光模块第六节之VCSEL规格书解读

 做光芯片的厂家有很多,比较有名的有II VI 住友,三菱等等,今天讲一下100G SR4 VCSEL阵列芯片的参数和解读。

  激光器的发射原理是粒子数反转 泵浦光源等,可自行学习。VCSEL是垂直腔面发射,一般是850nm用于多模光纤。共阴极。用于SR和AOC市场。

常温下的电光特性:

1、激光器发射是存在一个阈值电流的,大于这个阈值电流才会发光,在实际的开发中,偏置电流BIAS已经设置大于阈值电流了,所以0信号,激光器不是不发光而实发出微弱的光,0 1信号激光机发光电流控制大小分别为:

而消光比为1 0信号对应的光功率大小之比,所以调节BIAS和MOD会影响消光比,从而影响模块接收端的判决能力导致的误码情况。此激光器Ith为0.7mA,而100G 40G的模块BIAS在几个mA左右。值得注意的是高温下阈值电流通常会增大,所以模块的温补偏置和调制电流通常是增大的。

2、slope efficiency为激光器的斜率效率,衡量泵浦电流和发射光功率之间的线性关系,一般当电流变大,发射光功率也随之变大,所以单位为mW/mA。

3、optical output power为发射光功率,规格书提出了工作电流和对应的功率大小。

4、differential resistancew为差分阻抗,光芯片打线本身的特性阻抗,会影响高频信号的能量衰减等。

5、Spectral width, RMS均方根谱宽,光谱仪可测试,功率下降为一半时波长长度之差,高温要小于6.5nm。

6、3dB调制带宽,激光器调制带宽是指可以输出的或者加载的最高信号速率,3dB带宽则是功率谱密度下降一半对应的频率范围,在实际的开发中,通常有超频的方案,则是改变Driver芯片提供的电信号调制速率来改变光芯片的带宽,例如10G的芯片超频到25G,成本下降的同时也使得性能下降,一般发射眼图差。

7、Beam divergence为vcsel光束发散的角度。

8、Relative intensity noise是激光器的相对强度噪声。强度噪声更确切应该是功率噪声,在不同频率下的噪声。

相对强度噪声是指归一化为平均功率的功率噪声。关于强度噪声可见:http://baike.labbang.com/index.php/强度噪声

温度特性,波长,斜率效率随温度的变化。

一些温度,光功率,工作电流的绝对最大值和尺寸,不过多讲解。更多芯片规格书可从II VI官网下载,此芯片规格书下载见链接:

 

 

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