MX29LV320E

这份文件是Macronix International Co., Ltd. 关于32Mbit（4M x 8 / 2M x 16）3V 闪存内存MX29LV320E的的数据手册。以下是对文档内容的翻译和详细分析：

产品编号（P/N）

PM1575 REV. 1.3, DEC. 19, 2013

MX29LV320E T/B 闪存描述

特点（FEATURES）

• 可切换字节/字模式 - 4,194,304 x 8 / 2,097,152 x 16
• 扇区结构 - 8K-Byte x 8 和 64K-Byte x 63
• 额外的256-Byte扇区用于安全 - 出厂锁定和可识别，客户可锁定
• 二十四个扇区组 - 提供扇区组保护功能，防止在受保护的扇区组中进行编程或擦除操作
• 电源供应操作 - Vcc 2.7至3.6伏，用于读取、擦除和编程操作
• 锁存器保护至100mA，从-1V至1.5 x Vcc
• 与JEDEC标准兼容 - 与单电源闪存的引脚和软件兼容
• 功能与MX29LV320D T/B设备兼容

性能（PERFORMANCE）

• 高性能 - 快速访问时间：70ns
• 快速编程时间：利用加速功能，每个字11us（典型值）
• 快速擦除时间：每个扇区0.7s，整个芯片35s（典型值）
• 低功耗 - 低活动读取电流：5MHz时10mA（典型值）
• 低待机电流：5uA（典型值）
• 典型的100,000次擦除/编程周期
• 数据保留时间20年

软件特性（SOFTWARE FEATURES）

• 擦除暂停/擦除恢复 - 暂停扇区擦除操作，以便从未被擦除的另一个扇区读取或编程数据
• 状态回复 - Data#轮询和切换位提供编程和擦除操作完成的检测
• 支持通用闪存接口（CFI）

硬件特性（HARDWARE FEATURES）

• 就绪/忙碌#（RY/BY#）输出 - 提供硬件方法检测编程和擦除操作完成
• 硬件复位（RESET#）输入 - 提供硬件方法重置内部状态机到读取模式
• WP#/ACC输入引脚 - 提供加速编程能力

封装（PACKAGE）

• 44-Pin SOP
• 48-Pin TSOP
• 48-Ball TFBGA（6 x 8mm）
• 48-Ball LFBGA（6 x 8mm）
• 所有设备均符合RoHS合规性和无卤要求。

一般描述（GENERAL DESCRIPTION）

MX29LV320E T/B 是一款32Mbit闪存，可以组织为4M字节的8位或2M字节的16位。这些设备在2.7V至3.6V的电压范围内运行，通常使用3V电源输入。存储器阵列被分成64个相等的64千字节块。然而，根据使用的设备是顶部引导还是底部引导，顶部或底部的第一个块进一步细分为8个相等的8K字节块。顶部或底部的两个最外层扇区可以在此设备的引导块中受到保护。此闪存还提供了额外的工厂锁定或客户可锁定的256字节扇区，以提供安全特性。MX29LV320E T/B 提供44针SOP、48针TSOP和48球BGA（TFBGA/LFBGA）JEDEC标准封装。这些封装提供有铅和无铅版本，符合RoHS规范。用于此设备的软件算法也遵循JEDEC标准的单电源设备。这些闪存部件可以在系统内或商业上可获得的EPROM/闪存编程器中进行编程。提供单独的OE#和CE#（输出使能和芯片使能）信号，以简化系统设计。当与高速处理器一起使用时，此闪存的70ns读取访问时间允许操作，由于系统时序延迟而损失的时间最小。Macronix闪存器提供的自动擦除算法在编程之前执行自动编程。用户只需要向命令寄存器提供写命令。片上状态机自动控制编程和擦除功能，包括所有必要的内部时序。由于擦除操作比读取操作需要的时间长得多，因此可以中断擦除以在设备的其他扇区执行读取操作。为此，提供了擦除暂停操作以及擦除恢复操作。使用Data#轮询或切换位来指示擦除/编程操作的结束。这些设备是在Macronix制造工厂使用经过时间测试和验证的Macronix先进技术制造的。这种专有的非外延过程为地址和数据引脚提供了非常高的锁存器保护程度，可承受高达100毫安培的应力，从-1V至1.5xVCC。凭借低功耗和增强的硬件和软件特性，这款闪存可靠地保留数据至少二十年。擦除和编程功能已经过测试，以满足典型的100,000次操作周期的规格。

