一、MOS手册参数理解
NMOS
PMOS
G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极
我拿我最近使用的NMOS管IRFR3607PbF来举例
(1)V(BR)DSS 75V 指的漏源击穿电压查过75V就会击穿MOS管
(2)ID 指的的MOS管导通连续输出的电流
表格第一点,当MOS管温度在常温25度情况下,在栅极控制电压10V,此时MOS管提供最大电流80A
表格第二点,当MOS管工作温度100度情况下,在栅极控制电压10V,此时MOS管提供最大电流56A
(3)PD Maximum Power Dissipati (最大功率耗散)
(功耗,功率的损耗,指设备、器件等输入功率和输出功率的差额)。
MOS管的功耗主要有开关损耗和通态损耗。
MOS的功耗是指MOS在电路应用中的损耗,比如导通损耗,开关损耗等,当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd.
MOS管耗散功率的计算
在条件相同的情况下,降低开关频率一定可以降低MOS的功耗。
MOS管的功耗主要有开关损耗和通态损耗。
eg:
首先要计算通态损耗的影响。Pcond=Idsrms*Idsrms*RDSon*Dmax,
例如:Idsrms=11A时,Dmax接近100%,RDSon取8豪欧,Pcond约1W。
再估算开关损耗。PSW=VDSoff*Idsrms*(tr+tf)*f/2。 例如:tr+tf=600ns,f=15625,VDSoff取24V,PSW=1.24W
Pmos=Pcond+PSW=2.24w。
JC Junction-to-Case MOS管所处散热环境连接散热片
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface MOS管所处散热环境外壳至水槽、涂有润滑脂的表面
如果MOS采用单个IRF3205 ,(JA Junction-to-Ambie-意思不加散热片)不加散热片时的热阻是62度/W。此时的温升是62*2.24=138度。 所以不管其他的条件,在这应用里必须加装良好的散热器。
所以综上所诉,设计电路时要注意这个结温(即Tj,最大是175度,PN结的温度;许多mos管具有结温过高保护,所谓结温就是金属氧化膜下面的沟道区域温度,一般是150摄氏度。超过此温度,mos管不可能导通。),超过这个温度MOS管会烧掉或者暂停工作,等温度降下来在继续工作
由此衍生我们常见的MOS烧掉(发热)原因有如下
(1)我们常说的MOS工作在线性状态而不是在工作状态即当栅极电压爬升缓慢时,导通状态要“路过”一个由关闭到导通的临界点,这时,导通电阻很大,发热比较厉害。
原因如下:
当一个mos电流100a,电压96v,在开通过程中,有那么一瞬间(刚进入米勒平台时)mos发热功率是P=VI(此时电流已达最大,负载尚未跑起来,所有的功率都降落在MOS管上),P=96100=9600w!这时它发热功率最大,然后发热功率迅速降低直到完全导通时功率变成100*100*0.003=30w(这里假设这个mos导通内阻3毫欧姆),开关过程中这个发热功率变化是惊人的。如果开通时间慢,意味着发热从9600w到30w过渡的慢,MOS结温会升高的厉害。所以开关越慢,结温越高,容易烧mos。
针对米勒平台的相关因素,栅极电荷;Qgs, Qgd
Qgs:
指的是栅极从0v充电到对应电流米勒平台时总充入电荷(实际电流不同,这个平台高度不同,电流越大,平台越高,这个值越大)。这个阶段是给Cgs充电(也相当于Ciss,输入电容)。
Qgd:
指的是整个米勒平台的总充电电荷(在这称为米勒电荷)。这个过程给Cgd(Crss,这个电容随着gd电压不同迅速变化)充电。
所以理论上选择Qgs和Qgd小的mos管能快速度过开关区。
(2)寄生电容在频繁开启关闭时,显现交流特性而具有阻抗,形成电流。有电流就有发热
(3)沟道有电阻,过主电流,没做好足够的散热条件,发热严重
(4)VGS ±20V 栅极耐压,超过20V击穿
(5)VGS(th) 2V-4V 开启电压
这个意思就是栅极电压在2-4V时电源电压2-4V时,会存在100ua的漏电流,明了的说就是你控制电压在2-4V,MOS是无法完全关断,当你>4V,MOS就完全导通,<2V可以完全关断。
所以控制电压要确定好,同是控制电压的高低与开关速度有关(电压电流跟开挂速度有关,因为开关实际就是对电容的充电,有些大结电容MOS需要4A以上电流才能克服米勒平台)
(6)Rds(on) 漏极源极的导通电阻
以N沟道MOS管2N7000举例
D极与S极间电流Id最大时完全导通。在图中可以看到Vgs=10v完全导通,电阻Rds=5欧左右,电流Id=500mA(最大,完全导通),产生压降Vds=2.5v。而Vgs=4.5v时,Id=75mA(不是最大,没完全导通),Rds=5.3欧左右,虽然没完全导通,但产生的压降Vds=0.4v最小,比Vgs=10v产生的压降小得多。对于信号控制(控制DS极导通接地实现高低平)来说只要电压,不需要电流,所以只要求MOS管导通时产生的压降越小越好,可以使D极的电压直接被拉为接近0v,因此首选Vgs=4.5v左右,而不选10v。
对于使用在电源控制方面,既需要电压也需要电流的大功率MOS管来说,就需要完全导通,那么导通电压是多少呢?我们再来看一个大功率N沟道MOS管AO1428A,如下图
从图中可以看出Vgs为10v和4.5v时,Id为12.4A,都达到最大,都可完全导通。但10v比4.5v的导通电阻小,产生压降小(大约差0.7v),并且10v的开关速度快,损失的能量少,开关效率高,所以首选10v
总结:信号控制使用的MOS管,只要电压,不需要电流,要求导通时产生的压降Vds最小,首选Vgs=4.5v左右,对信号控制来说,原则上是选择导通时产生的压降越小越好。
电源控制使用的MOS管,既要电压也要电流,要求完全导通,要求Id最大,产生的压降Vds最小,首选Vgs=10v左右。
二、常见问题注意事项
MOS管发热3点已经卸载上面
四、MOS封装图