NOR FLASH技术结构

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前言

NOR Flash是一种主要的非易失闪存技术，与其他闪存存储器相比，其可擦除与可重复编程性能具有明显的优势，并且可靠性更高，随机读取速度更快，因而在新能源汽车上的应用十分广泛与重要。

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一、工作原理

其中主要的模块有：

（1） 存储阵列：数据存储模块，存储器的核心，主要由浮栅MOS管有序排列组成；

（2） 内部控制模块：包括串行外设通讯、状态寄存器、控制逻辑等器件模块，主要负责与外接接口及内部其他模块交汇，识别外部输入信息，协调完成不同指令以实现不同功能操作，并实现数据的输出；

（3） 选址操作模块：包括地址锁存、计算、地址译码器（由横向X和纵向Y两个译码器组成）等模块，相互作用，将输入的地址通过字线和位线选中存储单元，完成选址操作；

（4） 高压泵：在对存储阵列进行读出，编程和擦除操作时，需用到与VCC输入电压的不同正压或负压值，高压泵电路可完成此任务。

（5） 内存模块：包含I/O数据缓冲、锁存等模块，主要用以缓存写入的数据，以提高芯片的速度性能。

二. 基本特点

基于NOR Flash的基本结构分析，有以下基本特点：

（1） 支持芯片内执行程序，即应用程序可以直接在NOR Flash闪存内运行，省去把代码先读到系统RAM中再执行的步骤；

（2） 传输效率很高，尤其在小容量时（一般不大于128Mb）具有很高的性价比；

（3） 采用“或非”的逻辑门电路，读取速度快，写入和擦除速度较低；

（4） 不适合做大于1Gb的大容量存储。

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