三极管内部载流子的运动和各级电流分配

最新推荐文章于 2024-08-11 23:46:27 发布

fbhurd

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文章标签：硬件工程

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_43009770/article/details/128177972

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三极管发射区掺杂浓度高，基极薄，集电极结面积大。

发射极：Emitter，基极：Base，集电极：Collector。

四种偏置方式：

以NPN型为例。放大状态时三极电压大小： $U_{C}>U_{B}>U_{E}$

$I_{EN}$ ：发射区大量自由电子扩散到基区形成

$I_{EP}$ ：基区多子（空穴）扩散到发射区形成

$I_{E}=I_{EN}+I_{EP}$ 即扩散运动形成的发射极电流是电子电流和空穴电流之和。

$I_{BN}$ ：发射区自由电子极小部分被基区空穴复合部分电流

$I_{CN}$ ：发射区自由电子大部分到达集电结形成的电流

$I_{EN}=I_{BN}+I_{CN}$ 即发射区的自由电子分配给基极和集电极。

$I_{CBO}$ ：集电极到基极的反向饱和电流

$I_{C}=I_{CBO}+I_{CN}$

$I_{B}+I_{CBO}=I_{BN}+I_{EP}$

可以引入共基直流电流放大系数 $\overline{\alpha}$ :

$\overline{\alpha}=\frac{I_{CN}}{I_{E}}$

则：

$I_{C}=\overline{\alpha }I_{E}+I_{CBO}$

$I_{CBO}<<I_{C}$ ，故将其忽略，得到：

$\overline{\alpha }\approx \frac{I_{C}}{I_{E}}$

由KCL： $I_{E}=I_{B}+I_{C}$ ，则 $I_{C}=\overline{\alpha }(I_{B}+I_{C})+I_{CBO}$

化简得：

$I_{C}=\frac{\overline{\alpha}}{1-\overline{\alpha}}I_{B}+\frac{1}{1-\overline{\alpha}}I_{CBO}$

引入共射直流电流放大系数 $\overline{\beta}$ ：

$\overline{\beta}=\frac{\overline{\alpha}}{1-\overline{\alpha}}$

则

$I_{C}=\overline{\beta}I_{B}+(1+\overline{\beta})I_{CBO}$

令 $I_{CEO}=(1+\overline{\beta})I_{CBO}$ ，即流经集电极和发射极之间的电流，称为穿透电流。

$I_{CEO}$ 很小，可以忽略。即：

$I_{C}\approx \overline{\beta}I_{B}$

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