引脚配置（PIN CONFIGURATION）

引脚配置（Pin Configuration）部分详细描述了MX29LV320E闪存的物理引脚排列和每个引脚的功能。以下是对引脚配置的详细描述：

### 48 TSOP 封装
- **A15 - A0**: 地址输入引脚，用于提供内存中的地址信号。
- **Q0 - Q14**: 数据输入/输出引脚，用于读写操作时的数据传输。
- **Q15/A-1**: 数据输入/输出引脚，字模式下作为数据输入/输出，字节模式下作为最低位地址输入。
- **WE#**: 写使能输入，用于控制写操作的开始。
- **RESET#**: 硬件复位输入，低电平有效，用于将设备重置到读取模式。
- **NC**: 不连接内部的引脚，可选地连接到VCC或让其浮空。
- **WP#/ACC**: 硬件写保护/加速输入，用于加速编程操作和保护扇区。
- **BYTE#**: 字节/字选择输入，用于选择字节模式或字模式。
- **OE#**: 输出使能输入，用于控制数据输出的使能。
- **CE#**: 芯片使能输入，用于控制对闪存设备的访问。
- **VCC**: 3.0伏单电源供应。
- **GND**: 接地。

### 44 SOP 封装
- **A0 - A20**: 地址输入引脚。
- **Q0 - Q14**: 数据输入/输出引脚。
- **Q15/A-1**: 数据输入/输出引脚，具有与TSOP封装相同的功能。
- **WE#**, **OE#**, **CE#**, **RESET#**, **WP#/ACC**, **BYTE#**: 与TSOP封装相同的功能。
- **GND**, **VCC**: 与TSOP封装相同的电源和接地引脚。

### 48-Ball TFBGA/LFBGA 封装
- 该封装的引脚配置与TSOP封装类似，但是以球栅阵列（BGA）的形式提供，适用于表面贴装技术。

引脚配置图还展示了引脚的物理位置和编号，这对于设计电路板和进行硬件设计至关重要。每个引脚的功能描述帮助工程师了解如何正确地连接和使用闪存设备。

引脚描述逻辑符号（PIN DESCRIPTION LOGIC SYMBOL）

引脚描述逻辑符号（Pin Description Logic Symbol）部分提供了MX29LV320E闪存每个引脚的逻辑符号和名称，以及它们的基本功能。以下是对引脚描述逻辑符号的详细描述：

- **A0 - A20**: 地址输入（Address Input），用于提供内存单元的地址信号。
- **Q0 - Q15**: 数据输入/输出（Data Inputs/Outputs），用于在读写操作中传输数据。在字节模式（Byte Mode）下，Q15也是最低位地址输入（A-1）。
- **RY/BY#**: 就绪/忙碌输出（Ready/Busy Output），用于指示设备是否准备好进行下一次操作，或者是否正在忙于当前操作。
- **VCC**: 电源（3.0-volt-only single power supply），为设备提供电源。
- **GND**: 接地（Device Ground），为设备提供地线连接。
- **CE#**: 芯片使能（Chip Enable），用于激活或禁用对闪存设备的访问。
- **OE#**: 输出使能（Output Enable），控制数据输出引脚的状态。
- **WE#**: 写使能（Write Enable），启动写操作到闪存。
- **RESET#**: 硬件复位（Hardware Reset），将设备重置到初始读取模式。
- **WP#/ACC**: 硬件写保护/加速（Hardware Write Protect/Acceleration），用于保护内存区域不被写入，或加速编程操作。
- **BYTE#**: 字节/字选择（Byte/Word Selection），用于选择数据传输是以字节模式还是字模式进行。

