模电 - 半导体二极管

半导体二极管

常见结构

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与PN结对比

  • 存在体电阻,电流比PN结电流小
  • 反向电流大一些(封装外壳存在漏电)

伏安特性

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温度对其影响

  • 温度上升,正向导通伏安曲线左移,反向饱和电流下移。
  • 室温下,每升高1℃,正向电压下降2-2.5mV;每升高10℃,反向饱和电流增大一倍。

二极管的主要参数

  • 门坎电压(死区电压):Vth,正向导通时,类似一个和大电阻,好像有个门坎。硅管Vth约为0.5V,锗管Vth约为0.1V。由于二极管导通后,曲线较垂直陡峭,通常认为,硅管正向导通压降约为0.7V,锗管约为0.2V。
  • 最大整流电流:IF,二极管正向通过电流平均值的最大值–工作时能承受的功率最大值对应的电流。
  • 反向击穿电压:VBR,管子反向击穿时的电压值,一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的50%:
  • 反向电流:IR, 指管子未击穿时的反向电流,其值越小,管子的单向导电性越好。
  • 极间电容:Cd,PN结存在扩散电容CD和势垒电容CB,极间电容就是反映二极管中PN结电容效应的参数,Cd= CD+CB
  • 最高工作频率(上限频率):fM:由于PN结上面的极间电容,如果工作频率大,电容近似短路,破坏单向导电性。在高频电路中要注意这个。
  • 反向恢复时间:TRR:当二极管外加电压极性翻转时,其原工作状态不能在瞬间完全随之变化。特别是外加电压从正向偏置变成反向偏置时,二极管中电流由正向变为反向,但其翻转后瞬间有较大的反向电流,经过一定的时间后反向电流才会变得很小。如下图:二极管由正向导通到反向截止时电流的变化。
    在这里插入图片描述

存在反向恢复时间是因为扩散电容的影响,扩散电容越小,反向恢复时间越短,工作频率越高。

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二极管等效电路模型

  • 理想模型
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  • 恒压降模型与折线模型
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  • 小信号模型(小信号分析法)

    • 当输入信号是一个小信号的时候,远没有达到二极管的导通压降,仅仅只有小信号的激励无法穿过二极管,这时就可以加入一个直流电压源,使得二极管工作在合适的静态工作点(Q),从而将小信号传输过来(此处的思想模型对三极管的工作原理有很大的启发)。当vs=Vmsin(wt)时(Vm<<VDD),电路的负载线为: i D = − 1 R v D + 1 R ( V D D + v s ) i_D=-\frac{1}{R}v_{D}+\frac{1}{R}(V_{DD}+v_{s}) iD=R1vD+R1(VDD+vs)

    • 把二极管的伏安曲线以Q点为切点的一条直线,如下图,其斜率的倒数就是小信号模型的微变电阻rd,其模型如下:
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    • 微变电阻: r d = Δ v D / Δ i D r_{d} =\Delta v_{D}/\Delta i_{D} rd=ΔvD/ΔiD

    • 二极管的指数模型: i D = I s ( e v V T − 1 ) i_{D}=I_{s}(e^{\frac{v}{V_{T}}}-1) iD=Is(eVTv1)

    • 微变电导: g d = 1 r d = d i D d v D = d [ I s ( e v D / V T − 1 ) ] d v D = I s V T e v D / V T g_{d}=\frac{1}{r_{d}}=\frac{di_{D}}{dv_{D}}=\frac{\mathrm{d} [I_{s}(e^{v_{D}/{V_{T}}}-1)]}{\mathrm{d} v_{D}}=\frac{I_{s}}{V_{T}}e^{v_{D}/{V_{T}}} gd=<

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