PN结的温度特性

根据模电书中所写:

1、在室温下,温度上升一度,PN结的正向导通电压Uon下降2-2.5mV。

2、温度升高10度,反向饱和电流Is升高一倍。

3、雪崩击穿电压随温度升高而升高,齐纳击穿电压随温度升高而降低。

我的理解如下:

1、PN结的正向导通由多子扩散形成,温度升高多子扩散会加剧,所以扩散电流会增加,在相同正向电流下,正向导通电压会降低。

2、PN结的反向饱和电流由漂移少子形成,温度升高,激发出的漂移少子增多,能够突破势垒的少子增多,反向饱和电流增加。

3、雪崩击穿是掺杂浓度低时发生,外加反向电压使漂移少子在内电场中被加速,进而撞击其中的离子,使其外层电子获得动能,逃离惯性核的束缚。温度升高,内电场中的离子处于激烈运动状态;虽然漂移少子数量增多,增加的数量相对于整个耗尽层原子数来讲,太少了。少子直线加速过程中很容易撞到离子,所以少子加速的行程缩短,导致所需要的雪崩击穿电压增加。

齐纳击穿是掺杂浓度高时发生,由于参杂浓度高,耗尽层的宽度窄,内电场强度大,在增加不大的外加反向电压情况下,离子的最外层电子就被电场“拉”出来。温度升高,最外层电子的运动剧烈,使其逃逸所需外加电压就越小。故齐纳击穿电压具有负的温度系数。

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