Nand Flash 在使用上的一些问题

*以下是个人对相关基础知识的梳理和总结，对于高度专业性的知识个人理解可能会有出入，如果有误，希望各位大佬不吝指教；

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1.read disturb

    再重复一遍：read工作并不是真正去读内容，而是给他一个电压，判断是不是能导通；导通就意味着 1，不能导通就是 0；

    读取一个cell时，同一条bitline上的其他cell都需要处于导通状态，所以要在其他word line控制极上施加Vpass，相当于轻微的program operation，频繁重复读取时，Vpass会导致那些未选中的Dell电荷增加，Vth向右偏移，也就是说使这些Cell的导通电压增大；

    read disturb并不会破坏cell，重新erase + program就可以使cell恢复正常；

    注意：read disturb影响的是同一个block中的其他page，而非读取的page；

2.data retention

    data retention因为长时间没有读写，浮栅层电子逃逸，会造成Vth左移，导通电压变小；

3.program disturb

    如下图示，在写某个page的时候，在其word line的控制极加上一个强正电压Vprog，对于program cell所在的bitline，是接地的；

    这条bit line上其他的Cell，由于Vpass的影响，会有少量电子进入浮栅层

    pass disturb：同一条bitline上的其他cell，由于施加了Vpass=10V，相当于接受了轻微program；

    这条word line上其他的Cell，由于Vprog的影响，会有少量电子进入浮栅层

    program disturb：同一条WL 上不需要program的cell，被称为program抑制cell；

    所以program disturb不仅仅影响block中的其他page还会影响自身这个page。但都是非永久性损伤，erase之后block还能正常使用；

4.温度

    Cell Vth对温度很敏感，温度提高，Vth降低，反之，Vth提高；