19 ESD

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分类专栏：电子硬件文章标签： ESD

于 2025-03-25 11:45:53 首次发布

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一、何为ESD

静电荷是一种静止的不平衡电荷。通常，它是由绝缘体表面摩擦或拉开而产生的。一个表面获得电子，而另一个表面失去电子。这会导致不平衡的电气状况，称为静电荷。当静电荷从一个表面移动到另一个表面时，它就变成了 ESD。ESD 是一种微型闪电电荷，在具有不同电位的两个表面之间移动。只有当两个表面之间的电压差足够高以破坏分隔两个表面的介质的介电强度时，才会发生这种情况。当静电荷移动时，它会变成电流，损坏或破坏栅极氧化物、金属化和结。ESD 可以以四种不同的方式发生：带电体可以接触 IC，带电 IC 可以接触接地表面，带电机器可以接触 IC，或者静电场可以在电介质上感应出足以击穿它的电压。

二、工作原理

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。专业保护器件供应商东沃电子ESD静电保护器件，封装形式多样，从单路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT-143、SOT23-6L、SOIC-8、QFN-10等。电路设计工程师可以根据电路板布局及接口类型选择不同封装形式的ESD静电保护二极管。

目前供应的ESD产品主要分为五大类：

单通道ESD和EOS保护器件
低电容ESD静电二极管
标准电容ESD静电二极管
低压ESD静电二极管
高功率ESD静电二极管

三、特性

低电容，最低可达到零点几皮法；
快速响应时间：通常小于1.0PS；
体积小，小型化器件，节约PCB空间；
工作电压可以根据IC的工作电压设计，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；
灵活度高，可以根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数；
封装形式多样化，目前拥有的ESD封装有：QFN-0201、SOD-882、DFN1006-3L、SOT-523、SOD-523、QFN-10、SOD-123S、SOD-323、 SOT-23、SOT-143、SOT-363、SOT23-6L、SOIC-8、SOIC-16 等；

四、选型指南

1）ESD静电二极管的截止电压要大于电路中最高工作电压；

2）脉冲峰值电流IPP 和最大箝位电压VC 的选择，要根据线路上可能出现的最大浪涌电流来选择合适IPP的型号，需要注意的是，此时的VC 应小于被保护晶片所能耐受的最大峰值电压；

3）用于信号传输电路保护时，一定要注意所传输信号的频率或传输速率，当信号频率或传输速率较高时，应选用低电容系列的ESD静电二极管；

4）根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装。ESD封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小，一般封装越大的器件可容纳的ESD芯片面积也越大，防护等级也越高，反之亦然。

五、参数详解

1、Reverse Standoff Voltage (VRWM)

反向关断电压，通常也称为反向工作电压，是受保护线路的推荐工作电压。通俗地讲，就是ESD允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。

2、Breakdown Voltage (VBR)

击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。下图显示了单向 ESD 二极管和双向 ESD 二极管的VRWM和VBR。

左(单向ESD) 右(双向ESD)

3、Leakage Current (ILEAK)

漏电流和反向工作电压密切相关。ESD的漏电流是指施加反向工作电压时泄漏的电流量。

4、Dynamic Resistance (RDYN)

动态电阻是评估 ESD 钳位电压有效性的重要因素。当发生 ESD 事件时，RDYN 表示器件 I-V 曲线的陡度。小的动态电阻通常可以提供更好的钳位电压和保护。

5、Line Capacitance (CL)

线电容是二极管耗尽区存储电荷的结果。如果线电容没有得到适当考虑，那么可能会降低信号完整性。对于高速数据应用，需要低电容来保持信号完整性，否则信号可能会失真到无法识别。

6、Clamping Voltage (VCLAMP)

钳位电压是指系统在瞬态事件期间所承受的电压量，用于衡量ESD二极管对下游系统电路的保护效果。钳位电压是ESD保护器件最重要的规格之一，如果数据表中未提供，可以通过下一节提到的传输线脉冲（TLP）图来确定。下表展示了IEC冲击与TLP电流之间的对比。对于大多数ESD器件，钳位电压通常是在16安培/8千伏IEC标准下指定的。

7、IPP(峰值脉冲电流)

一般采用8/20μs的波形测量。

六、典型特性

1、TPL 曲线图

传输线脉冲（TLP）曲线图用于测试器件在静电放电（ESD）事件期间于电流和时间域中的行为。虽然脉冲宽度和上升时间可以轻松调整，但测试通常采用1至5纳秒上升时间和100纳秒脉宽的矩形电流脉冲。TLP曲线图提供了关键参数，包括钳位器件的击穿电压和动态电阻。如上节5.6所述，若数据手册中未明确提供钳位电压，则可通过TLP曲线图推导得出。以ESD2CANFD24数据手册中的示例为例：在16安培电流下，其钳位电压估计为36伏。该器件确实会经历回弹效应（snap-back），这是一种用于降低ESD事件期间整体电压跌落的技术。由于ESD2CANFD24是双向二极管，其正负TLP曲线图几乎一致，而单向二极管则不具备这一特性。

2、± 8kV Clamped IEC Waveform

±8kV钳位IEC波形是基于前文所述的IEC 61000-4-2标准测试等级（如8千伏接触放电）得出的测试结果。在此类测试中，需重点关注上升时间（rise time）和脉冲宽度（pulse width）等关键参数。以ESD441数据手册中的图4-4为例：钳位后的电压峰值越低、衰减速度越快，则器件成功保护系统内部组件的概率越高。

3、Capacitance vs. Bias Voltage

电容-偏置电压曲线图用于显示器件在工作电压范围内的电容变化特性。下方展示的ESD751数据手册中的曲线图描述了一个双向器件，其仅呈现 0至24伏正向工作电压范围内的电容变化。如图所示，在正向工作电压范围内，电容值仅有轻微波动。

4、Leakage Current vs. Temperature

该曲线图基于数据手册中推荐的工作温度范围（-40℃至125℃），绘制了漏电流随温度变化的特性。下方示例展示了来自TPD1E05U06数据手册的漏电流-温度关系曲线图。

5、Capacitance vs. Temperature

漏电流-温度关系曲线图，此图测量器件在建议工作温度范围（-55℃至150℃）内的电容特性。以ESD451器件数据手册中的示例为例，图4-8展示了电容-温度关系曲线。该器件的典型电容值为 0.5皮法（0.5-pF, typ）。如图所示，电容值随温度降低而减小。

6、Insertion Loss

插入损耗是指将器件接入电路时引发的功率损耗或信号强度衰减。对于ESD保护器件而言，这一参数至关重要，因为其内部电容较大可能导致信号质量下降。下方示例展示了ESD341数据手册中的插入损耗曲线图。通常，器件能够在 0至-3分贝（dB）的损耗范围内支持信号传输速率。图4-9所示的器件可支持高达 5千兆赫兹（5-GHz）的信号频率。