剑桥GaN与台湾工研院缔结合作之约，携手共筑USB-PD适配器新篇章

剑桥GaN与台湾工研院签署协议
USB-PD适配器超过30瓦/立方英寸，用于电动交通、工具、笔记本电脑和手机，是第一个目标
剑桥GaN器件公司（CGD）与台湾工业技术研究院（ITRI）签署了一份谅解备忘录，以巩固双方在开发用于USB-PD适配器的高性能GaN解决方案方面的合作伙伴关系。该谅解备忘录还涉及共享国内和国际市场信息、联合拜访潜在客户和推广。
GGD首席商务官安德烈·布里科尼评论道：“我们很高兴能与ITRI合作，ITRI是一个拥有电力解决方案研究团队的组织，在开发电力解决方案方面经验丰富，拥有许多专利。我们将在6月份纽伦堡举行的PCIM展会上展示他们的一些电路板设计。这些产品利用CGD独特的IC芯片架构和ITRI的专利设计，实现了产品尺寸的减小、高效率和功率密度以及成本竞争力。”
GEL/ITRI商业电源设计团队负责人Wen-Tien Tsai表示：“CGD的IC增强型GaN – ICeGaN – 是一个新颖的平台，可提高易用性，促进智能温度控制并提高栅极可靠性。我们很高兴将这些优势纳入我们的新电源设计中。”
根据世界银行集团分析师、Yole集团的数据，氮化镓市场预计将超过10亿美元，主要增长点在于通信电源、汽车DC/DC转换器和车载充电器的应用。然而，市场上第一个采用氮化镓设备的商业化产品是USB-PD适配器，而该合作的首批设计将针对这个市场。具体而言，该协议涵盖了140-240瓦范围内的电源解决方案的开发，其功率密度超过30瓦/立方英寸，适用于电动交通、电动工具、笔记本电脑和手机应用。