半导体二极管
常见结构
与PN结对比
- 存在体电阻，电流比PN结电流小
- 反向电流大一些（封装外壳存在漏电）
伏安特性
温度对其影响
- 温度上升，正向导通伏安曲线左移，反向饱和电流下移。
- 室温下，每升高1℃，正向电压下降2-2.5mV；每升高10℃，反向饱和电流增大一倍。
二极管的主要参数
- 门坎电压（死区电压）：Vth，正向导通时，类似一个和大电阻，好像有个门坎。硅管Vth约为0.5V，锗管Vth约为0.1V。由于二极管导通后，曲线较垂直陡峭，通常认为，硅管正向导通压降约为0.7V，锗管约为0.2V。
- 最大整流电流：IF，二极管正向通过电流平均值的最大值–工作时能承受的功率最大值对应的电流。
- 反向击穿电压：VBR，管子反向击穿时的电压值，一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的50%：
- 反向电流：IR， 指管子未击穿时的反向电流，其值越小，管子的单向导电性越好。
- 极间电容：Cd，PN结存在扩散电容CD和势垒电容CB，极间电容就是反映二极管中PN结电容效应的参数，Cd= CD+CB。
- 最高工作频率（上限频率）：fM：由于PN结上面的极间电容，如果工作频率大，电容近似短路，破坏单向导电性。在高频电路中要注意这个。
- 反向恢复时间：TRR：当二极管外加电压极性翻转时，其原工作状态不能在瞬间完全随之变化。特别是外加电压从正向偏置变成反向偏置时，二极管中电流由正向变为反向，但其翻转后瞬间有较大的反向电流，经过一定的时间后反向电流才会变得很小。如下图：二极管由正向导通到反向截止时电流的变化。
存在反向恢复时间是因为扩散电容的影响，扩散电容越小，反向恢复时间越短，工作频率越高。
二极管等效电路模型
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理想模型
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恒压降模型与折线模型
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小信号模型（小信号分析法）
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当输入信号是一个小信号的时候，远没有达到二极管的导通压降，仅仅只有小信号的激励无法穿过二极管，这时就可以加入一个直流电压源，使得二极管工作在合适的静态工作点（Q），从而将小信号传输过来（此处的思想模型对三极管的工作原理有很大的启发）。当vs=Vmsin(wt)时（Vm<<VDD）,电路的负载线为： i D = − 1 R v D + 1 R ( V D D + v s ) i_D=-\frac{1}{R}v_{D}+\frac{1}{R}(V_{DD}+v_{s}) iD=−R1vD+R1(VDD+vs)
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把二极管的伏安曲线以Q点为切点的一条直线，如下图，其斜率的倒数就是小信号模型的微变电阻rd，其模型如下：
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微变电阻： r d = Δ v D / Δ i D r_{d} =\Delta v_{D}/\Delta i_{D} rd=ΔvD/ΔiD
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二极管的指数模型： i D = I s ( e v V T − 1 ) i_{D}=I_{s}(e^{\frac{v}{V_{T}}}-1) iD=Is(eVTv−1)
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微变电导： g d = 1 r d = d i D d v D = d [ I s ( e v D / V T − 1 ) ] d v D = I s V T e v D / V T g_{d}=\frac{1}{r_{d}}=\frac{di_{D}}{dv_{D}}=\frac{\mathrm{d} [I_{s}(e^{v_{D}/{V_{T}}}-1)]}{\mathrm{d} v_{D}}=\frac{I_{s}}{V_{T}}e^{v_{D}/{V_{T}}} gd=<
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