从浮栅MOS到Nand Flash Cell

*以下是个人对相关基础知识的梳理和总结，对于高度专业性的知识个人理解可能会有出入，如果有误，希望各位大佬不吝指教；

---

1.上篇博文讲了浮栅MOS怎么存储信息的：

    给栅极一个高压，电子就可以穿过隧穿层进入浮栅层，然后因为有绝缘层的存在，电子就在浮栅层止步了。如果在把电压撤走，此时这些电子依然会被锁在浮栅层，因为隧穿层本质上也是一种绝缘体【有兴趣可以去了解一下隧穿效应，这里就不做更深入的分析了】；

    这样1bit数据就被存进去了；

2.擦除数据

    把浮栅层中的电子释放掉就意味着擦除数据，那怎么把电子释放掉呢？可以在衬底上增加高压，这样浮栅层中的电子就可以被吸引出来；

    如果浮栅层中没有电子，就意味着是data=1的状态，浮栅层中有电子就是data=0的状态；

    那硬件是怎么知道这个浮栅MOS是0还是1的状态呢？继续往下看

3.读数据

    如果此时浮栅层并没有电子，给栅极一个低压，电子并不会穿过隧穿层进入浮栅层，而是聚集在N沟道附近，所以漏极和源极就会导通，在漏极和源极之间的电路中会有检测电流的硬件，如果检测到有电流，说明浮栅层没有存储电子，那么浮栅MOS也就是=1的状态；

    如果此时浮栅层存储了电子，给栅极低压的case下，就不会形成N沟道，所以漏极和源极就能导通，此时电路中的检测装置就不会检测到电流，那么浮栅MOS就是=0的状态；

4.NAND FLash名字和NAND门的联系

Other：

    a.

        通过前面的梳理，可以知道往浮栅MOS上写数据，其实就是写0，电子进入浮栅层，栅极给低压，漏极、源极不导通

        擦除数据就是清0，恢复成原来的状态，衬底给高压，浮栅层释放电子，漏极、源极导通；

        二进制的0和1 就足够记录信息了；

    b.

        存储1bit信息需要一个浮栅MOS管，那么存储1MB的信息呢？

        1MB = 1024KB = 1024*1024Byte = 0x800000 个浮栅MOS管

        那NAND Flash又是怎么控制这么多信息的呢

        如果通过更改栅极电压强弱的方式，能否在一个浮栅MOS管中存储更多的信息呢？

        继续看后续博文的解析；