前面提高什么影响少子来着？它实际上和单个PN结的方向电流是一样的，决定于温度和少子载流子的浓度。
  • 在一定温度下，这个反向电流基本上是常数，称为反向饱和电流。
  • 一般小功率硅管的I_CBO小于1uA，小功率锗管的I_CBO约为10uA。I_CBO随温度增加而增加，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。
  • 测量I_CBO
    
• 集电极—发射极反向饱和电流I_CEO
  • I_CEO时基极开路时，由集电区穿过基区流向发射区的反向饱和电流，也称为穿透电流。
  • 如前所述，$$I_{CEO}=(1+\beta )I_{CBO}$$
  • 测量如下：
    
  • 选用BJT时，一般希望极间反向饱和电流尽量小，以减小温度对BJT性能的影响。

极限参数

• 集电极最大允许电流I_CM
  当i_C过大时，β值会下降。（进入饱和区）β下降到一定值时i_C即为I_CM。当工作电流I_C大于I_CM时，BJT不一定会烧坏，但是β值将过小，放大能力太差。
• 集电极最大允许耗散功率P_CM
  • BJT内的两个PN结上都会消耗功率，其大小分别等于流过的电流与结上电压降的乘积。 一般来说集电结的电压降远大于发射结上的电压降，因此集电结上的耗散功率P_C要大得多。这个功率使得集电结发热，结温上升，当结温超过最高工作温度（硅管150℃，锗管70℃）时，BJT性能下降，甚至烧坏。
  • P_cm的大小与允许的最高结温、环境温度、BJT的散热方式有关。P_CM = i_C * v_CE 。功率极限损耗线如下：
• 反向击穿电压
  • V_(BR)EBO
  • V_(BR)EBO是集电极开路时，发射极-基极间的反向击穿电压。在正常放大状态下，发射结时正偏的。在某些场合，如工作在大信号或者开关状态时，发射结上有可能出现较大的反向电压，要考虑发射结反向击穿电压的大小。小功率管的V_(BR)EBO一般为几伏。
  • V_(BR)CBO
  • V_(BR)CBO是指发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，它决定于集电结的雪崩击穿电压，其数值较高，通常为几十伏，有些BJT可达几百伏。
  • V_(BR)CEO
  • V_(BR)CEO是指基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压。这个电压的大小与BJT的穿透电流I_CEO直接相联系，当BJT的V_CE增加时，使I_CEO明显增大，导致集电结出现雪崩击穿。实际电路中，BJT的发射极-基极间常接有电阻R_b，这时，集电极-发射极间的反向击穿电压用V_(BR)CER表示。R_b=0时的反向击穿电压用V_(BR)CES表示。
  • 上述几种反向击穿电压的大小与相应的反向电流或穿透电流的大小有关，对应关系如下：$$I_{CEO}>I_{CER}>I_{CES}>I_{CBO}$$ $$V_{(BR)CEO}<V_{(BR)CER}<V_{(BR)CES}<V_{(BR)CBO}$$
  • 测量电路及特性

温度对BJT参数及特性的影响

温度对BJT参数的影响

• 对I_CBO的影响
  • I_CBO是集电结反偏，集电区和基区的少子做漂移运动形成的反向饱和电流，对温度非常敏感，没升高10℃，I_CBO约增加一倍。穿透电流I_CEO也受温度的变化而变化。
• 对β值的影响
  • 温度升高时，BJT内部载流子的扩散能力增强，使基区内载流子的复合左右减弱，因此电流放大系数β随温度的上升而增大。温度每升高1℃，β值约增大0.5%~1%。共基极电流放大系数α也受温度变化而变化。
• 对反向击穿电压V_(BR)CBO、V_(BR)CEO的影响
  • 由于BJT的集电区与基区掺杂浓度低，集电结较宽，因此集电结的反向击穿一般均为雪崩击穿。雪崩击穿电压具有正温度系数，温度每升高时， V_(BR)CBO和V_(BR)CEO都会有所提高。

温度对BJT特性曲线的影响

• 对输入特性的影响
  温度升高时，BJT共射极连接时的输入特性曲线将向左移动，这说明在i_B相同的条件下，v_BE将减小。温度每升高1℃，v_BE减小2~2.5mV。跟二极管正向导通电压随温度变化的规律一样。
• 对输出特性的影响
  温度升高时，BJT的I_CBO、I_CEO、 β值都将增大，结果导致BJT的输出特性曲线向上移动，而且各条曲线间的距离加大。