1.5 二极管 Diode

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1 二极管是什么？

二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。
PN 结型二极管：
PN 结的形成：在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。
在PN结两端引出电极就构成了二极管。二极管加正向电压时，PN结变窄，正向电流大，正向电阻较小，处于导通状态。二极管加反向电压时，PN结变宽，反向电流小，反向电阻大，处于截止状态。

肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)：
肖特基二极管是由N型半导体(负极)和金属(正极)接触，利用接触面上形成的肖特基势垒构成的二极管。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管。
由于肖特基二极管只用电子做载流子，不存在电荷储存问题，使开关特性获得显著改善。同时肖特基二极管的正向压降较低，反向耐压值也较低，因此适宜在低电压、高频率情况下工作。利用这些特点，能提高低压、大电流、高频电路的整流效率 。
优点：开关频率高和正向压降低。
缺点：反向偏压较低及反向漏电流偏大。(大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围)

大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。
差异:二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。二极管具有电流方向性,而半导体无论那个方向都能流动电流。

2 有哪些参数？

二极管的主要参数:(四电流: IF, IR, IBR, IPP 四电压:VF, VR, VBR, VC)（从大到小排序）

2.1 开启电压Uon与导通电压VF

二极管外加正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.5V(对于硅材料是0.5V，锗材料是0.1V)时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压，也叫死区电压；

硅材料，当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压(也是正向导通压降)，器件规格书一般用正向电压VF表示。其实0.6-0.8的范围只是一个较常见的范围，理想器件通常会用0.7V来估算，有些资料范围是写0.5-1.2的。所以这个值还是需要参考规格书提供的，而且VF跟IF是正相关的。
区别：开启电压是小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。

2.2 最大正向整流电流IF

最大整流电流IF:长期运行时允许通过的最大正向平均电流.注意是平均电流. 有些规格书如下也用IO表示；而IFM则是正向最大电流，也就是短时间允许工作的最大电流；而IFSM则是浪涌电流，脉冲时间宽度越长，电流越小，如1000ms的脉冲宽度，电流为0.5A（图片曲线是0.6A）。

正向电压VF：以IF电流为测试条件得到此时的正向电压降. datasheet经常是给个最大值。
(datasheet通常是用一个正向电流IF来测试这个正向压降VF，这个电流通常就是用最大正向平均电流，两者之间如下图的曲线对应关系，VF不仅跟IF有关成正比，还跟TJ有关成反比。)

2.3 最高反向工作电压VR(VRWM)，反向击穿电压VBR，反向电流IR

最高反向工作电压VR(VRWM):工作时允许外加的最大反向电压，有DC标注，超过此值时，二极管可能因反向击穿而损坏。通常取反向击穿电压(VBR)的一半作为(VR)。

击穿电压VB(VBR):指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向电压超过该值时，电流开始急剧增大，二极管反向击穿。反向击穿电流为(IBR)/IT:通常会以一个反向的脉冲/击穿电流如1mA来测试击穿电压。

最大反向泄露电流IR:二极管在最高反向工作电压VR下允许流过的反向泄露电流，IR越小，二极管的单向导电性越好，通常为uA级。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。所以该项特性需要关注它的温度曲线。例如一只肖特基二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到85℃时，反向电流约300uA，125℃时，反向电流高达2500uA。

二极管外加反向电压（小于VRWM），当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流(漏电流)，最大值为IR。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号VBR表示。不同型号的二极管的击穿电压VBR值差别很大，从几十伏到几千伏。
只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的，反向电阻如果很大这就说明这个二极管是好的。通过测量电阻,我们也可以判断出它的正负极。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。

2.4 最大反向可重复峰值电压VRRM(比较少关注)

上图中的VRM就是最大反向可重复峰值电压，在其他资料通常用VRRM表示。
关于VRRM,VRWM,VRSM的联系与区别
原文第1,3点等同于。。。这几句中文应该是别人添加上的，我觉得理解有问题，做了修改如下。
名称后缀的M应该是表示最大的意思。
VRRM-- -反向可重复峰值电压(反向浪涌电压,repetitive peak reverse voltage): 峰值反向电压，包括所有重复的瞬态电压，但不包括所有非重复的瞬态电压。等同于VRM. (这句话我觉得原文搞错了位置，移到这里来)。
VRWM—反向工作峰值电压(working peak reverse voltage): 峰值反向电压，不包括所有瞬态电压。等同于VDC,也等同于VR.(这句话我觉得原文搞错了位置，移到这里来，有些资料VRM跟VR一致，有些则不一致) 。
VRSM-- -反向非重复峰值电压(nonrepetitive peak reverse voltage): 峰值反向电压，包括所有非重复瞬态电压，但不包括所有重复瞬态电压。
下面这个图就很好表示了这几个的意思。

