VLSI数字集成电路设计——CMOS

1. 开关阈值

对于长沟道晶体管器件：

2. 噪声容限

对VTC进行线性近似，过渡区看作直线，增益为在开关阈值Vm处的增益



——器件参数变化对门的阈值影响很小
——对于固定的晶体管尺寸比，Vm近似正比于Vdd，但太低的电压对性能有影响

3. 动态特性 —— 电容

使CL尽可能小是实现高性能CMOS电路的关键 ：

1. 珊漏电容Cgd12 —— 覆盖电容
   
2. 扩散电容Cdb1 Cdb2
3. 连线电容 Cw
4. 扇出的栅电容Cg3 Cg4
   
   

4. 动态特性 —— 传播延时

τ = RC为电路的时间常数，到达50%的时间是** t = ln(2)τ = 0.69τ **，10%到90%的为 t = ln(9)τ = 2.2τ

通过使Rn = Rp，来让上升下降传播延时相同。W/L可以控制R

分析：
通过把tp展开，得到：



延时对于大的Vdd不敏感，但当Vdd接近2Vt的时候看到延时开始迅速增加

5. 传播时延优化分析

由上图可以得知，减少CL、增大W/L、提高VDD为优化时延的方法，下面进行分析

1. NMOS和PMOS之间尺寸的比

PMOS的尺寸增加因充电电流改善了tLH，但是因为电容变大影响了tHL

2.考虑反向器尺寸

反向器也就是buffer由两个延迟决定，一个是本征Cint，一个是外部Cext

当反向器变化尺寸系数S的时候

3. 考虑整体 —— 反向器链
虽然S变大有助于减少单个反向器的时延，但是S会增大输入电容
输入栅电容Cg与本征输出电容Cint之间的关系为：


等效扇出：





有长连线的时候：
Cint和Cfan分别为本征电容和扇出电容

6. 动态功耗

对CMOS电路功耗起支配作用的是 由充电放电电容引起的动态功耗


EVDD为电源功耗，EC为电容功耗

同时还有直流通路引起的功耗为：