学习目标:
掌握基本硬件知识
学习内容:
- 在模拟和数字PCB设计中,旁路或去耦电容(0.1uF)应尽量靠近器件放置。供电电源去耦电容(10uF)应放置在电路板的电源线入口处。所有情况下,这些电容的引脚都应较短;
- 电源线和地线要布在一起,设计出的环路面积要尽可能小,可以降低电磁干扰的可能性;
- 将模拟地平面单独连接到系统地连接端,或者将模拟电路放置在电路板的最远端,也就是线路的末端;
- 将数字开关动作和模拟电路隔离,将电路的数字和模拟部分分开。 要尽可能将高频和低频分开,高频元件要靠近电路板的接插件;
- 一个经典的单片机供电电路;
- TTL、RS232、RS485电平标准:TTL :全双工 (5V系统,逻辑1: 2.4V–5V 逻辑0: 0V–0.5V)。RS232:全双工(逻辑1:-15V–5V 逻辑0:+3V–+15V)。RS485:半双工(逻辑1:+2V–+6V 逻辑0:-6V—2V);
- GD32与ST32软硬件对比:8-17;
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工作电压有所不同,STM32的工作电压在2.0~ 3.6V或1.65~3.6V,GD32的工作电压在 2.6~3.6V,工作范围相对要窄;
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GD32F303/F103主频比STM32F103主频要高,适合一些更快的计算中;
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GD32提高了相同工作频率下的代码执行速度,所以GD32的_NOP()时间比STM32更加短,所以不使用定时器做延时时要注意修改;
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GD32的flash擦除时间要比STM32更长;
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功耗上GD32的功耗要相对高一点;
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GD32的BOOT0必须接10K下拉或接GND,ST可悬空,这点很重要;
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RC复位电路必须要有,否则MCU可能不能正常工作,ST的有时候可以不要;
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GD的swd接口驱动能力比ST弱,可以有如下几种方式解决;
a、线尽可能短一些;
b、降低SWD通讯速率;
c、SWDIO接10k上拉,SWCLK接10k下拉。
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GD对时序要求严格,配置外设需要先打开时钟,在进行外设配置,否则可能导致外设无法配置成功;ST的可以先配置在开时钟;
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修改外部晶振起振超时时间,不用外部晶振可跳过这步。原因:GD与ST的启动时间存在差异,为了让GD MCU更准确复位(不修改可能无法复位);
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反馈电路中相位补偿:对于稳态信号,只要系统放大倍数小于1,也不会引起震荡,相位在180°下,可以最快的进入新的平衡。(也就是运放的输入端的并联电容,以及反馈回路的并联电容);
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一种分立器件组成的限流恒流电路
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VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压
VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压;
VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压
VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)
VBAT:当使用电池或其他电源连接到VBAT脚上时,当VDD 断电时,可以保存备份寄存器的内容和维持RTC的功能。如果应用中没有使用外部电池,VBAT引脚应接到VDD引脚;
学习时间:
2023.5.18
学习产出:
提示:这里统计学习计划的总量
例如:
- 技术笔记 2 遍
- CSDN 技术博客 3 篇
- 习的 vlog 视频 1 个