《数字集成电路设计从入门到精通——电路仿真与版图设计篇》 : ② NMOS管参数仿真

一、搭建仿真原理图

“File”->“New”->“Cell View…”，在已建立的设计库 VLSI 中新建名为 NMOS_test的单元电路。
（详情见① cadence环境配置与基操中：“三、Cadence基操”的“3.新建CellView”）
如图所示：
——————图1 新建名为 NMOS_test 的单元电路——————
键入"i"，添加一个 NMOS 管，设置尺寸为最小尺寸，即宽度 W = 450 nm，长度 L = 300 nm。如图：
——————————图2 添加一个最小尺寸NMOS管———————————
如图 3_1和图3_2，添加测试元件，包括直流电源 vdc，设置直流电压为 Vgs 和 Vds，以及地 gnd。

——————————————图3_1添加测试电源 vdc————————————

——————————————图3_2添加测试电源 vdc————————————
这些元件都包含在 analogLib 库中，是不包含寄生参数的理想元件。最终的原理图如图4：

二、对 NMOS 单管进行直流仿真

首先，在电路编辑页面的任务栏选择：“Tools”->“Analog Environment”，打开仿真界面"ADE"。
“Setup”->“Simulator/Directory/Host …”，选择"Simulator"为"spectre"。

在仿真界面"ADE"的任务栏选择：“Setup”->“Model Library …”，添加"tsmc25N"模型库。（参照上一篇文章的图20、图21）
在仿真界面"ADE"的任务栏选择：“Variables”->“Copy From Cellview…”，将原理图中设置的参数复制到设计参数框中，双击设置 “Vgs"和"Vds"为：1.25V。


在仿真界面"ADE"的任务栏选择：“Analyses”->“Choose …”，选择仿真类型为 dc 仿真。

选中所要进行的仿真，然后在仿真界面"ADE"的任务栏选择：“Simulation”->“Netlist and Run”，启动仿真。或点击快捷键“绿灯”：
点击"OK”：


在仿真界面"ADE"的任务栏选择：“Results”->“Print”，在"Results Display Window"窗口打印结果。
“Results”->“Print Annotate”，在原理图中打印结果
− DC Node Voltages，选择连线，打印改点直流电压
− DC Operating Points, 选择元件，打印直流工作点
− Model Parameters, 选择元件，打印模型参数

三、参数扫描

接下来画出 NMOS 管的 I-V 曲线。首先，在仿真界面"ADE"的任务栏选择：“Outputs”->“To be Plotted”->“Select on Schematic”，在原理图选择 MOS 管的 D 端端点，保存漏端电流。

双击仿真界面"ADE"已添加的"dc" 仿真，设置参数扫描如图12：

选中dc，再"Netlist and Run"，仿真结束后直接画出曲线：

Results  Direct Plot  Main Form …，选择 Function 为 Current，回到原理
图中单击 D 端，也可画出同样的曲线。

在 dc 仿真设置中设置参数变量为 Vds，对 Vds 进行扫描，得到I-Vds 曲线：

接下来画出不同 Vgs 电压时的 I-Vds 曲线。在"ADE"界面选择：“Tools”->“Parametric Analysis…”，在上一步基础上添加第二个变量：Vgs，如下：

在上图"Parametric Analysis"设置界面选择：“Analysis”->“Start”，开始参数扫描：