Buck降压型开关稳压器自举电路

Buck开关通常采用N-MOS管,因其导通电阻低和成本优势。同步结构中,上管可能需P-MOS配自举电路或全N-MOS设计。自举电路在占空比小于65%时有效,高占空比可能导致不稳定。解决方法包括使用电荷泵或外部自举电路,后者可能引入噪音并需电压管理。

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在Buck开关中,常使用N-MOS管作为功率开关管。相比于P-MOS,N-MOS具有导通电阻低价格便宜且流过电流较大等优势。在同步结构中对于开关管的使用一般有两种方式:

  • 上管为P-MOS,下管为N-MOS;无需外部自举电路
  • 上下管均为N-MOS;需要外部自举电路
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从上图可知,由于N-MOS导通条件是栅极电压比源极电压高。对于上管而言必须增加自举电路才能保证上管完全导通。下面就介绍下自举电路原理:

①当上管关断下管打开时,开关节点处的电压拉低到GND。这时内部电源通过二极管给电容进行充电。
②当上管打开下管关断时,开关节点电压变高。二极管处于截至状态,此时充满电的自举电容开始工作,由于电容两端电压不能突变,导致上管栅极的电压提升到Vin+内部电源-二极管正向导通电压,大于源极电压Vin,保证上管顺利导通。

自举电路使用于占空比比较小(D<65%)的场合,如果占空比过大会出现不稳定情况。

当占空比很大时,即下管导通时间很短,因为在下管导通时自举电容才会充电。这样会造成关断时间给电容充电的能力不足够驱动消耗会导致Boot引脚电压持续下降。当该电压掉到无法完全驱动上管时,上管驱动电路关闭出现不稳定情况。

为了解决高占空比下自举电容的问题,下面介绍几种方法:

  • 使用PMOS作为上管
  • 继续使用N-MOS,内部需要使用电荷泵电路来替代自举电容,目的一样。这个需要持续提供高于VIN的电压,实现起来较复杂且成本增加。
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  • 外部自举电路

最常用的方法是外部添加自举电路,外部电源V_ext一般可以在Vout端直接取电,但一般在3.3-5V。大于5V时会导致较高的驱动能力会引入噪音,形成不稳定的开关切换过程。当大于5V时需要增加分压电阻分压或者稳压管来实现,如下图示意:

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### Buck电路中MOSFET选型:N沟道 vs P沟道 在Buck转换器设计过程中,选择合适的MOSFET对于提高效率至关重要。通常情况下,N沟道和P沟道MOSFET各有优劣。 #### N沟道 MOSFET 的优势 由于N沟道器件具有更低的导通电阻特性,这使得其传导损耗更小,从而提高了整体工作效率[^1]。具体来说: - 更低的Rds(on),意味着较低的工作温升; - 较高的驱动电流能力,适合较大功率应用场合; - 成本相对低廉; 然而,在实际使用时需要注意的是,为了有效控制N沟道MOSFET开关动作,往往需要额外提供高于输入电源电压的栅极驱动信号源来确保充分饱和工作状态。 #### P沟道 MOSFET 的特点 相比之下,虽然P沟道MOSFET可能不具备同样优秀的电气性能指标,但在某些特定应用场景下却有着独特的优势: - 不需复杂辅助供电回路即可实现简单直接逻辑电平兼容操作; - 对于低压情况下的同步整流尤为适用; 不过值得注意的一点是,当涉及到较高频率切换以及更大负载需求时,P沟道MOSFET较高的内阻会带来更大的功耗损失。 综上所述,在大多数高效能要求严格的DC/DC变换器设计方案里,倾向于选用具备优良动态响应特性的N沟道MOSFET作为主要开关元件,并通过合理布局PCB走线等方式优化整个系统的电磁兼容性和热管理表现[^2]。 ```python # Python伪代码展示如何判断MOS管类型 def identify_mosfet_type(pin_s, pin_d, arrow_direction): """ 判断给定引脚配置对应的MOS管类型 参数: pin_s (str): S端名称 ('source') pin_d (str): D端名称 ('drain') arrow_direction (tuple of str): 中间衬底箭头方向元组 返回: str: 'N沟道' 或 'P沟道' """ if all([arrow == "from_S_to_D" for arrow in arrow_direction]): return "N沟道" elif all([arrow == "from_D_to_S" for arrow in arrow_direction]): return "P沟道" else: raise ValueError("无法识别的MOS管类型") ```
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