MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）

一、MOSFET结构及基本特性

MOSFET把输入电压的变化转化为输出电流的变化，是一种电压控制型器件，用跨导来表示输出电流的变化和输入电压的变化之比。

N-switch 低电平断开

P-switch 高电平断开

1、MOSFET的4种结构

 2、转移特性曲线

 3、输出特性曲线

4、 MOSFET的工作原理

以NMOS为例，当栅极加上足够高的电压（）时，栅氧化层下方的P型材料发生反型，从而源漏导通，MOS管开始工作；反之则MOS管截止，没有电流通过。

MOS管只靠一种极性的载流子（电子或者空穴）来传输电流，因此称为单极型晶体管。

5、MOS管的工作状态

非饱和状态：当变化时，将随之变化，因此该区域也被称为可变电阻区。随着的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻。当不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由控制的可变电阻。

饱和状态：一定时，基本饱和，随变化而变化不大，也称恒流区。

截止状态：在该区域内，,管子处于截止状态。

6、MOS管的特性参数

开启电压（阈值电压）：是促使源极和漏极之间开始形成导电沟道所需要的栅极电压，不同工艺阈值电压有所不同。

击穿电压：栅源击穿电压,漏源击穿电压

导通电阻:用来说明对的影响，当为某一固定值时，是漏极特性曲线中某点切线斜率的导数；MOS管的导通电阻与二氧化硅的厚度有很大关系，厚度越小，电场作用越好，相同栅压时导通能力越强，但也容易引起击穿，工艺制作难度增大。

低频跨导:

二、电流—电压关系

以n沟道增强型MOSFET为例。