电路热设计相关概念与计算实例

沱江一苇

已于 2023-11-19 23:13:36 修改

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分类专栏：硬件基础知识文章标签：嵌入式硬件

于 2023-11-19 23:09:46 首次发布

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0. 一个问题

我们在电路设计时常用到的芯片如OPA、LDO、MOS管、PLL等在使用过程中都存在发热现象，在发热量不大的情况下，对整体电路产生的影响微乎其微，但当发热量过大时，结温过高，可能会导致电路性能下降，增加金属迁移率和退化变化，从而导致芯片加速老化、故障率升高。因此在设计电路时，我们需要提前考虑到热设计。但问题是：芯片发热量多大才算大？如何判断设计的电路板是否需要散热片等措施呢？

1. 电路板上的各种温度定义

在JEDEC标准中，与“热”相关的标准主要有两个（1）JESD51系列，包括IC等封装的“热”的大多数标准；（2）JESD15系列，对仿真用的热阻面模型进行标准化。电路板上芯片工作时的各种温度测试点如下图所示
在这里插入图片描述

1.1 环境温度TA (Ambient Temperature) :

芯片在静置状态下工作时周围的环境温度

1.2 壳体表面温度TC (Case Temperature) :

芯片在静置状态下工作时壳体表面的温度

1.3 结温TJ (Junction Temperature) :

指内部核心晶体管的温度，这个温度有个最高允许值叫最高结温Tj，如果在实际应用中结温超过了最高允许结温，可能导致芯片损坏。查阅常见芯片的数据手册可以得知，一般IC的最高结温在70℃，工业级IC可能在85℃，车规级IC的最高结温在125℃，甚至有些在150℃。

1.4 电路板温度TB (PCB Temperature) :

芯片在静置状态下工作时电路板的温度

2. 热阻相关定义

各温度点之间的热量传递系数，用热阻来表示，在JEDEC标准里，这样定义芯片封装的热性能参数

2.1 热阻（thermal resistance）:

是一个和热有关的性质，是指在有温度差的情形下，物体抵抗传热的能力，单位是℃/W，意为单位功率下的温升。在数据手册中的热阻分为热阻参数（RθJA、RθJB、RθJC）与热表征参数（φJT、φJB）两类。
早期的半导体器件通常封装在金属罐中。带引线的器件组装后立在PCB上，因此器件的热量几乎完全通过金属外壳散发到空气环境中。由于热传导路径单一，与PCB的关系较小，因此在这种应用条件下定义了热阻参数RθJA、RθJC与RθJB。如今许多新的封装类型，特别是在SMD封装中，芯片结温具有不同的热传导路径，并且与PCB设计有很大的关系，如果继续简单地用电阻参数估计结温将导致错误的结果。因此JEDEC定义了热表征参数（φJT、φJB）

2.2 RθJA — Junction-to-Ambient thermal resistance

指芯片内部的PN结在静止空气条件下对外部环境的热阻 (此外部环境在测试中不受器件自身发热影响，在实际应用中会影响，所以RθJA只用来粗略估算，可以只能用来快速估算结温。）

2.3 RθJC(top) — Junction-to-Case(top) thermal resistance

指芯片内部的PN结到外壳封装上表面的热阻，测试时其他方向不散热，只有上表面散热。

2.4 RθJC(buttom) — Junction-to-Case(top) thermal resistance

指芯片内部的PN结到外壳封装下表面的热阻，测试时其他方向不散热，只有下表面散热。

2.5 RθJB — Junction-to-PCB thermal resistance

指芯片内部的PN结到PCB(并非封装底部，而是电路板)的热阻，测试时其他方向不散热，这意味着PCB必须是器件散热的主要途径。

2.6 φJT — Junction-to-Top characterization parameter

指芯片内部的PN结到封装外表面上部中心点的热阻，可以用来较为准确地计算结温。φJT是在JEDEC标准JESD51-2A中定义的环境中所测的值，通过在特定的应用下测量设备的封装温度，如果在同样条件下测量温度特性参数，则可以估计结温度。

2.7 φJB — Junction-to-Board characterization parameter

指结到电路板PCB的热阻。
几乎所有的半导体器件都会给出RθJA与RθJC参数。但我们在一般的电路设计时还会关注能用来准确计算的φJT 。例如，下图是一款TPS7A91电源芯片的热参数指标
在这里插入图片描述

3 常用计算公式

如下图所示，热阻参数可以用来估计芯片结温，使用不同的热阻参数需要代入不同的计算公式，那么如果一个芯片给出了以下五个热阻参数，应该选择哪一个计算式更准确呢？实际上每个计算式都有适用范围（见最后一列备注）。
在这里插入图片描述

