一、Flash介绍
- | Nor | NAND |
---|---|---|
XIP(excute in place代码可以直接运行) | Yes | no |
性能(擦除) | 非常慢(5s) | 快(3ms) |
性能(写) | 慢 | 快 |
性能(读) | 快 | 快 |
可靠性 | 较高,位反转的比例小于NAND Flash的10% | 比较低,位反转比较常见,必须有校验措施,比如TNR必须有坏块管理措施 |
可擦除次数 | 10000 ~ 100000 | 100000 ~ 1000000 |
生命周期 | 低于NAND Flash的10% | 是Nor Flash的10倍以上 |
接口 | 与RAM接口相同 | I/O接口 |
易用性 | 容易 | 复杂 |
主要用途 | 常用于保存代码和关键数 | 用于保存数据 |
价格 | 高 | 低 |
因为Nor不会坏块和位反转,Nor通常用来存放内核、文件系统这些关键性代码,出错就玩蛋那种;Nand Flash 存储一些视频文件
Nor Flash支持XIP,即代码可以直接在Nor Flash上执行,无需复制到内存中。这是由于NorF lash的接口与RAM完全相同,可以随机访问任意地址的数据。Nor Flash进行读操作的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,另外,Nor Flash的容量一般比较小。NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大。一般而言,Nor Flash用于存储程序,NAND Flash用于存储数据。基于NAND Flash的设备通常也要搭配Nor Flash以存储程字。
Flash存储器件由擦除单元(也称为块)组成,当要写某个块时,需要确保这个块己经
被擦除。Nor Flash的块大小范围为64kB、128kB:NAND Flash的块大小范围为8kB,64kB,擦/写一个Nor Flash块需4s,而擦/写一个NAND Flash块仅需2ms。Nor Flash的块太大,不仅增加了擦写时间,对于给定的写操作,Nor Flash也需要更多的擦除操作——特别是小文件,比如一个文件只有IkB,但是为了保存它却需要擦除人小为64kB—128kB的Nor Flash块。
Nor Flash的接口与RAM完全相同,可以随意访问任意地址的数据。而NAND Flash的
接口仅仅包含几个I/O引脚,需要串行地访问。NAND Flash一般以512字节为单位进行读写。这使得Nor Flash适合于运行程序,而NAND Flash更适合于存储数据。
容量相同的情况下,NAND Flash的体积更小,对于空间有严格要求的系统,NAND Flash可以节省更多空间。市场上Nor Flash的容量通常为IMB~4MB(也有32MB的Nor Flash),NAND Flash的容量为8MB~512MB。容量的差别也使得Nor Flash多用于存储程序,NAND Flash多用于存储数据。
对于Flash存储器件的可靠性需要考虑3点:位反转、坏块和可擦除次数。所有Flash器件都遭遇位反转的问题:由于Flash固有的电器特性,在读写数据过程中,偶然会产生一位或几位数据错误(这种概率很低),而NAND Flash出现的概率远大于Nor Flash,当位反转发生在关键的代码、数据上时,有可能导致系统崩溃。当仅仅是报告位反转,重新读取即可:如果确实发生了位反转,则必须有相应的错误检测/恢复措施。在NAND Flash上发生位反转的概率史高,推荐使用EDC/ECC进行错误检测和恢复。NAND Flash上面会有坏块随机分布在使用前需要将坏块扫描出来,确保不再使用它们,否则会使产品含有严重的故障。NAND Flash每块的可擦除次数通常在100000次左右,是Nor Flash的10倍。另外,因为NAND Flash的块大小通常是NorF lash的1/8,所以NAND Flash的寿命远远超过Nor Flash。
嵌入式Linux对Nor、NAND Flash的软件支持都很成熟。在Nor Flash上常用jffs2文
件系统,而在NAND Flash常用yaffs文件系统。在更底层,有MTD驱动程序实现对它们的读、写、擦除操仵,它也实现了EDC/ECC校验。
二、使用uboot体验Nor Flash的操作
将uboot烧写到Nor上,使用Nor启动,进入uboot
MX29LV800BBTC.pdf
从原理图看,我们的Nor芯片位宽是16,所以看Word的命令。
怎么看这张表格呢?
