电路频率响应

4.15 利用 Multisim从下列两个方面研究图P4.10所示电路的频率响应。

(1)为改善低频特性，应增大三个耦合电容中的哪一个最有效。

(2）场效应管的漏极静态电流对上限频率的影响。

提示：可采用虚拟N沟道耗尽型MOS场效应管，便于设置参数。例如，设置虚拟MOS管的沟道长度Chan-nel length=100 μm、沟道宽度 Channel width =100 μm,设置模型参数 VT=Ucs()=-2 V,KP=1*10-3mA/v{'，CGSO=1*10-8 F/m,CGDO=2*10-8 F/m。

 

用万用表测量场效应管的栅极、源极和漏极静态电位，可判断出其工作状态；用函数发生器作信号源，并在放大电路输入端接2kQ，等效为信号源内阻；用波特图仪测量幅频特性。

也可用Multisim 中的“交流分析”分析电路的频率响应，分析结果如下图所示。

 

(1）三个电容容量变化时对低频特性的影响如下表中测量值所示。

 

 由表可知，为改善低频特性，应增大C。。

（2）为方便调节lo，在场效应管的栅极与电源之