半导体人天天说的FIB和Probe，到底是干啥？

大家好，我是硅言。入职第一周，我被主管叫到实验室：“芯片有个信号异常，你和前端同事一起去做FIB修改，再现场Probe抓波形分析。”听到“FIB”“Probe”这两个词，我的大脑一片空白——这到底是啥？是某种神秘代码，还是实验室黑话？直到站在那台闪着冷光的聚焦离子束（FIB）设备前，看着工程师用离子束在芯片上“雕刻”线路，完成后通过Probe机台，使用“扎针”的方式引出被测信号，我才意识到：​​FIB与Probe，是芯片失效分析中的“微创手术刀”与“听诊器”​​。

一、FIB：芯片的“微创手术刀”

什么是FIB？

FIB（聚焦离子束，Focus Ion Beam）是半导体行业中的“纳米级手术刀”，通过高能镓离子束对芯片进行精准切割、沉积或修改电路。它的核心价值在于：无需重新流片，即可修复设计缺陷或提取内部信号。芯片流片（试生产）后，如果发现设计缺陷（比如某条电路走错路了），传统方法只能重新设计、重新流片，耗时数月、烧钱千万。而FIB能直接在芯片上现场修改电路，就像医生用手术刀切除病灶，无需重新流片！

FIB如何拯救问题芯片？

• 电路修改：例如，在模拟模块的Bandgap电路输出端发现设计错误，FIB可切断原有走线并沉积新金属，重新连接正确路径。
• 信号侦错：通过FIB在芯片表面“长”出临时测试点（Probe Pad），将内部信号引至表层，供探针直接接触测量。
• 晶背修补：针对先进制程（如3nm）的复杂布线，FIB甚至可从芯片背面穿透硅基材进行修改，成功率更高。

二、Probe：芯片信号的“听诊器”

什么是Probe？

Probe（探针测试）是用金属探针直接接触芯片的焊盘（Pad），实时抓取内部电信号的技术。Probe测试分为两类：​​晶圆探针测试（CP测试）​​和​​失效分析中的定点信号抓取​​，核心是通过探针接触芯片焊盘（Pad）进行电信号验证。

• 晶圆测试（CP测试）​​：在封装前筛选不良裸片（Die），通过探针卡（Probe Card）接触晶圆上的芯片焊盘，进行AC、DC、功能等测试，筛掉坏芯片，避免封装浪费。
• 芯片失效后，用Probe定位故障点。当FIB修改后需验证信号，工程师会再用Probe探针台定点接触芯片焊盘，通过示波器抓取波形分析。

从失效定位到修复验证​

在芯片失效分析中，FIB与Probe常联动：​​Probe定位电性异常​​，通过电测发现漏电或短路点；​​FIB物理干预​​，切割或修复缺陷区域；二次Probe验证​​，重新抓取信号确认修复效果。典型流程​​：

失效芯片 → Probe电测发现异常 → FIB截面分析/修复 → Probe复测 → 数据对比 → 结论输出

回望初次面对FIB与Probe的手忙脚乱，如今更深刻体会到：芯片测试不仅是技术活，更是对耐心与全局思维的考验。每一次探针接触、每一束离子雕刻，都在微观世界中书写着“零缺陷”的追求。现在，硅言终于理解：​​FIB与Probe不仅是工具，更是工程师与芯片对话的语言​​。它们让不可见的缺陷显形，让纳米级的误差无所遁藏。

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