以Read Silicon ID这行为例:
看Word这行,因为从Nor芯片的原理图看,Nor芯片位宽是16,所以看Word。
往555H写入AAH,往2AAH写入55H 往555H写入90H,从ADI读出DDI。
ADI和DDI是什么呢,在表格下方
ADI = Address of Device identifier; A1=0, A0 = 0 for manufacturer code,A1=0, A0 = 1 for device code. A2-A18=do not care.
(Refer to table 3)
DDI = Data of Device identifier : C2H for manufacture code, 22DA/DA(Top), and 225B/5B(Bottom) for device code.
1、读数据:
在u-boot上执行:md.b0
结果:
00000000:170000ea14f09fe514f09fe514f09fe5…
00000010:14f09fe514f09fe514f09fe514f09fe5…
00000020:6001f833c001f8332002f8337002f833`…3…3…3…3
00000030:e002f8330004f8332004f833efbeadde…3…3…3…
和我们烧进去的数据完全一样:
可以得出结论:u-boot可以像读内存一样来读nor flash
2、读ID:
读ID(参考Nor手册 的 COMMAND DEFINITIONS表格 ):
往地址555H写入AAH(解锁)
往地址2AAH写入55H(解锁)
往地址555H写入90H(命令)
读0地址得到厂家ID(C2H)
读1地址得到设备ID(22DAH或225BH)
退出读ID状态:给任意地址写F0H就可以了。
为什么需要退出读ID状态?
因为操作完后,再md.b0
读数据,读不出来,因为此时是读ID的状态。
注意,这里有12课讲的位宽设备的知识:
555H是nor认为的地址,而CPU认为的地址是555H<<1。
所以2440发出555H<<1的地址,Nor才能收到555H。
总结:
下面对在Nor Flash的操作,2440的操作,U-BOOT上的操作进行比较,如下表:
Nor Flash的操作 | 2440的操作 | U-BOOT上的操作 |
---|---|---|
往地址555H写入AAH(解锁) | 往地址AAAH写入AAH(解锁) | mw.waaa aa |
往地址2AAH写入55H(解锁) | 往地址554H写入55H(解锁) | mw.w 554 55 |
往地址555H写入90H(命令) | 往地址AAAH写入90H(命令) | mw.w aaa 90 |
读0地址得到厂家ID(C2H) | 读0地址得到厂家ID(C2H) | md.w 0 1 (1:表示读一次) |
读1地址得到设备ID(22DAH或225BH) | 读2地址得到设备ID(22DAH或225BH) | md.w 2 1 (1:表示读一次) |
退出读ID状态:给任意地址写F0H就可以了 | 退出读ID状态:给任意地址写F0H就可以了 | mw.w 0 f0 |
运行结果:
1).当执行过
md.w 0 1
结果(输出厂家ID):
00000000:00c2…(00c2就是厂家ID)
2).当执行过
md.w 2 1
结果(输出设备ID):
00000002:2249I"(2249就是设备ID)
3).当执行
mw.w 0 f0
就退出读ID的状态,
执行:
md.b0
结果:
00000000:17.(读到的就是Nor Flash地址·0的数据)
三、Nor Flash的两种规范
内核识别Nor Flash有两种方法:jedec cfi
jedec 探测 —— 老式的Nor
在内核里面事先定义一个数组,该数组里面放有不同厂家各个芯片的一些参数,探测的时候将 flash 的 ID 和数组里面的 ID 一一比较,如果发现相同的,就使用该数组的参数。
jedec 探测的优点就是简单,缺点是如果内核要支持的 flash 种类很多,这个数组就会很庞大。内核里面用 jedec 探测一个芯片时,是先通过发命令来获取 flash 的 ID,然后和数组比较,但是 flash.c 中连 ID 都是自己通过宏配置的。
CFI探测 —— 新式的Nor
CFI(common flash interface)探测,就是直接发各种命令来读取芯片的信息,比如 ID、容量等,芯片本身就包含了电压有多大,容量有有多少等信息。