逻辑符号图还展示了这些引脚在电路图中的表示方式，这对于理解电路设计和闪存器的工作原理非常重要。例如，CE#和OE#通常用于控制闪存的读写操作，而WE#用于启动数据的写入。RESET#引脚用于重置设备状态，而WP#/ACC则用于硬件级别的写保护或加速编程操作。这些引脚的正确使用对于确保闪存器的可靠性和性能至关重要。

块状图（Block Diagram）

块状图提供了MX29LV320E T/B闪存的简化架构视图，展示了设备内部的主要组件及其功能。这些组件包括：

• 控制输入逻辑（Control Input Logic）：接收外部输入引脚，如CE#、OE#、WE#、RESET#、BYTE#和WP#/ACC，并根据这些输入信号生成内部时序控制信号。
• 地址锁存器和缓冲器（Address Latch and Buffer）：锁存外部地址引脚A0-AM(A20)的地址信号。
• X解码器（X-Decoder） 和 Y解码器（Y-Decoder）：分别解码闪存阵列的字线和位线。
• Y通道门（Y-Pass Gate）：控制位线与感应放大器和编程数据高压（PGM DATA HV）之间的电气连接。
• 感应放大器（Sense Amplifier）：用于读取闪存阵列中存储的数据。
• 编程数据高压（PGM DATA HV）：在编程过程中向位线提供高电压。
• I/O缓冲器（I/O Buffer）：控制Q0-Q15/A-1引脚的输入和输出。
• 编程/擦除高压（PROGRAM/ERASE HIGH VOLTAGE）：生成并提供必要的高电压给X解码器、闪存阵列和PGM DATA HV块。
• 写状态机（WRITE STATE MACHINE, WSM）：根据当前命令状态，通过控制块状图中的每个模块来实现编程或擦除的内部算法。

块状图描述（Block Diagram Description）

块状图描述部分详细阐述了MX29LV320E T/B闪存的内部结构和操作流程：

• 控制输入逻辑：接收来自系统控制信号的输入，并生成相应的内部控制信号，以管理和控制数据的读取、编程和擦除操作。
• 地址锁存器和缓冲器：捕获并保持来自地址引脚的地址信息，这些地址信息用于访问内存阵列中的特定位置。
• 解码器和Y通道门：解码器负责将输入的地址信号转换为对应的内存单元选择信号，而Y通道门则根据解码结果控制数据路径。
• 感应放大器和PGM DATA HV：感应放大器用于读取存储单元的状态，而PGM DATA HV则在编程过程中提供必要的高电压，以改变存储单元的状态。
• I/O缓冲器：在读取操作期间，I/O缓冲器从感应放大器接收数据，并将其输出到数据引脚；在编程操作期间，它将数据从数据引脚传输到PGM DATA HV。
• 编程/擦除高压：这个模块负责生成编程和擦除操作所需的高电压。
• 写状态机（WSM）：WSM根据用户输入的命令和当前设备状态，控制编程和擦除算法的执行。

扇区组架构（Sector Group Architecture）

扇区组架构部分描述了MX29LV320E T/B闪存的内存阵列是如何被组织成不同的扇区组的。每个扇区组包含一定数量的扇区，每个扇区具有特定的大小和功能。扇区组的架构如下：

• 扇区组（Sector Group）：内存阵列被划分为多个扇区组，每个扇区组包含多个扇区。
• 扇区大小（Sector Size）：每个扇区组中的扇区可以有不同的大小，例如8K-Byte、64K-Byte等。
• 扇区地址（Sector Address）：每个扇区都有一个唯一的地址，用于在编程和擦除操作中识别和定位扇区。
• 扇区组保护（Sector Group Protect）：提供了扇区组保护功能，允许用户锁定特定的扇区组，防止未经授权的编程或擦除操作。

扇区组架构的设计允许灵活地管理内存阵列的安全性和可访问性，同时提供了对内存阵列进行分区和保护的能力。这对于确保数据的完整性和安全性至关重要，特别是在需要保护关键数据或代码的应用中。