2.5 钳位电压Vc与最大反向峰值脉冲电流(IPP)

钳位电压(限制电压)Vc: 钳位电压是指限制电压。这个限制的对象，可以是需要过压保护的对象，譬如开关电源中的MOS管，需要一个钳位网络来限制D、S极间电压，保护MOS不被损坏。最大反向峰值脉冲电流(IPP)：处于钳位电压时的电流。
这两个参数是TVS管/ESD管独有的参数。普通二极管没有。

2.6 最高工作频率FM和反向恢复时间Trr

最高工作频率FM:工作的上限频率。超过此值时，由于结电容的作用，二极管将不能很好地体现单向导电性。
反向恢复时间Trr：二极管加反向电压由正向导电到反向截止需要的时间为反向恢复时间Trr。

2.7 功耗

峰值功耗(Ppk): 一般是稳压管、TVS管跟ESD管这种反向工作的二极管才比较关注该参数，该参数决定了这个二极管是否会损坏。
对于开关二级管，我们会关注它的功率损耗，虽然一般也比较小，这个是200mW，这个我理解就是最大功率损耗，如果用下面的均值电流来计算的话就是1001.2=120mW；而用峰值电流计算的话就是2251.2=270mW>200mW，这个时候应该是会损坏二极管的，同时也说明不允许长期工作电流大于100mA。
这个功耗损耗还跟环境温度相关，如下图降额曲线，环境温度越高，可承受的功率损耗会越小。

3 作用是什么？

根据其不同用途，可分为开关二极管、检波二极管、整流二极管、稳压二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管.
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

3.1 电源输入反向保护

在我们的产品中，该二极管(S3G)用于反压保护电路，如下电路，当电源接入正压12V时，二极管截止，由于反向电流小，所以基本不会影响静态电流。当接入反压-12V时，二极管正向导通并钳位，大电流流过使保险丝熔断，电路被切断达到保护目的。查明原因后更换保险丝可恢复。

3.2 电路开关作用–开关二极管

开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短。
开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。
开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅电压开关二极管等多种。

3.3 LED显示作用–发光二极管

发光二极管正向管压降（导通电压）会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0–2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。

3.4 整流作用–整流二极管

一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
开关电源中的整流二极管必须具有正向压降低、快速恢复的特点，还应具有足够大的输出功率，可以采用以下三种类型的整流二极管：快速恢复整流二极管;超快速恢复整流二极管;肖特基整流二极管。

3.5 限幅作用–限幅二极管

用来做限幅用的二极管称为限幅二极管。所谓限幅，就是将信号的幅值限制在所需要的范围之内。由于通常所需要限幅的电路多为高频脉冲电路、高频载波电路、中高频信号放大电路、高频调制电路等。故要求限幅二极管具有较陡直的U-I特性，使之具有良好的开关性能。有一些需要较大幅值限幅或既需要限幅又需要温度自动补偿的特定电路，稳压二极管作为限幅二极管将会成为唯一正确的选择。

下图所示的限幅电路中，因二极管是串在输入、输出之间，故称它为串联限幅电路。图中，若二极管具有理想的开关特性，那么，当ui低于E时，D不导通，uO＝E；当ui高于E以后，D导通，uO＝ui。该限幅器的限幅特性如图2所示，当输入振幅大于E的正弦波时，输出电压波形见图3。可见，该电路将输出信号的下限电平限定在某一固定值E上，所以称这种限幅器为下限幅器。如将图中二极管极性对调，则得到将输出信号上限电平限定在某一数值上的上限幅器。

如将二极管和负载并联，则组成并联限幅器，见图4。图中，当ui高于E时，D导通，uOs＝E；当ui低于E时，D截止，uO＝ui。它的限幅特性如图5所示。显然，这是一个上限幅器。
将上、下限幅器组合在一起，就组成了如图6所示的双向限幅电路，它的限幅特性如图7所示。当输入一个振幅较大的正弦信号时，输出波形见图8。

