半导体制程之工艺全貌#1.1工艺简介

大规模集成电路（Large-Scale Integration，LSI）是一种在微电子领域中使用的概念，指将大量数目的晶体管和其他电子元件集成在一个单一的芯片上。这项技术被广泛应用于电子设备中，很大程度上促进了计算机、通信和其他电子产品的发展。本节讨论的为LSI工艺。
 

半导体的主要分类(按材料和产品分类)
半导体材料
按材料分类

• 单元素类材料硅基
• 非晶硅和多晶硅
• 单晶硅
• 碳基
• 化合物类材料(多种元素同族 (IV族)SiC等多族 (I-V族)等GaAs、GaN 等

半导体产品
按产品分类

• MOS微处理器
• MOS逻辑
• MOS存储器
• 模拟IC
• 数字双极
• 分立器件
• 光器件
• 传感器和执行器

        在半导体产业中，制造工程被称为工艺 (Process)，理由是什么?虽然没有明确的答案但笔者认为，与其说加工尺寸微小 (目前是 nm 制程)，不如说制造过程无法用肉眼看到所致。例如像电视机和汽车这样的组装工程，因为是肉眼可见的，所以不能把制造工程称为工艺。此外，半导体产品还有一个特点，即不是一个一个生产，而是批量生产，之后进行分割。因此，在半导体中，可能比较适合使用具有相对抽象含义的术语“工艺”(Process)。

        半导体工艺包含前段制程和后段制程。这里的前段制程主要是对硅晶圆进行加工，所以也被称为晶圆工艺 ( Wafer Process)。主要的6个工艺会反复多次进行，笔者称之为“循环型工艺”。化学工业常被称为“工艺产业”，也是因为化学产品要经过热分解、聚合、蒸馏等工艺，故而得名。而且同样也是先大量生产，之后进行分装。与此相对应，后段制程包括封装工序，笔者因此称之为从上游到下游的“Flow 型工艺”。
        前段制程可以进一步分类为前端 (Front-End) 和后端 (Back-End)。前者主要是形成晶体管等元件，而后者主要是形成布线。而且加工尺寸非常小，只有几十 nm(纳米)。因此，硅晶圆的洁净度要求变得更加严格，而且对生产设备和晶圆厂 (fab) 的洁净度也有很高的要求，生产设备的价格也会更加昂贵，晶圆厂建设的投资额也会更加庞大。这里涉及的工艺实在硅晶圆的表面（镜面）进行工艺加工，不在硅晶圆背面（磨砂面）进行加工。

        前段制程主要分为六大工艺分别为：

清洗(WET)，成膜(THIN)，光刻(PHOTO)，蚀刻(ETCH)，扩散(DIFF)，研磨（CMP）

以上工艺组合多次循环把前段制程集成化。

        前段制程分为：

        1.前端工艺（晶体管形成，相对较高温度，1000°C）；

        2.后端工艺（多层布线形成，500°C以下）

后段制程：将晶圆上制作的LSI切成芯片（Die）、装入封装、进行出货检查的工程。

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