总线操作（Bus Operation）

总线操作部分描述了MX29LV320E闪存在不同操作模式下的电气特性和要求。这些操作模式包括设备复位、待机模式、输出禁用、读取模式、写入模式以及加速编程等。在每种模式下，设备对CE#、OE#、WE#、RESET#、BYTE#、WP#/ACC等控制信号的响应和数据总线上的行为有所不同。例如，在字节模式下，数据总线DQ0-DQ7被使用，而在字模式下，所有16条数据线DQ0-DQ15都被使用。此外，还描述了在不同操作模式下，如何通过设置这些控制信号来改变设备的运行状态。

功能操作描述（Functional Operation Description）

功能操作描述部分详细阐述了MX29LV320E闪存的基本操作，包括读取、写入、设备复位、待机模式等：

• 读取操作（Read Operation）：系统通过在地址引脚上提供地址，同时使能CE#和OE#，WE#保持高电平来执行读取操作。数据在满足特定的时序要求后，通过数据引脚输出。
• 写操作（Write Operation）：系统在地址引脚上提供地址，使能CE#，保持OE#为高电平，然后在数据引脚上放置要写入的数据，并通过WE#的下降沿启动写操作。设备会在WE#的上升沿捕获地址和数据。
• 设备复位（Device Reset）：通过将RESET#引脚拉低，设备会返回到读取模式。如果设备正在进行编程或擦除操作，复位操作会在满足最大时间要求后终止当前操作。
• 待机模式（Standby Mode）：当RESET#和CE#引脚同时为高电平时，设备进入待机模式。在此模式下，WE#和OE#的信号被忽略，所有数据输出引脚呈现高阻态，设备仅消耗最小电流。

命令操作（Command Operations）

命令操作部分详细描述了MX29LV320E闪存支持的各种命令，包括扇区擦除、芯片擦除、扇区擦除暂停、扇区擦除恢复、自动选择操作等：

• 扇区擦除（Sector Erase）：用于清除选定扇区中的数据，将所有存储位置恢复到“1”状态。扇区擦除操作需要六个命令周期来启动。
• 芯片擦除（Chip Erase）：用于擦除内存阵列中的所有数据，将所有存储单元恢复到擦除状态。
• 扇区擦除暂停/恢复（Sector Erase Suspend/Resume）：允许系统在扇区擦除操作期间暂停和恢复操作，以便在其他扇区进行读取或编程。
• 自动选择操作（Automatic Select Operations）：允许用户查询制造商ID、设备ID、安全扇区锁定状态或扇区组保护状态，而无需发出新的自动选择命令。

每个命令的操作都包括了具体的控制信号序列和数据传输步骤，以及如何通过这些命令来改变设备的状态或执行特定的内存操作。这些命令的详细描述对于实现对MX29LV320E闪存的编程和数据管理至关重要。

电气特性（Electrical Characteristics）

电气特性部分提供了MX29LV320E闪存在不同操作条件下的电气参数。这些参数对于确保设备在预期的性能范围内运行至关重要。包括但不限于：

• 输入漏电流（Iilk, Iolk9）：在不同温度下，输入引脚的漏电流。
• 输出漏电流（Iol）：输出引脚在高电平状态下的漏电流。
• 读取电流（Icr1, Icr2）：在不同频率下，读取操作时的电流消耗。
• 写入电流（Icw）：执行写操作时的电流消耗。
• 待机电流（Isb, Isbr, Isbs）：设备处于待机模式时的电流消耗。
• 加速编程电流（Icp1, Icp2）：在加速编程模式下，通过特定引脚（如WP#/ACC和VCC）的电流。
• 输入低电压（Vil） 和 输入高电压（Vih）：设备能够识别的最低和最高输入电压。
• 输出低电压（Vol） 和 输出高电压（Voh1, Voh2）：设备输出在不同状态下的最低和最高电压。
• Vcc锁出电压（Vlko）：设备在电源电压低于此值时将不再响应命令。