3.6 检波作用–检波二极管

检波二极管是用于把叠加在高频载波上的低频信号检出来的器件，广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。
检波二极管具有结电容低，工作频率高和反向电流小等特点，传统上用于调幅信号检波。调幅信号是一个高频信号承载一个低频信号，调幅信号的波包(envelope)即为基带低频信号。如在每个信号周期取平均值，其恒为零。
若将调幅信号通过检波二极管，由于检波二极管的单向导电特性，调幅信号的负向部分被截去，仅留下其正向部分，此时如在每个信号周期取平均值（低通滤波），所得为调幅信号的波包(envelope)即为基带低频信号，实现了解调（检波）功能。
检波（detection） 广义的检波通常称为解调，是调制的逆过程，即从已调波提取调制信号的过程。对调幅波是从它的振幅变化提取调制信号的过程；对调频波，是从它的频率变化提取调制信号的过程；对调相波，是从它的相位变化提取调制信号的过程。
　　狭义的检波是指从调幅波的包络提取调制信号的过程。，有时把这种检波称为包络检波或幅度检波。
二极管检波原理:调幅波信号是二极管检波电路的输入，二极管只允许单向导电，，使用的是硅管，则只有电压高于0.7V的部分通过二极管。二极管的输出端连接了一个电容，电容与电阻配合对二极管输出中的高频信号对地短路，使得输出信号基本上信号包络线。电容和电阻构成的这种电路功能叫做滤波。
虽然检波和整流的原理是一样的，而整流的目的只是为了得到直流电，而检波则是从被调制波中取出信号成分（包络线）。检波电路和半波整流线路 完全相同。
如图所示是二极管检波电路。电路中的VD1是检波二极管，C1是高频滤波电容，R1是检波电路的负载电阻，C2是耦合电容。

检波电路主要由检波二极管VD1构成。
　　在检波电路中，调幅信号加到检波二极管的正极，这时的检波二极管工作原理与整流电路中的整流二极管工作原理基本一样，利用信号的幅度使检波二极管导通，如图所示是调幅波形展开后的示意图。

从展开后的调幅信号波形中可以看出，它是一个交流信号，只是信号的幅度在变化。这一信号加到检波二极管正极，正半周信号使二极管导通，负半周信号使二极管截止，这样相当于整流电路工作一样，在检波二极管负载电阻R1上得到正半周信号的包络，即信号的虚线部分，见图中检波电路输出信号波形（不加高频滤波电容时的输出信号波形）。
　　检波电路输出信号由音频信号、直流成分和高频载波信号三种信号成分组成，详细的电路分析需要根据三种信号情况进行展开。这三种信号中，最重要的是音频信号处理电路的分析和工作原理的理解。

3.7 稳压作用–稳压二极管Zener

稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区(图中红线)中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。

稳压管属于二极管的一种，它比较特殊，基本结构与普通二极管一样，也有一个PN结。由于制造工艺的不同，当这种PN结处于反向击穿状态时，PN结不会损坏（普通二极管的PN结是会损坏），在稳压二极管用来稳定电压时就是利用它的这一击穿特性。一般二极管反向电压超过其反向耐压值时会被击穿而损坏，但是稳压二极管在承受反向电压达到稳压值时,反向电流急剧增大。只要反向电流值不超过允许的最大电流,就可以正常工作，它的反向伏安特性曲线较陡、线性度很好。广泛用在稳压电源、电子点火器、直流电平平移、限幅电路、过压保护电路、补偿电路等当中。

稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。

主要参数：
1.Uz— 稳定电压
指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变(小范围波动)。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。
2.Iz— 额定电流
指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。
3.Rz— 动态电阻
指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作电流为 5mA时，Rz为18Ω;工作电流为10mA时，Rz为8Ω;为20mA时，Rz为2Ω ; > 20mA则基本维持此数值。
4.Pz— 额定功耗
由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mW。
5. α—温度系数
如果稳压管的温度变化，它的稳定电压也会发生微小变化，温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数（单位：﹪/℃）。一般说来稳压值低于6V属于齐纳击穿，温度系数是负的；高于6V的属雪崩击穿，温度系数是正的。温度升高时，耗尽层减小，耗尽层中，原子的价电子上升到较高的能量，较小的电场强度就可以把价电子从原子中激发出来产生齐纳击穿，因此它的温度系数是负的。雪崩击穿发生在耗尽层较宽电场强度较低时，温度增加使晶格原子振动幅度加大，阻碍了载流子的运动。这种情况下，只有增加反向电压，才能发生雪崩击穿，因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。这就是为什么稳压值为15V的稳压管其稳压值随温度逐渐增大的，而稳压值为5V的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。例如2CW58稳压管的温度系数是+0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。
对电源要求比较高的场合，可以用两个温度系数相反的稳压管串联起来作为补偿。由于相互补偿，温度系数大大减小，可使温度系数达到0.0005%/℃。
6.IR— 反向漏电流
指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时，IR=0.1uA;
在VR=6V时，IR=10uA。(2CW58的稳压范围是9.2-10.5，也就是 VR=1/6V这两个值时，二极管还没达到反向击穿状态的，此时的电流为漏电流，电压与电流成正比)

