公司宣布快速充电应用的生产里程碑
GaN 公司 Navitas Semiconductor 宣布了业界首创的出货量 5000 万件的成就 - 与 GaN 相关的现场故障报告为零。为庆祝,Navitas GaN 晶圆被赠送给快速充电的先驱 Vivo。
作为 Navitas GaNSense 技术的早期采用者,Vivo 首次推出了 120W 内置超快速充电器,随附其最新的旗舰手机型号之一,仅需 19 分钟即可实现 0-100% 的充电速度。然后,它交付了一个双 USB-C、80W GaN 充电器,随 Vivo 首款 8 英寸屏幕可折叠手机一起提供,支持同时为两台设备快速充电。它的功率密度为 1 W/cc,只需 17 分钟即可从 0% 快速充电至 50%。
“与纳微的合作开启了vivo的新纪元,开启了vivo手机充电速度的历史性升级,”vivo高级副总裁兼首席技术官石玉健表示,“用户可以在我们的新旗舰上体验超快、超便携的充电体验。” “感谢 Navitas 的 GaNFast 功率 IC。我们很高兴与 Navitas 合作,为我们的客户利用 GaN 技术——包括 GaN 的环境效益。”
“就 GaN 相对于传统硅芯片的市场采用而言,我们已经从“如果”和“何时?” “现在!”,Navitas 联合创始人兼首席执行官 Gene Sheridan 说。 “Vivo 是快速充电领域的先驱,我们很高兴将 50M 奖授予 Vivo,以表彰他们的合作伙伴关系和远见卓识。在我们的大功率扩展市场(包括数据中心、太阳能和电动汽车应用)中,客户可以看到同样的开拓精神。出货量超过 5000 万件,每件可减少 4 公斤的二氧化碳排放,客户采用 GaN 的速度越快,对我们的环境就越有利。到 2050 年,GaN 每年可以节省多达 2.6 吨二氧化碳。”