嵌入式---＞内存管理

• 由于本人是先学的C/C++内存管理，所以也是基于这个理解的嵌入式内存管理

1. 基础认知

• STM32F7 Cortex-M7内核使用32位地址总线，虚拟映射了4G的可访问内存 (0xFFFF FFFF = 2^32 ≈ 4GB)
• 单片机与电脑/linux嵌入式 在代码运行的空间上不同。大多数单片机，代码都是在Flash中运行的。而电脑/linux嵌入式，是将代码从存储介质（可能是硬盘/SD卡/EMMC/NAND）中读出，拷贝到RAM，再在RAM中去执行代码。需要一定的Flash与RAM的基础认识
• 嵌入式系统中，比较常见的Contex-M的虚拟内存划分如下：
  • 可以看到FLASH对应的区域为 0x0800 0000 开始的
  • RAM对应的区域是从 0x2000 0000 开始
    

2. Keil MDK中的内存划分

2.1 内存使用的查看

• 工程编译后，一般在Debug目录下会生成%Project_name%.map文件，打开 *.map文件，包含了各个函数和文件占用的空间大小和地址。
• *.map 末尾出现以下内容
  
• 简单的说就是在烧写的时候是FLASH中的被占用的空间为：Code + RO Data + RW Data
  上图示例工程中FLASH的占用大小为 54.66 KB
• 程序运行的时候，芯片内部RAM使用的空间为： RW Data + ZI Data
  上图示例工程中ARM的占用大小为 6.11 KB

2.2 内存划分

• 内存的划分如下表

  缩写	作用
  Code	储存程序代码
  RO Data	存储Const常量和指令
  RW Data	储存初始化值不为0的全局变量
  ZI Data	储存未初始化的全局变量和初始化值为0的全局变量

• Flash存储：Code + RO Data + RW Data ；
  

• RAM存储：RW Data + ZI Data ; RAM还有堆栈区域，储存动态分配内存和局部变量，初始化值为0的全局变量
  

问答

为什么 FLASH 和 RAM 都存在RW-Data？

• 可以看到 2.2章节 内存划分，RW-Data 对应到ARM中的date段，初始化值非0的全局变量，由于ARM掉电丢数据，所以有值的数据需要拷贝到FLASH中，FLASH中的Copy of Data Section便是拷贝的data段，在上电后会从FLASH中将初始化值不为0的全局变量再拷贝到ARM中，所以RW-Data既存在于FLASH又存在于RAM中
• 那为什么不直接将全局变量放在FLASH中呢？
  • 这是由于FLASH的性能决定的，片内的可执行程序的FLASH为NOR FLASH，NOR FLASH的写性能很差，需要先擦除再写，作为一个全局变量，读写是频繁的，显然这是不允许的
• 总结：
  • RW-Data掉电需要保存，所以必须要存储在FLASH 中
  • RW-Data需要频繁读写，所以读写速度要快，所以必须在RAM中使用

为什么有的程序可以在FLASH中运行，有的却必须要在RAM中运行呢？

• 这是由于选择不同FLASH决定的
  • NOR FLASH，可以直接寻址一个字节，可以找到一个指令的具体地址，因此可以直接运行。
  • NAND FLASH 的存储单元是块，不能对指令直接寻址，因此不能直接运行其中的代码。只能将NAND FLASH中的代码拷贝到ARM中才能运行。
• 对于NAND FLASH中的代码大小大于 RAM的大小的情况，可以分时分段使用，运行起来也是没有问题的。

为什么烧录程序地址有时是0X0800 0000 有时是 0x2000 0000

• 程序文件一般都需要烧录到芯片的Flash存储器中。Flash存储器通常分为两个区域，分别是主Flash区和备份Flash区。其中，0x08000000是主Flash区的起始地址，0x20000000是备份Flash区的起始地址。
• 0x0800 0000是内置FLASH的起始地址，0x2000 0000 是内置SRAM的起始地址，他们都可以作为程序的启动地址

为什么STM32的Flash地址是0x08000000，而不是0x00000000？

参考链接

STM32 内存分配解析及变量的存储位置
KEIL MDK 查看代码量、RAM使用情况–RO-data、RW-data、ZI-data的解释
嵌入式系统中，FLASH中的程序代码必须搬到RAM中运行吗？
RAM、ROM、Flash的分类、NOR FLASH和NAND FLASH性能比较