稳压二极管datasheet里面的Izt和Izk是什么意思？
教你读稳压二极管的规格书

IR:在反向压降VR不足时的漏流,此时尚未进入稳压区域
Izk:膝点(knee-point)电流,即拐点电流,也即稳压的最小电流Izmin
Izt:典型值(type)工作电流,在典型值电流处工作,稳压结果刚好是典型值电压(也就是标称稳定电压)
Izm:最大(max)工作电流,也就是Izmax,超过该电流,管子即有烧毁危险

3.8 静电保护–静电保护二极管ESD

主要参数：可承受的反向电压Vrwm，脉冲峰值功率Ppp，脉冲峰值电流Ipp，二极管电容Cd，静电放电容量ESD，反向漏电流Irm。
电子元器件根据作用的不同分为功能器件和防护器件，而防护器件也根据防护性质的不同分为防雷、防静电、过压、过流等防护器件。可能有人会问，什么是ESD放电二极管，ESD放电二极管和ESD静电二极管有什么分别？实质上ESD放电管就是我们常说的ESD静电二极管，只是称呼上的区别而已。
ESD放电二级管是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。ESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。对静电放电的电磁场效应如电磁干扰（EMI）及电磁兼容性（EMC）问题越来越重视。
ESD放电二极管的工作原理是将ESD放电二极管并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态（高阻态），不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径,同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护IC或线路；当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。
跟TVS管的区别：
原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样. 像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1–3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高.
他们应用的场合不同,TVS一般用于处级和次级保护,而ESD主要用于板级保护．
不可以完全代替，TVS管保护是靠击穿，击穿后相当于短路，一般承受电流能力大；ESD是电容放电加钳位，过电流能力不强。
防静电，防浪涌是两个方向 ，ESD电流小，电压高，TVS电流大，电压小。
采用TVS二极管防止ESD的典型应用

3.9 瞬态电压抑制–瞬态电压抑制二极管TVS

TVS（TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR）或称瞬态电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度（最高达1*10-12秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流(吸收高达数千瓦的浪涌功率)，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。 TVS的反应速度比RC回路快10E-12s,可不用考虑TVS的击穿电压VBR(VB),反向临界电压VRWM(VR),最大峰值脉冲电流IPP和最大箝位电压VC及峰值脉冲功率PP(PM). 选择VRWM等于或大于电路工作电压,VC为小于保护器件的耐压值, (IPP)能测量最好,或估计出脉冲的功率,选功率较大的TVS.

TVS管和稳压管一样，也是反向应用的。其中VR称为最大转折电压，是反向击穿之前的临界电压。VB是击穿电压，其对应的反向电流IT一般取值为1 mA。VC是最大箝位电压，当TVS管中流过的峰值电流为IPP的大电流时，管子两端电压就不再上升了。因此TVS管能够始终把被保护的器件或设备的端口电压限制在VB～VC的有效区内。与稳压管不同的是，IPP的数值可达数百安培，而箝位响应时间仅为1×10-12s。TVS的最大允许脉冲功率为PM=VC*IPP，且在给定最大钳位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大。电子系统的应用当中，电压及电流的瞬态干扰会经常造成电子设备的损坏，瞬态干扰的显著特点是作用时间极短，但电压幅度高、瞬态能量大，所以破坏性很大。
(所以TVS管主要就是用来吸收浪涌的，而且时间很快，所以叫瞬态抑制)
作为二者的共同点，它们都可以用来稳压，并且都工作在反向截止状态下，其正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的PN结雪崩器件。但是TVS管击穿电流IT更小，大于10V的稳压只有1mA，相对来说齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。而且TVS管强调的是瞬态响应，所以其时间参数就很重要了，也就是说稳压二极管的响应时间通常要比TVS管的慢。同时TVS管的功率较大，而稳压管的功率较小。其次，从概念上理解，TVS管主要是防止瞬间大电压的影响，最终可以达到稳压的目的，这与稳压管的作用是有区别的。
浪涌（electrical surge），顾名思义就是瞬间出现超出稳定值的峰值，它包括浪涌电压和浪涌电流。
浪涌也叫突波，顾名思义就是超出正常工作电压的瞬间过电压。本质上讲，浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲。可能引起浪涌的原因有：重型设备、短路、电源切换或大型发动机。而含有浪涌阻绝装置的产品可以有效地吸收突发的巨大能量，以保护连接设备免于受损。
供电系统浪涌的来源分为外部（雷电原因）和内部（电气设备启停和故障等）。
TVS管由于它具有响应时间快、瞬态功率大、电容低、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小、易于安装等优点，目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、消费类电子、电源、家用电器等各个领域.


