到运放了，运用差分放大电路和直接耦合方式
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第四章 集成运算放大电路
集成运算放大电路结构特点
集成运放的电路结构特点
一、因为硅片上无法制作大电容，所以集成运放采用直接耦合方式
二、因为相邻元件具有良好的对称性，所以电路采用各种差分放大电路（作输入级）和恒流源电路（做偏置电路或有源负载）。
三、允许复杂的电路形式
四、硅片上不宜制作高阻值电阻，所以用有源元件（晶体管或场效应管）取代电阻
五、常采用复合形式
集成运放电路的组成及其各部分的作用
一、输入级
输入级又称前置级，它是一个双端输入的高性能差分电路。一般要求输入电阻高，差模放大倍数大，抑制共模信号能力强，静态电流小。
二、中间级
中间级是整个放大电路的主放大器，其作用是使集成运放具有较强的放大能力，多采用共射（或共源）放大电路。
三、输出级
输出级具有输出电压线性范围宽、输出电阻小（即带负载能力强）、非线性失真小等特点。集成运放的输出多采用互补输出电路
四、偏置电路
偏置电路用于设置运放各级放大电路的静态工作点。
集成运放的电压传输特性
如图曲线为电压传输特性，即
u
o
=
f
(
u
p
−
u
N
)
u_o=f(u_p-u_N)
uo=f(up−uN)
分为放大区（线性区）和饱和区（非线性区）
电压放大倍数称为差模开环放大倍数，记为
A
o
d
A_{od}
Aod
u
o
=
A
o
d
(
u
p
−
u
N
)
u_o=A_{od}(u_p-u_N)
uo=Aod(up−uN)
集成运放中的电流源电路
基本电流源电路
一.镜像电流源
T
0
T_0
T0和
T
1
T_1
T1特性完全相同
基准电流
I
R
I_R
IR：
I
R
=
(
V
C
C
−
U
B
E
)
/
R
I_R=(V_{CC}-U_{BE})/R
IR=(VCC−UBE)/R
(
U
C
E
和
U
B
E
相
同
)
(U_{CE}和U_{BE}相同)
(UCE和UBE相同)
U
B
E
1
=
U
B
E
0
，
I
B
1
=
I
B
0
,
I
C
1
=
I
C
0
=
I
C
U_{BE1}=U_{BE0}，I_{B1}=I_{B0},I_{C1}=I_{C0}=I_{C}
UBE1=UBE0，IB1=IB0,IC1=IC0=IC
I
R
=
I
C
0
+
I
B
1
+
I
B
0
=
I
C
+
2
I
C
β
I_R=I_{C0}+I_{B1}+I_{B0}=I_{C}+\frac{2I_{C}}{\beta}
IR=IC0+IB1+IB0=IC+β2IC
I
C
=
β
β
+
2
⋅
I
R
I_{C}=\frac{\beta }{\beta+2}\cdot I_{R}
IC=β+2β⋅IR
(
若
β
>
>
2
,
则
I
C
≈
I
R
)
(若\beta >>2,则I_{C}\approx I_{R})
(若β>>2,则IC≈IR)
电路中的负反馈：
当
I
C
I_{C}
IC增大，使得
I
R
I_{R}
IR增大，
U
R
U_{R}
UR电压增大，集电极电位降低，则基极电位降低，进而
I
B
I_{B}
IB减小，则
I
C
I_{C}
IC减小
二.比例电流源
可以在两管子的发射极加上两个
R
e
{R_e}
Re，这样可以控制电流与
I
R
I_R
IR成比例关系
由电路的下面一个回路可得
U
B
E
0
+
I
E
0
R
e
0
=
U
B
E
1
+
I
E
1
R
e
1
U_{BE0}+I_{E0}R_{e0}=U_{BE1}+I_{E1}R_{e1}
UBE0+IE0Re0=UBE1+IE1Re1
由晶体管发射极电流和b—e间电压的关系为
I
E
≈
I
S
e
U
B
E
U
T
I_E\approx I_Se^{\frac{U_{BE}}{U_T}}
IE≈ISeUTUBE
得
U
B
E
≈
U
T
l
n
I
E
I
S
U_{BE}\approx U_Tln\frac{I_E}{I_S}
UBE≈UTlnISIE
所以可得
U
B
E
0
−
U
B
E
1
≈
U
T
l
n
I
E
0
I
E
1
U_{BE0}-U_{BE1}\approx U_Tln\frac{I_{E0}}{I_{E1}}
UBE0−UBE1≈UTlnIE1IE0
整理得
I
E
1
R
e
1
=
I
