本文详细介绍了MOSFET的输出特性和转移特性，包括N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型及P沟道耗尽型四种类型的MOSFET的工作原理和特性曲线。
N沟道增强型
输出特性
（1）截止区
栅源电压
v
G
S
v_{GS}
vGS<
V
T
N
V_{TN}
VTN，沟道未形成。
（2）可变电阻区
栅源电压
v
G
S
v_{GS}
vGS>
V
T
N
V_{TN}
VTN，沟道已形成，漏源电压越大，电子流动越快。
（3）饱和区
由于预夹断，电流已不随栅源电压的增加而增加。
i
D
=
K
n
(
v
G
S
−
V
T
N
)
2
i_D = K_n(v_{GS} - V_{TN})^2
iD=Kn(vGS−VTN)2
转移特性
定义：漏源电压一定的条件下，栅源电压v_{GS}对漏极电流i_D的控制特性。
i
D
=
f
(
v
G
S
)
,
v
D
S
为
常
数
i_D = f(v_{GS}) , v_{DS}为常数
iD=f(vGS),vDS为常数
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