半导体二极管门电路以及CMOS反相器

如果要离散的使用某一个电压信号，首先要确保0,1是分开的，不能混用，中间的间隔应该有一段合理的缓冲区。

 真值表中的值是稳定的静态，但是逻辑函数发生变化时，是从真值表的一行走到下一行，都会经过中间的无效区。所以数字电路的不是任何时刻的输出都有意义。

两个反相器能够避免电压传输过程中的干扰，确保最后的输出是好的信号。

如果是只有一根导线，会影响传输。

图中显示了模拟信号中电压噪声的来源

 基础：模拟电路的器件 +电路原理   重点为CMOS工艺

门电路：实现基本运算，复合运算的单元电路，如与门

 正逻辑：高电平表示1 低电平表示0 负逻辑反之

获得高低电平的基本原理：

 

 电阻是限流电阻：电阻太小不限流  电阻太大带载能力差    高低电平允许有一点的变化范围

 

 

在数字电路中用第二个图

 

导致二极管波形的跳变会变缓

 

 

二极管作为与门的情况下：电平有偏移 带负载能力差  只适用于IC内部电路

 

导通原理： 在两口井之间如果在门级没有给控制电压，两口井（漏极和源极）之间没沟道->没办法导通

 

利用MOS管的开关特性

CMOS门电路（Complementary）

CMOS反相器的工作原理：

 CMOS想要理想的高电平和理想的低电平：利用NFET和PFET实现

这里补一下场效应管（FET）的工作原理：

FET的特点：输入电阻高   FET只有多子在导电  不容易受温度影响

分为：结型场效应管

       绝缘栅型场效应管 （使用较多）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）->CMOS电路：耗电量小

N沟道增强型MOS管：

结构：

 一个P型的掺杂浓度较低的半导体，两个N型区，在衬底上接一个电极B，在两个N型电极上分别接一个S(源极：载流子的发源地)和D（漏极：载流子的漏出极），中间又一层二氧化硅 中间有一个栅极（控制极）  其中栅极和任何一个极都绝缘

工作原理：

 Uds=0，Ugs>0,出现了耗尽层，Ugs在增大将自由电子吸上来，形成了一个沟道，构成了反型层，形成了N沟道，Ugs不变 沟道宽度不变，沟道的宽窄决定了电阻，DS之间得到了一个可以用电压控制的电阻器，让DS之间产生电压，就会产生电流。 

当Ugs大于Ugs的开启电压时，沟道形成，此时Ugs不在变化，早在Uds上加电压逐渐建增大

 当Ugs-Uds=Ugsth时  产生欲夹断（b）

 可变电阻区   恒流区：栅极和源极之间的电压能够控制Id的电流

当Ugs<Ugsth时截止，无沟道形成

当Ugs>Ugsth时，Uds小，没有出现欲夹断时，DS之间表现为一个电阻，电阻的大小有Ugs决定（可变电阻区）

当Uds再变大，Ugs可以控制Id（恒流区）

N沟道耗尽型MOS管：

Ugs>Ugsoff  沟道就一直开启

 

   MOS管的工作条件：

T2为N沟道增强型MOS管：N表示negative，负电荷聚集，G需要正电荷聚集

  

 

输入和输出相反，成为反相器

 输入的值在无效区时：

根据两个管子的伏安特性曲线，将两个曲线重合得到交点

 

 

 

 

 输出低电平时上面的管子截止

 

所以的信号只要流经电路，一定会在时间上留下痕迹  （延时）

 电容两端的压差不能突变  到时延迟时间只和RC有关

 

 f为尖峰的个数