E
0
R
e
0
+
U
T
l
n
I
E
0
I
E
1
I_{E1}R_{e1}=I_{E0}R_{e0}+U_Tln\frac{I_{E0}}{I_{E1}}
IE1Re1=IE0Re0+UTlnIE1IE0
当
β
>
>
2
\beta >>2
β>>2时，
I
C
0
=
I
E
0
=
I
R
I_{C0}=I_{E0}=I_R
IC0=IE0=IR,
I
C
1
=
I
E
1
I_{C1}=I_{E1}
IC1=IE1
所以
I
C
1
=
R
e
0
R
e
1
I
R
+
U
T
1
R
e
1
l
n
I
R
I
C
1
I_{C1}=\frac{R_{e0}}{R_{e1}}I_{R}+\frac{U_{T1}}{R_{e1}}ln\frac{I_R}{I_{C1}}
IC1=Re1Re0IR+Re1UT1lnIC1IR
忽略对数项
I
C
1
≈
R
e
0
R
e
1
I
R
I_{C1}\approx \frac{R_{e0}}{R_{e1}}I_{R}
IC1≈Re1Re0IR
可以通过改变
R
e
0
和
R
e
1
{R_{e0}}和{R_{e1}}
Re0和Re1的值来改变
I
C
1
I_{C1}
IC1
I
R
≈
V
C
C
−
U
B
E
0
R
e
0
+
R
e
1
I_R\approx \frac{V_{CC}-U_{BE0}}{R_{e0}+R_{e1}}
IR≈Re0+Re1VCC−UBE0
一般集成运放要求很小的电流，所以就有了
三.微电流源
我们可以加大R，使得电流减小，但是R没法一直加大，因为在集成电路中做不了大电阻
要求提供很小的微电流，又不能使用大电阻
可以在
T
1
T_1
T1的发射极加个电阻
因为
U
B
E
1
和
U
B
E
0
U_{BE1}和U_{BE0}
UBE1和UBE0相差很小，所以
I c 1 ≈ I e 1 = U B E 1 − U B E 0 R e I_{c1}\approx I_{e1}=\frac{U_{BE1}-U_{BE0}}{R_e} Ic1≈Ie1=ReUBE1−UBE0
只要不太大的 R e {R_e} Re就可以获得很小的电流
I C 1 = U T 1 R e 1 l n I R I C 1 I_{C1}=\frac{U_{T1}}{R_{e1}}ln\frac{I_R}{I_{C1}} IC1=Re1UT1lnIC1IR
I
R
=
V
C
C
−
U
B
E
0
R
I_R=\frac{V_{CC}-U_{BE0}}{R}
IR=RVCC−UBE0
设计时先选定
I
E
0
和
I
E
1
I_{E0}和I_{E1}
IE0和IE1，然后确定R和
R
e
{R_e}
Re
多路电流源
根据所需静态电流，来选取发射极电阻的阻值
根据所需静态电流，来确定集电结面积
根据所需静态电流，来确定沟道尺寸
有源负载放大电路
集成运放的电路简介
双极性集成运放电路原理
单极性集成运放电路原理（cmos）
集成运放的性能指标及低频等效电路
参数
一.开环差模增益
A
o
d
A_{od}
Aod
常用分贝（db）表示
其分贝数为20lg|
A
o
d
A_{od}
Aod|，典型值为106db
四.输入失调电压
U
I
O
U_{IO}
UIO和温漂
d
U
I
O
d
T
\frac{d U_{IO}}{dT}
dTdUIO
使
U
O
U_{O}
UO为零在输入端所加的补偿电压
在温度变化下变化的
U
I
O
U_{IO}
UIO即
d
U
I
O
d
T
\frac{d U_{IO}}{dT}
dTdUIO
五.输入失调电流 I I O （ ∣ I B 1 − I B 2 ∣ ） I_{IO}（|I_{B1}-I_{B2}|） IIO（∣IB1−IB2∣）和温漂 d I I O d T \frac{d I_{IO}}{dT} dTdIIO
I
I
O
=
∣
I
B
1
−
I
B
2
∣
I_{IO}=|I_{B1}-I_{B2}|
IIO=∣IB1−IB2∣
总结
集成运放的种类及选择
集成运放的使用
一.输入保护
左边是限制输入差模电压幅值
右边是限制输入共模电压幅值
R是限流电阻
二.输出保护
限制输出电压，保护输出端
三.电源保护
防止电源接反
四.集成运放低频等效电路
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