*以下是个人对相关基础知识的梳理和总结,对于高度专业性的知识个人理解可能会有出入,如果有误,希望各位大佬不吝指教;
1.read disturb
再重复一遍:read工作并不是真正去读内容,而是给他一个电压,判断是不是能导通;导通就意味着 1,不能导通就是 0;
读取一个cell时,同一条bitline上的其他cell都需要处于导通状态,所以要在其他word line控制极上施加Vpass,相当于轻微的program operation,频繁重复读取时,Vpass会导致那些未选中的Dell电荷增加,Vth向右偏移,也就是说使这些Cell的导通电压增大;
read disturb并不会破坏cell,重新erase + program就可以使cell恢复正常;
注意:read disturb影响的是同一个block中的其他page,而非读取的page;
2.data retention
data retention因为长时间没有读写,浮栅层电子逃逸,会造成Vth左移,导通电压变小;
3.program disturb
如下图示,在写某个page的时候,在其word line的控制极加上一个强正电压Vprog,对于program cell所在的bitline,是接地的;
这条bit line上其他的Cell,由于Vpass的影响,会有少量电子进入浮栅层
pass disturb:同一条bitline上的其他cell,由于施加了Vpass=10V,相当于接受了轻微program;
这条word line上其他的Cell,由于Vprog的影响,会有少量电子进入浮栅层
program disturb:同一条WL 上不需要program的cell,被称为program抑制cell;
所以program disturb不仅仅影响block中的其他page还会影响自身这个page。但都是非永久性损伤,erase之后block还能正常使用;
4.温度
Cell Vth对温度很敏感,温度提高,Vth降低,反之,Vth提高;