带负载能力和输入电阻Ri,输出电阻Ro有关。
在数字电路中,一般MOS管都是在驱动后级MOS结构,基于此前提下。
对于输入电阻,MOS管Gate端绝缘,电流接近0,Ri = Ui / ig = 无穷大。
对于输出电阻,MOS管导通电阻低,而且Vgs越大导通电阻越小。
输入电阻越大越好,Ri越大从前级能够取得的Ui越大,电压损耗低,所以带负载能力强。
输出电阻越小越好,Ro越小,对电源的分压越小,输出点电压的损耗越低,带负载能力越强。
但是由于MOS驱动的后级使容性负载,当驱动数多时需要考虑电容的充放电电流。
输出为高电平时,驱动门的输出电流会向负载门的输入电容进行充电。
输出为低电平时,充电的电容会通过驱动的输出电阻进行放电。
当负载门数增加,会使负载总电容增加,充放电时间变长,导致传输延时时间变长,影响电路的开关速度,再考虑到频率因素。在相同结构下,当频率增加时,应该介绍驱动的扇出数,才能使用电路正常工作。
由于负载电容增加,导致了充放电时的电流增大,会在驱动上消耗更多功耗,放输低电平时,输出值可能会高于Vol(max),输出高电平时,低于Voh(min),导致电路无法正常工作。
(这种问题在后端综合时能够发现吗?)