备战秋招——【器件设计01】SRAM基本原理

一、什么是SRAMDRAM，与Flash的区别

依照停止供应电源是否还能保留数据，分成：易失性与非易失性存储。

易失性存储分成 DRAM 和 SRAM。SRAM 更快但价格更贵，所以主存储器多用 DRAM、快取多用 SRAM。
非易失性存储分成 ROM 和 Flash。主要用来作为硬盘。

Flash 又分成 NOR Flash 与 NAND Flash，现在硬盘多以 NAND Flash 为主。

二、SRAM

1. 基本原理

核心是双稳态触发器。

CP = 1，当D = 0时，Q = 0；
CP = 1，当D = 1时，Q = 1；

2.基本结构

SRAM存储单元由多种形式，如四管、六管单元。

可以看出M5、M6为开关管（工作在可变电阻区Vds≈0<Vgs-Vth）。
M1、R1与M2、R2构成了两个首尾相接的反相器，也就是RS触发器的样子，用来做寄存器，当开关关断后，重要保证不掉电即可以实现1 bit存储。

同理M5、M6为开关管（工作在可变电阻区Vds≈0<Vgs-Vth）。
M1、M2与M3、M4构成了两个首尾相接的反相器，用来做寄存器，当开关关断后，重要保证不掉电即可以实现1 bit存储。

6管相较于4管的优势：

①低功耗。单用n或者pMOS，在其中一个逻辑态电流一直是通的。而CMOS只有在过渡时短暂有较大的电流，在稳态没有显著电流。（静态电流：电流直接决定功耗，决定焦耳热，在大规模下对性能的影响非常大。）
②抗干扰能力强。（VTC性能：包括放大倍数、阈值电压、抗噪音能力、过渡区域坡度等等。在处理高频信号时这些指标非常重要。如果反相器不能“干净利落”地实现过渡，那么在处理高频信号会导致失真。）
③面积小，成本低。在集成电路里，电阻相比之下更占空间，能不用就不用。

三、参考

https://www.zhihu.com/question/374659678