VLSI数字集成电路设计——MOS结构

最新推荐文章于 2022-07-15 01:15:55 发布
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分类专栏： ic 笔记 vlsi
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草芥小白
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VLSI数字集成电路设计——组合逻辑门（下）
qq_29768741的博客
05-31 4616
5.逻辑门的功耗 降低 开关活动性的设计技术和改进逻辑电路的方法 1.逻辑重组 F = ABCD， ABCD有相同的概率 对于随机输入，链形实现比树形实现有低的活动性 ==2. 输入排序 == 大概率改变的输入，放到后面 ==3. 分时复用资源 == 分时复用单个硬件资源（如一个逻辑单元或者总线）来完成多个任务是常见的使面积最小的方法，但不一定是功耗最小，因为如果A经常是1，B总是0，那ABAB切换来切换去就消耗能量 4. 通过均衡信号减少毛刺 由于信号到达时间不一，产生毛刺 6.有比逻辑 ——
VLSI数字集成电路设计——互联问题
qq_29768741的博客
06-05 683
串扰：由相邻的信号线与电路节点之间不希望有的耦合引起的干扰，称为串扰（cross talk） 串扰对电路的影响可以看作两个部分：1. 电容的可靠性——正确性 2. 性能的影响——延迟增大 1. 电容的可靠性 CXY是寄生电容，X处电压发生变化，导致CY有一个变化。 对串扰特别敏感的电路是：位于全摆幅导线（ΔVx = VDD）附近的具有低摆幅预充电节点的电路。 例如：动态存储器，低摆幅片上总线以及某些动态逻辑。————需要电平恢复器 2. 电路性能的影响 Y处的负载电容与其相邻的两个导线信号变化情况有关
Verilog数字VLSI设计教程
11-10
这个资料是进行芯片设计所用编程语言verilog学习非常好的一本书，希望对大家有帮助。
数字集成电路：MOS管器件章（一）
weixin_43370732的博客
07-15 2394
本节以伯克利开源课程EE141的材料为基础，尽量用形象的语言和描述来描述一个底层MOS管的工作原理，而非简单的罗列公式，希望能够帮助大家温故知新。
CMOS VLSI设计原理和系统展望.pdf
08-22
第一章 CMOS电路基础知识 第二章 MOS管理论 第三章 CMOS工艺技术 第四章 电路特性和性能估计 第五章 CMOS电路和逻辑设计 第六章 结构化设计和测试 第七章 符号法版图设计系统 第八章 CMOS子系统设计 第九章 系统实例研究 附录 CMOS和uMOS倒相器噪声容限的计算
VLSI数字集成电路设计——CMOS
qq_29768741的博客
05-29 2566
1. 开关阈值 对于长沟道晶体管器件：
VLSI数字集成电路设计——时序电路
qq_29768741的博客
06-04 6203
静态存储器和动态存储器 静态：1. 只要接通电源，存储状态就会一直被保存，基于正反馈或再生原理 2. 一个电路的输出连到输入 3. 寄存器较长时间不被更新的时候最有用 动态：1. 存储时间很短，也许只有几毫秒，通过寄生电容暂时存储 2. 较高的性能和低的功耗 1. 静态锁存器和寄存器 1. 双稳态原理 ...
清华大学VLSI设计导论：逻辑设计技术解析
清华大学的这个VLSI设计导论课程的第四章深入浅出地讲解了逻辑设计中的关键概念——MOS管的串并联特性，为学生提供了坚实的理论基础，也为实际工程问题的解决提供了指导。学习这部分内容不仅能够帮助学生掌握基本的...
数字vlsi芯片设计_电子系统的设计方法概述
weixin_39707725的博客
12-03 677
电子系统的设计方法概述传统的电子系统设计一般是采用搭积木式的方法进行，即由器件搭成电路板，由电路板搭成电子系统。系统常用的“积木块”是固定功能的标准集成电路，如 运算放大器、74/54系列(TTL)、4000/4500系列(CMOS)芯片和一些固定功能的大规模集成电路。设计者根据需要选择合适的器件，由器件组成电路板，最后完成系统设计。传统的电子系统设计只能对电路板进行设计，通过设计电路板...