将TVS二极管加在信号及电源线上，能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲，如静电放电效应、交流电源的浪涌电流及开关电源的噪音所导致的失灵； 静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲，并能持续10ms；而一般的TTL器件，遇到超过30ms的10V脉冲时，便会导致损坏。利用TVS二极管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲，并能消除由总线之间开关所引起的干扰（Crosstalk）； 将TVS二极管放置在信号线及接地间，能避免数据及控制总线受到不必要的噪音影响。

在瞬态峰值脉冲电流作用下，流过TVS的电流，由原来的反向漏电流IR上升到IT时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VRWM上升到击穿电压VBR，TVS被击穿。随着峰值脉冲电流的出现，流过TVS的电流达到峰值脉冲电流IPP。在其两极的电压被箝位到预定的最大箝位电压以下。尔后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS两极的电压也不断下降，最后恢复到起始状态。这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的整个过程。
TVS瞬变电压抑制二极管的特性参数：
最大反向漏电流IR和额定反向关断电压VRWM。VRWM是TVS最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流IR。
最小击穿电压VBR和击穿电流IT。VBR是TVS最小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS是不导通的。当TVS 流过规定的1mA电流(通常是1mA~10mA)（IT）时，加入TVS两极间的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把TVS分为±5%VBR和±10% VBR两种。对于±5%VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10% VBR来说，VWM=0.81 VBR。
最大箝位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。当持续时间为20微秒的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两极间出现的最大峰值电压为VC。它是串联电阻上和因温度系数两者电压上升的组合。VC 、IPP反映了TVS器件的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。
电容量C 是TVS雪崩结截面决定的、在特定的1MHZ频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C过大将使信号衰减。因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。
最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲耗散功率。在给定的最大箝位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM下，箝位电压VC越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01%，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的“累积”，有可能使TVS损坏。

TVS器件可以按极性分为单极性和双极性两种，按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的专用型器件。如：各种交流电压保护器、4~200mA电流环保器、数据线保护器、同轴电缆保护器、电话机保护器等。若按封装及内部结构可分为：轴向引线二极管、双列直插TVS阵列（适用多线保护）、贴片式、组件式和大功率模块式等。
TVS瞬变电压抑制二极管的选用技巧（选用方法）：
确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
TVS额定反向关断VRWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VRWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。
TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
在规定的脉冲持续时间内，TVS的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。
根据用途选用TVS的极性及封装结构。交流电路选用双极性TVS较为合理；多线保护选用TVS阵列更为有利。
温度考虑。瞬态电压抑制器可以在－55~+150℃之间工作。如果需要TVS在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流IR是随增加而增大；功耗随TVS结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。

4 应用注意事项

反向电流的案例
USB5V是插USB时候供电的，不插USB时，由外部12V供电，⼯作过程如下，插⼊USB后，3904三极管导通，给CPU⼀个低电平中断，让CPU做出相应的动作，后来在不插⼊USB时，发现⼀接上到3V的电压，CPU就能检测到USB的低电平中断，从⽽产⽣误动作，之前R13贴的是47K，后来发现了这个现象，确定是⼆极管反向漏电流通过R13这个47K电阻，产⽣的电压，导致三极管导通，后来测量，三极管基极确实有0.68V的电压。

5 参考链接

防护器件(GDT TSS TVS)

瞬变干扰吸收器件讲解（三）——TVS管与TSS管

TVS管应该如何选型？

稳压二极管和TVS管知识点总结

最详细的二极管基础

TVS防护电路的典型应用