电子设计技巧(八)——晶振参数中的负载电容CL

  负载电容CL,英文为Load Capacitance,为晶振一个重要电气参数。一般情况下,对功耗不太敏感的电子设备PCBA上,常见的晶振负载电容为 15PF、18PF、20PF。而诸如腕表、手机、蓝牙耳机等对低功耗明显有较高需求的电子数码产品,常采用晶振为负载较小的晶振,比如6PF、7PF、9PF、10PF、12PF。
  在生产制造中,晶振的负载电容值的大小已经根据设计需求被固定,在后续电路应用中无法更改或调整。一般情况下,在无源晶振的电路使用中,我们需要根据晶振的负载电容来调整外接电容值的大小,以便微调晶振工作中输出频率的精度。而在有源晶振的电路应用中,因为无需外接电容,因此省去了外接电容与晶振负载电容之间的匹配过程。
  晶振CL值选取 和 两端匹配电容是 C L = C 1 ∗ C 2 C 1 + C 2 + C ′ ′ CL=\frac{C1*C2}{C1+C2}+C'' CL=C1+C2C1C2+C,其中CL:晶振的负载电容值; C1 C2:晶振两端的电容值;C”:线路杂散电容 。杂散电容一般取0.5pF-1pF
  无源晶体振荡器(包括KHz和MHz)的负载电容CL等效于晶体的所有电容。实际测量中应注意不要用示波器探头、万用表笔等测试工具直接检测晶体振荡器的输入输出,因为示波器探头、万用表笔是寄生电容特性、测试时间。整个负载电容的等效值将发生变化,测量数据将不准确。同时,晶体的ESR也会发生变化,甚至晶体振荡器也会停止。

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根据提供的引用资料,没有直接提及5ppm晶振负载电容的具体计算方法。然而,根据晶振的标称值和负载电容的关系,我们可以通过计算来确定适合5ppm晶振负载电容。 一种常见的方法是使用晶振的标称频率和频率误差来计算负载电容。假设晶振的标称频率为f,频率误差为δf,以及负载电容CL。根据引用的信息,我们可以使用以下公式来计算负载电容CL = (δf / f) * (C1 * C2) / (C1 + C2) 其,C1和C2是晶振两端的电容。 请注意,这个公式只是一种近似计算方法,实际情况可能因晶振的具体特性而异。为确保准确性,最好参考晶振的制造商提供的规格表或咨询专业人士以获取准确的负载电容值。 综上所述,根据提供的引用内容,我们无法直接确定5ppm晶振负载电容值。建议根据晶振的具体规格和标称频率误差,使用适当的公式或咨询专业人士来计算负载电容。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span> #### 引用[.reference_title] - *1* [晶振计算工具](https://download.csdn.net/download/lwylwy1/10671454)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"] - *2* *3* [晶振负载电容是什么意思?关于晶振负载电容](https://blog.csdn.net/Glory_Zhao/article/details/78141921)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"] [ .reference_list ]

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