用于VLSI模拟的小尺寸MOS模型：理论与实践
01-27
《用于VLSI模拟的小尺寸MOS模型：理论与实践_MOSFET MODELS FOR VLSI CIRCUIT SIMULATON ：Theory and Practice》_艾罗拉著&张兴等译_1999_科学出版社 本书介绍了超大规模集成电路模拟中小尺寸MOS器件模型及模型参数的提取，书中从基本半导体器件物理和pn结理论入手，顺序介绍了MOS电容理论，不同的MOSFET模型（直流模型、动态模型、热载流子效应模型等），以及工业上通用的标准电路模拟软件——伯克利SPICE中采用的二极管模型和MOSFET模型，同时还讨论了数据测量、模型参数提取，以及由工艺引起的模型参数统计变化。 本书可供从事MOSFET器件模型、模拟和ICCAD研究的科技工作者，以及大学微电子专业的教师及高年级学生阅读参考。
VLSI系统设计--何时和如何设计超大规模集成电路
07-26
VLSI系统设计--何时和如何设计超大规模集成电路
用于VIS模拟器的小尺寸MOS器件模型
04-09
经典教材： 用于VIS模拟器的小尺寸MOS器件模型
MOS器件的物理基础
03-22
MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础
MOS管的工作原理以及设计理念
qq_36625174的博客
07-07 1万+
MOS原理与参数计算依据
VerilogHDL(1)数字集成电路设计方法概述
Dextrad_ihacker的博客
12-20 2059
一.数字集成电路设计方法概述2.什么是硬件描述语言，其主要的作用是什么？ 硬件描述语言是一种用形式化方式来描述数字电路和系统的语言。 它的主要作用是：数字电路系统的设计者利用这种语言可以从上层到下层（从抽象到具体）逐步描述自己的设计思想，用一系列分层次的模块来表示极其复杂的数字系统。 3.目前世界上符合IEEE标准的硬件描述语言有哪两种？它们各有什么特点？ 符合IEEE标准的硬件描述语
计算机系统结构研究分支,集成电路设计、VLSI、SoC、FPGA 等的区别？ 计算机系统结构 的研究分支？...
weixin_36289211的博客
07-21 1033
梦heart儿的回答1、包含范围不同总体来说，集成电路设计的范围较为广泛，包含了各种电路设计，而其他的则被包含在里面。集成电路设计是指以集成电路、超大规模集成电路为目标的设计流程。集成电路设计涉及对电子器件、器件间互连线模型的建立。所有的器件和互连线都需安置在一块半导体衬底材料之上，这些组件通过半导体器件制造工艺(例如光刻等)安置在单一的硅衬底上，从而形成电路。2、各自所指的电路不同VLSI是超大...
VLSI 基础知识梳理
lweiheng blog
03-09 4261
超大规模集成电路基础知识梳理，从半导体到CMOS
MOS晶体管原理与特性
热门推荐
qq_43587345的博客
04-19 1万+
MOS晶体管原理与特性一、工作区域二、长沟道晶体管的I-V特性I-V特性表达式为I-V特性表现图为三、非理想晶体管的I-V效应四、晶体管的C-V特性栅电容Cg覆盖电容Cgol扩散电容Csb、Cdb 一、工作区域 MOS管有三种状态工作区域： 截止区 线性区 饱和区 以nMOS管为例：(Vgs为栅极与源级间的电压，Vt为截止电压，Vgd为栅极与漏级间的电压，Vds为源级与漏级间的电压)   如果Vgs<Vt时，晶体管为截止区；   如果Vgs>Vt时，晶体管为导通，并Vds较小，晶体管处于线
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