SEPIC电路原理

本章首先给出Sepic数字电源系统的简介以及该数字电源设计整体框图，然后对其Sepic工作原理进行介绍。接着探讨了从传统Sepic电路发展的同步Sepic直流变换器。

Sepic数字电源系统简介

传统的中小功率直流电源大部分主要采用模拟控制方法，存在难以实现大功率变换和效率低下等缺点。模拟电源频率响应调整复杂繁琐，难以实现高电压调整率等需求。数字开关电源有着诸多的优势，例如有着较强的灵活性、可以满足所有复杂的电源要求，发挥着越来越重要的作用。数字开关电源，此种技术的特点之一就是通过数字信号处理器DSP或者单片机作为控制系统的主要核心，改变算法参数，即可改善频率响应等问题，提高了电源工作的稳定性，从而实现数字控制电源系统的智能化结构。其次就是此种技术是通过对电源系统的数字进行整合，从而使得电源开关系统中的各个组件和数字进行组合优化效果。

Sepic斩波电路是开关电源六种基本DC/DC变换拓扑之一，是一种允许输出电压大于、小于或者等于输入电压的DC/DC斩波电路。其输出电压由主控开关(三极管或MOS管)的占空比控制。因此可以使用DSP或者单片机对主控开关占空比，实现Sepic数字开关电源。以下为Sepic数字开关电源的设计框图。

SEPIC变换器是一种四阶非线性系统, 因具有可升降压、同极性输出、输入电流脉动小、输出易于扩展等特点, 而广泛应用于升降压型直流变换电路和功率因数校正电路。在控制方法层面可以采用PID、模糊自适应PID等算法进行控制，在控制对象选择方面可以采用针对电压的单闭环、和针对电流、电压的双闭环控制。

Sepic电路工作原理

SEPIC转换器的原理图如图2所示。SEPIC转换器看作是Boost升压变换器和Flyback变换器的组合。其中C1, L1和MOSFET的组成了最基本的升压变换器部分, L1和L2电感值相同。在SEPIC电路中可以近似把L1和L2看作电流源，把   近似看作为电压源。进行电路分析之前，对电路做以下假设：(1)C3足够大,因此可以认为几乎无电压波动。二极管压降为零。(2)电路上的MOSFET电阻近似看作为零。(3)整个电路工作在CCM模式（Continuous conduction mode），即电感电流不过零。

(1)MOSFET处于导通状态:

电流回路从电源经过储能电感流经开关器件MOSFET形成第一个回路。第一个回路中电感中电流线性上升，进行储能。第二个回路电流由于之前被充至 ，此时通过进行能量转换，其电流方向如图红色虚线部分所示。进则也同时为提供了释放能量的地方，以保持电压的平均值能稳定在一定范围内。此时二极管被截止，因此只能通过负载端的电容继续为负载提供电流。

(2)MOSFET处于被关断的状态。

由于两个电感中的电流方向由于电感特性并不会发生突变，因此电感两端的电压极性会发生改变，以便继续为电流续流。这时会形成两个电流回路，第一个回路由电源经储能电感L1，再经电容，然后经过二极管，最后通过负载，这个负载由和并联而成，形成回路。第二个回路由储能电感放电，经过二极管，再经过负载形成回路。此阶段和既向负载供电，同时也向充电。

Sepic斩波电路的输入输出电压关系由下式给出：

式中 为MOSFET的开通时间，为开关器件MOSFET的关断时间。

同步Sepic电路

SEPIC变换器中整流二极管流过的电流很大，整流二极管上的功率耗散占整个变换器功率耗散的比例很高。这不仅降低了整个变换器的效率，在实际应用中还常常由于整流二极管散热功耗限制，而不得不降低变换器的输出电流大小。

为了解决整流二极管功耗大的问题，常见的解决方法是采用同步整流技术，用导通电阻极小的功率型Ｎ沟道MOSFET代替整流二极管，通过控制MOSFET与电路主开关呈互补导通的方式实现整流二极管的开关功能。同步整流技术可以显著降低变换器的功耗，提高整体效率，更重要的是可以提高变换器的允许输出电流大小。

以下就是同步Sepic变换器的拓扑。把基本结构SEPIC中的肖特基二极管Ｄ1换成了导通电阻极小的功率型Ｎ沟道MOSFET，记为V2。由前一节分析可知，开关管V1和V2导通次序相反，导通时间互补，通过控制这两个开关管的工作次序，就可以实现同步整流ＳＥＰＩＣ变换器的功能。当开关管V1关断，开关管V2导通时，除了开关损耗外，在V2上的损耗就只有极低的导通电阻引起的损耗。

Proteus仿真同步SEPIC电路

 50%占空比 输出11.6V  符合输出规律

不过sepic的设计需要参考很多方面的内容，这个参数瞎调的，不能直接用到现实中去。