CY7C1049DV33

这份文件是Cypress Semiconductor Corporation关于4-Mbit（512K x 8位）静态随机存取存储器（Static RAM，简称SRAM）CY7C1049DV33的数据手册。以下是对文档内容的翻译和详细分析：

特性（Features）

- 与CY7C1049CV33引脚和功能兼容。
- 高速访问时间，tAA = 10纳秒。
- 低功耗，工业级条件下ICC（连续电流）= 90 mA @ 10 ns。
- 低CMOS待机功耗，ISB2 = 10 mA。
- 数据保持电压为2.0V。
- 当未选中时自动降低功耗。
- TTL兼容的输入输出。
- 通过CE（片选）和OE（输出使能）功能轻松扩展内存。
- 采用无铅36引脚（400-mil）Molded SOJ V36和44引脚TSOP II ZS44封装。

功能描述（Functional Description）

CY7C1049DV33是一款高性能的CMOS静态随机存取存储器，组织为512K字（即512 * 1024位），每个字由8位组成。这款存储器设计用于提供易于扩展的内存解决方案，通过活跃的低电平片选（Chip Enable, CE）和输出使能（Output Enable, OE）以及三态驱动器实现。写入操作通过将CE和写使能（Write Enable, WE）输入置为低电平来完成，此时数据通过8个I/O引脚（I/O0至I/O7）写入到由地址引脚（A0至A18）指定的内存位置。

读取操作则通过将CE和OE置为低电平，同时将WE置为高电平来完成。在这些条件下，由地址引脚指定的内存位置的内容将出现在I/O引脚上。当存储器未被选中（CE高电平）、输出被禁用（OE高电平）或者在写操作期间（CE低电平，WE低电平），I/O引脚将处于高阻态。

引脚配置（Pin Configuration）

引脚配置图展示了CY7C1049DV33的内部逻辑结构和引脚布局。主要组件包括：

- 列解码器（Column Decoder）和行解码器（Row Decoder）：用于解码地址信号，选中对应的内存单元。
- 感应放大器（Sense Amps）和输入缓冲器（Input Buffer）：用于读取和维持存储器单元中的电荷状态。
- 电源下降功能（Power Down）：当CE置高时，存储器自动降低功耗。
- WE、OE、I/O引脚：用于控制数据的写入和读取操作。
- 地址引脚（A0至A18）：用于指定内存中的特定位置。
- 电源和地引脚（VCC和GND）：为存储器提供电源和地。

操作范围（Operating Range）

CY7C1049DV33提供了两种操作范围：

- 工业级：在-40°C至+85°C的环境温度下工作，电源电压VCC为3.3V ± 0.3V，最大访问时间为10纳秒。
- 汽车级：在-40°C至+125°C的环境温度下工作，电源电压VCC同样为3.3V ± 0.3V，最大访问时间为12纳秒。

电气特性（Electrical Characteristics）

电气特性表详细列出了在操作范围内的电气参数，包括：

- 输出高电平电压（VOH）和输出低电平电压（VOL）：在最小VCC条件下，分别测量为2.4V和0.4V。
- 输入高电平电压（VIH）和输入低电平电压（VIL）：分别测量为2.0V（VCC + 0.3V）和0.8V（-0.3V至0.8V）。
- 输入漏电流（IIX）和输出漏电流（IOZ）：在地电位小于VI且输出禁用的条件下，测量为±1µA。
- 操作供应电流（ICC）：在最大VCC条件下，频率为100MHz时为90mA。
- 自动CE功耗降低电流（ISB1和ISB2）：分别为20mA和10mA至15mA。
- 输入电容（CIN）和I/O电容（COUT）：分别为8pF和8pF。
- 热阻（ΘJA和ΘJC）：分别测量为57.91°C/W（SOJ封装）和50.66°C/W（TSOP II封装）。

AC测试负载和波形（AC Test Loads and Waveforms）

提供了交流开关特性和操作范围内的参数描述，包括读周期时间（tRC）、地址到数据有效时间（tAA）、数据保持时间（tOHA）、CE低电平到数据有效时间（tACE）等。

数据保持特性（Data Retention Characteristics）

描述了在操作范围内的数据保持特性，包括VCC用于数据保持的最小值、数据保持电流（ICCDR）和芯片未选中到数据保持时间（tCDR）。

封装图（Package Diagrams）

展示了36引脚（400-mil）Molded SOJ和44引脚TSOP II封装的布局图。