交流特性（AC Characteristics）

交流特性部分描述了设备在交流信号下的动态性能，包括：

• 数据输出时间（Taa, Tce）：在地址稳定后，数据输出变得有效的时间。
• 数据输出保持时间（Toe, Toh）：在输出使能信号变高后，数据输出保持不变的时间。
• 读写操作之间的延迟（Tsrw）：读取和写入操作之间的最小时间间隔。
• 写入周期时间（Twc）：执行写入操作所需的总时间。
• 命令写入周期时间（Tcwc）：执行命令写入所需的时间。
• 地址设置时间（Tas）：在写操作前，地址输入所需的时间。
• 地址保持时间（Tah）：地址输入后，保持不变的时间。
• 数据设置时间（Tds） 和 数据保持时间（Tdh）：在写操作前，数据输入所需的时间和保持不变的时间。
• Vcc设置时间（Tvcs） 和 芯片使能设置时间（Tcs）：电源稳定和芯片使能信号设置所需的时间。

写操作状态（Write Operation Status）

写操作状态部分提供了在自动编程算法期间，如何通过读取状态寄存器来确定编程操作是否完成。这包括：

• 数据轮询（Data# Polling）：通过读取特定的数据位（如Q7）来检测编程操作的状态。
• 切换位算法（Toggle Bit Algorithm）：在编程过程中，通过检查数据位（如Q6）的切换状态来确定编程是否完成。

推荐操作条件（Recommended Operating Conditions）

推荐操作条件部分提供了设备在上电时的电源电压和控制信号的推荐交流时序。这包括：

• Vcc上升时间（Tvr）：电源电压从最小值上升到最大值的时间。
• 输入信号上升时间（Tr） 和 下降时间（Tf）：控制信号从低电平变为高电平或从高电平变为低电平的时间。
• Vcc设置时间（Tvcs）：电源电压稳定所需的时间。

这些条件确保设备在上电和操作过程中能够正确地工作，避免由于电源或信号的不稳定而导致的设备损坏或性能降低。

锁存器上升特性（Latch-Up Characteristics）

锁存器上升特性通常指的是在特定条件下，如输入电压或电流的突然变化，设备能够抵抗进入锁存器状态的能力。在数据手册中，这些特性可能包括：

• 输入电压差异：设备在所有引脚（除了I/O引脚）和所有I/O引脚上对地（GND）的输入电压差异的最小和最大值。
• Vcc电流：设备在正常操作和锁存器状态时的电流范围。

这些参数对于确保设备在极端条件下的可靠性和稳定性至关重要。

擦除和编程性能（Erase and Programming Performance）

这部分提供了设备在执行擦除和编程操作时的性能指标，包括：

• 芯片擦除时间：完成整个芯片擦除所需的时间。
• 扇区擦除时间：擦除单个扇区所需的时间。
• 擦除/编程周期：设备可以承受的擦除和编程周期的数量。
• 芯片编程时间：以字节模式和字模式编程整个芯片所需的时间。
• 加速字节/字编程时间：使用加速功能进行字节或字编程所需的时间。

这些性能参数对于评估设备在实际应用中的效率和耐用性非常重要。

数据保留（Data Retention）

数据保留是指设备在不供电的情况下能够保持存储数据的时间长度。对于MX29LV320E闪存，数据手册可能会提供：

• 数据保留时间：在特定温度（如55°C）下，设备能够保持数据不丢失的年限。

数据保留时间是评估闪存长期可靠性的关键指标。

引脚电容（Pin Capacitance）

引脚电容是指设备引脚上的电容值，这对于电路设计的信号完整性和阻抗匹配非常重要。数据手册可能会提供以下电容值：

• CIN2：控制引脚的输入电容。
• COUT：输出引脚的输出电容。
• CIN：输入引脚的输入电容。

这些电容值对于设计与闪存设备接口的电路时，确保信号质量不受损害至关重要。过大或过小的电容值都可能影响数据传输的速度和稳定性。

整体而言，这份数据手册为设计工程师提供了MX29LV320E闪存的详细技术细节，包括其特性、性能、引脚配置、命令操作、电气特性和订购信息，以便在他们的系统中集成和使用这款存储器。