双端口模型的片上去嵌——直通去嵌法
直通去嵌法是级联去嵌入技术的典型应用,也是一种非常简约的去嵌方法,该方法仅需要一根直通线作为端接标准件。
以电感为例:
建立其等效电路模型如下:
将DUT放在级联结构中,左右两侧对称的分别是一个由复导纳Y和复阻抗Z组成的二端口网络,其中复阻抗Z是由金属引线产生的,并联导纳代表对地电容,这些模型的假设条件与Open-Short去嵌法比较类似。
直通去嵌的结构与等效电路模型如下所示,整个结构是严格对称的。
注:上述的模型中,直通线与金属引线之间的不连续性被忽略不计。
直通去嵌算法具体如下:
1)测量获取包含夹具和DUT的S参数,将上述测得的S参数转换为T参数[Traw];
2)定义[Tleft]代表DUT左侧级联网络的T参数矩阵,定义[Tright]代表DUT右侧级联网络的T参数矩阵,可得: