《炬丰科技-半导体工艺》湿法刻蚀硅片表面性能的变化

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：湿法刻蚀硅片表面性能的变化
编号：JFKJ-21-1341
作者：华林科纳

本研究研究了湿法蚀刻下硅晶片back-side面的表面特性，测量分析表面形状、表面电阻、测量范围下的表面粗糙度，分物理特性和电特性，对比分析相关关系，并最终确定，目的提高产品的电特性，采用P-type晶片蚀刻，蚀刻溶液以氢氟酸、硝酸为基础，以醋酸为添加剂。

硅晶片的湿法蚀刻
本研究使用的晶片采用公司生产的硅晶片，是利用法生长成单晶的等级的硅烷晶片，向晶方向生长制备而成，是添加了13族元素硼(B)的p-type，比电阻为1~10ohm·cm，厚度为600μm，制作完成后前表面进行了聚能处理，后表面采用进行了磨边处理，蚀刻溶液的制备如下: 分别为氢氟酸、硝酸和醋酸，各自浓度分别为55、60和99.85 wt%。 将硝酸和乙酸固定为8wt.%，氢氟酸变为28、30、32、34和36wt.%，其余量为超纯。 每个样品名与氢氟酸浓度相匹配，分别为HF28、HF30、HF32、HF34、HF36，制备了蚀刻溶液，然后将硅晶片滴定到蚀刻溶液中进行了蚀刻， 此时，蚀刻时间保持在10分钟，蚀刻温度保持在40℃，蚀刻前后用18MΩ的超纯水对晶片进行了清洗，干燥采用了气动干法。
主要分为物理特性和电气特性进行了测量和分析，物理特性再测量了表面形貌和表面粗糙度，电特性则用硅晶片的表面电阻和比电阻测量进行，首先在表面形貌测量上分宏观和微观两个区域进行，区域用AFM进行了测量，表面粗糙度测量用AFM和α-step，宏观区域用α-step，微观区域用AFM进行了测量