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TSMC(台湾积体电路制造公司)是全球领先的半导体制造公司之一,其金属堆叠(Metal Stack)是指在芯片制造过程中,用于连接不同层次的金属线路。金属堆叠通常由多个金属层组成,每个金属层都有特定的功能和用途。 TSMC的金属堆叠技术在芯片制造中起到了至关重要的作用。它可以实现高密度的电路布局,提供更多的连线资源,并且能够满足不同功能模块之间的互连需求。金属堆叠技术还可以提高芯片的性能和功耗效率,同时减小芯片的尺寸。 具体来说,TSMC的金属堆叠技术包括以下几个方面: 1. 多层金属:TSMC使用多层金属来实现更复杂的电路布局和更高的连线密度。每个金属层都有不同的电阻和电容特性,可以根据需要选择合适的金属层进行布线。 2. 低电阻材料:TSMC采用低电阻材料来减小金属线路的电阻,提高信号传输的速度和稳定性。 3. 低介电常数材料:TSMC使用低介电常数材料来减小金属线路之间的互电容,降低信号传输的延迟和功耗。 4. 优化的接触孔:TSMC通过优化接触孔的设计和制造工艺,提高了金属线路与晶体管之间的连接效率和可靠性。 总的来说,TSMC的金属堆叠技术在芯片制造中起到了关键的作用,它能够提供高密度的连线资源、改善芯片性能和功耗效率,并且满足不同功能模块之间的互连需求。

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