微纳半导体制程

目录

一. 黄光工艺技术（微影技术）

1.1. 光刻胶的分类

1. 2. 黄光制程

​二.  光刻流程

 2.1. 表面处理

 2.2. 光刻胶及其旋涂 

 2.3. 预焙(软烤)口

2.4. 对准曝光 显影​

2.5 后烤（硬烤）

2.6 刻蚀

刻蚀分类

 2.7 镀膜

 2.8 举离

 2.9 光刻胶去除 

总结

制作掩模版的过程

 晶圆光刻过程

一. 黄光工艺技术（微影技术）

显影液里去显影才能看再硅片上看到图案。

光刻胶分为正胶、负胶。

1.1. 光刻胶的分类

光刻根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种－正性光刻胶（positive photoresist）和负性光刻胶（negative photoresist）。

• 正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未曝光部分不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。

• 负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液，而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。

1. 2. 黄光制程

二.  光刻流程

•  表面处理
• 光阻旋涂
• 预焙(软烤)口
• 对准曝光
• 显影
• 后烤(硬烤)
• 使用光刻胶作为掩蔽层进行蚀刻
• 剥离/灰化
• 清洁.

 2.1. 表面处理

 2.2. 光刻胶及其旋涂 

  

 

 2.3. 预焙(软烤)口

2.4. 对准曝光 显影

 

 掩模版

光刻原理图

2.5 后烤（硬烤）

2.6 刻蚀

刻蚀分类

 

 2.7 镀膜

蒸镀，只是在表面形成一层镀膜，容易举离

溅镀，会在四周都会形成镀膜包裹，不方便举离

 2.8 举离

 2.9 光刻胶去除 

总结

制作掩模版的过程

 晶圆光刻过程