3.1 用RθJA估算

一般的电路外部环境都是空气，因此只要知道外部气温，可以很方便的估算内核温度。计算方法如下：

TJ=TA+( RθJA × PT) ，
其中PT指的是器件运行时的功率损耗，通过实测或计算求得。例如一个二极管通过了1安的电流，其在1安时的线路压降为0.7V，那么其消耗的功率为10.7=0.7W；
TA指外部环境温度，即工作时器件附近的空气温度，假设此二极管工作在30℃的户外；若其数据手册的热阻参数为RθJA=30℃/W，
则结温 TJ=TA+( RθJA × P ) =30+（300.7）=51℃，若其允许最高结温为125℃，那么完全满足要求。

但需要明确的是，RθJA的环境温度在测试中是不会受自身发热影响的，但实际应用中如果工作在空气对流不好的条件下，器件自身发热也会导致外部空气温升，此时还按照30℃的外部环境温度来估算的结果就不准确了，如果上面的二极管例子中，其最高允许结温为70℃，理论计算出是51℃，那么19℃的裕度能否包含计算误差呢？其实是很危险的，因此要根据实际工况预留相应大小的裕度。

3.2 用φJT计算

φJT 的计算方法与RθJA类似，不同的是，φJT需要在电路设计好后去实测器件封装表面中心点的温度。计算方法如下：

TJ=Tc-top+( φJT × PT ) ，Tc-top指实测封装表面中心点温度，φJT一般比较小，而RθJA一般比较大，因此相同消耗功率下，即使φJT有误差，用φJT计算出来的结果误差也会比较小。

3.3 用RθJC计算

有些器件的数据手册没有给出RθJA或φJT的值，只给了RθJC的值，因此只能用RθJC来计算结温，其计算方法与φJT一样，实测封装表面平均温度，然后用TJ=TC+( RθJC × PT ) ，TC指封装表面平均温度，仅仅用作粗浅的估算。如果使用散热器，应该用另一个公式计算，如下表里θJC这一列所示

在这里插入图片描述
因此，具体计算方法要根据现有参数和需求选择，一般可以先用RθJA估算，然后电路板做好后再φJT用实测计算更为准确。如果使用散热器，则使用RθJC计算式。

3.4 测温方法

上述两种计算方法都提到了要测器件表面的温度，如何能准确测得芯片实际温度呢？推荐用热电偶来测温度，如果没有这个条件，在一般的应用电路中，也可以用测温枪代替。使用RθJC参数的难点在于如何准确测量与散热器相连的封装的表面温度。测量外壳温度可以使用(按精度顺序)红外相机，荧光光学探头，热电偶或红外枪 (按精度顺序)。

4. 实际案例

4.1 下图是运算放大器OPA827的运用电路，在室温下正常工作时会升温多少度？

在这里插入图片描述
如下图所示，是OPA827的相关参数

计划采用TJ=TA+( RθJA × PT) 公式进行估算TJ，则
（1）运放的功耗（PT值）计算
运放的功耗计算，分为两部分，一部分是本身静态功率PQ(quiescent power)，一部分是负载导致的运放自身损耗PD(power dissipation-dc load)
a. PQ的计算
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b. PD的计算
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c. 总功耗的计算

（2）结温的计算（非散热片的热阻模型）
在这里插入图片描述

总结以下，整个计算过程为
在这里插入图片描述

4.2 下面电路采用自然冷却方式是否合适，如果加散热片需要如何选型？

电路：一功率运算放大器PA02用作低频功放，元器件为8引脚TO-3金属外壳封装，元器件工作电压Us=18V, 负载阻抗RL=4Ω，直流条件下工作频率为5kHz，环境温度为40℃。
分析：
首先用TJ=TA+( RθJA × PT) 估算自然冷却散热是否合适，如果需要散热片设计，则需要根据TJ=( RθJC+RθCH+RθHA ) × PT + TA去计算
计算过程，查PA02元器件资料，相关参数如下表所示
在这里插入图片描述
运放的功耗PD估计，同例4-1计算过程，则由

如果没有散热片的话，根据TJ=TA+( RθJA × PT)，当环境温度TA=40℃，RθJA=30℃/W，PT=21.69W带入计算式后，TJ值远远大于125℃。因此采用自然冷却的方式不合适，需要采用散热片设计。
当采用散热片设计时，根据公式TJ=( RθJC+RθCH+RθHA ) × PT + TA
在这里插入图片描述
查阅散热器技术手册，应该选择热阻不大于1.119℃/W的规则既可以满足该电路的使用要求。