打开Nor芯片手册,搜索”CFI“,找到Table 4-1. CFI mode: Identification Data Values
下面对在Nor Flash上操作,2440上操作,U-BOOT上操作cfi 探测(读取芯片信息)进行比较:
- | Nor Flash上操作cfi | 2440上操作cfi | U-BOOT上操作cfi |
---|---|---|---|
进入cfi模式 | 往55H地址写入98H | 往AAH地址写入98H | mw.w aa 98 |
读数据 | 读地址10H得到0051 | 读地址20H得到0051 | md.w 20 1 |
读数据 | 读地址11H得到0052 | 读地址22H得到0052 | md.w 22 1 |
读数据 | 读地址12H得到0059 | 读地址24H得到0059 | md.w 24 1 |
读数据 | 读地址27H得到容量 | 读地址4EH得到容量 | md.w 4e 1 |
三、往Nor Flash写数据
我们在Nor Flash的10000的地址读数据, (0x10000是1M的地方)
md.w 100000 1
结果:
00100000:ffff…
在Nor flash的10000的地址写数据下0x1234,
mw.w 100000 1234
然后在这个地址读数据,
md.w 100000 1
结果:
00100000:ffff(这个地址上的数据没有被修改,写操作无效)。
3000000写就有效,因为3000000对应的是内存地址
md.w 30000000 1
结果:
30000000:5a7f .7
在Nor flash的100 00的地址写数据下0x1234,
mw.w 30000000 1234
然后在这个地址读数据,
md.w 30000000 1
结果:
00100000:1234(写操作有效)。
怎样把数据写进Nor Flash进去呢?
写数据之前必须保证,要写的地址是擦除的,就是ffff…,如果不是ffff要擦除。
看Nor手册的program命令,
下面是Nor Flash的写操作,如下表:
Nor Flash上操作写操作 | 2440上操作写操作 | U-BOOT上操作写操作 |
---|---|---|
往地址555H写AAH(解锁) | 往地址AAAH写AAH(解锁) | mw.w aaa aa |
往地址2AAH写55H(解锁) | 往地址554H写55H(解锁) | mw.w 554 55 |
往地址555H写A0H | 往地址AAAH写A0H | mw.w aaa a0 |
往地址PA写PD | 往地址0x100000写1234h | mw.w 100000 1234 |
1).U-BOOT执行完上述指令后,0x1234,就被写到0x100000地址处,
执行:
md.w1000001
结果(1234被写进去):
00100000:1234 4
从这里可以看出来U-BOOT的操作不是很复杂。
2).我们再次往0x100000地址处,写入0x5678,执行如下命令:
mw.w aaa aa
mw.w 554 55
mw.w aaa a0
mw.w 100000 5678
查看0x100000地址处的数据
md.w 100000 1
结果:
00100000:12300.
0x100000地址处的数据不是0x5678,写操作失败,失败的原因是,原来的数据已经是0x1234不是全0xffff,再次写操作失败,(Nor Flash只有先擦出,才能烧写)。
先擦除(参考Nor Flash芯片手册)
Nor Flash操作 | u-boot操作 |
---|---|
555H AAH | mw.w aaa aa |
2AAH 55H | mw.w 554 55 |
555H 80H | mw.w aaa 80 |
555H AAH | mw.w aaa aa |
2AAH 55H | mw.w 554 55 |
SA 30H//往扇区地址写入30 | mw.w 100000 30 |
执行完上述指令后测试
执行:
md.w 100000 1
结果:
00100000:ffff…
已被擦除,这个时候再次烧写就不会有问题了。
再烧写
mw.w aaa aa
mw.w 554 55
mw.w aaa a0
mw.w 100000 5678
测试烧写结果
执行:
md.w 100000 1
结果:
00100000:5678 xV
数据被烧写进去,烧写成功。