操作系统基础知识介绍之内存技术和优化（一）（包含SRAM和DRAM、SDRAM、GDRAMs）

使用 SRAM 可以满足最小化高速缓存访​​问时间的需要。 然而，当缓存未命中时，我们需要尽快将数据从主存中移出，这就需要高带宽内存。 这种高内存带宽可以通过将构成主内存的许多 DRAM 芯片组织成多个内存条并使内存总线更宽来实现，或者两者兼而有之。

高带宽内存是一种利用3D堆栈工艺将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起的内存技术，可以提供高达1TB/s的带宽，适用于高性能计算、人工智能、图形处理等领域。高带宽内存与传统的DDR内存相比，具有以下优势：

体积更小，可以节省空间和成本。
能耗更低，每比特功耗只有DDR的一半左右。
带宽更高，可以满足大数据和并行计算的需求。
兼容性更好，可以与不同类型的处理器配合使用。

ps：DDR是一种内存技术，全称为双倍速率同步动态随机存取存储器（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory）。它的特点是在每个时钟周期内能够传输两次数据，从而提高了内存的数据传输率。DDR主要用于个人电脑和服务器等设备的内存条，也有一些低功耗的版本用于移动设备。

随着现在广泛用于闪存和 DRAM 中的突发传输存储器的引入，存储器延迟使用两种度量来引用——访问时间和循环时间。 访问时间是请求读取和所需字到达之间的时间，循环时间是不相关的内存请求之间的最短时间。

可以这样理解访问时间和循环时间的区别：访问时间是从发出请求到收到响应所花费的总时长，循环时间是从发出请求到可以发出下一个请求所花费的总时长。访问时间和循环时间都取决于内存的结构、工作方式和时钟频率等因素。一般来说，访问时间越短，循环时间越短，内存性能越好。

几乎所有计算机都将 DRAM 用作主存储器，将 SRAM 用作高速缓存，其中一到三层与 CPU 一起集成到处理器芯片上。 

SRAM

SRAM是一种内存技术，全称为静态随机存取存储器（Static Random Access Memory）。它的特点是利用触发器（flip-flop）来存储每个数据位，只要有电源供应，就可以保持数据不变，不需要刷新。因此，SRAM的速度比DRAM（动态随机存取存储器）快，功耗也低。但是，SRAM的缺点是每个数据位需要多个晶体管来实现，导致芯片的容量较小，成本也较高。SRAM主要用于CPU的高速缓存（如L1、L2、L3缓存），以及一些特殊的设备和应用。

DRAM 中电路的动态特性要求数据在读取后写回——因此访问时间和循环时间之间存在差异，并且需要刷新。 SRAM 不需要刷新，因此访问时间非常接近循环时间。 SRAM 通常每位使用六个晶体管，以防止信息在读取时受到干扰。 SRAM 仅需极少的电量即可在待机模式下保持电量。

片上高速缓存 SRAM 通常按与高速缓存块大小相匹配的宽度组织，标签与每个块并行存储。 这允许将整个块读出或写入单个周期。 当将未命中后获取的数据写入缓存或写回必须从缓存中逐出的块时，此功能特别有用。 缓存的访问时间（忽略集合关联缓存中的命中检测和选择）与缓存中的块数成正比，而能量消耗取决于缓存中的位数（静态功率）和 块数（动态功率）。 设置关联缓存减少了对内存的初始访问时间，因为内存的大小更小，但增加了命中检测和块选择的时间。

DRAM

DRAM是一种内存技术（Dynamic Random Access Memory）。它的特点是利用电容器来存储每个数据位，但是电容器会漏电，所以需要定期刷新，才能保持数据不变。因此，DRAM的速度比SRAM（静态随机存取存储器）慢，功耗也高。但是，DRAM的优点是每个数据位只需要一个晶体管和一个电容器来实现，导致芯片的容量较大，成本也较低。DRAM主要用于计算机的主存储器，以及一些特殊的设备和应用。

DRAM有不同的类型，如SDRAM（同步动态随机存取存储器），DDR SDRAM（双倍速率同步动态随机存取存储器），RDRAM（Rambus动态随机存取存储器），FPM DRAM（快速页模式动态随机存取存储器），EDO DRAM（扩展数据输出动态随机存取存储器）等。

现代 DRAM 是按库组织的，DDR4 最多有 16 个。每个bank由一系列行组成。发送 ACT（激活）命令打开一个存储体和一行并将该行加载到行缓冲区中。当行在缓冲区中时，它可以通过连续的列地址在任何 DRAM 的宽度（在 DDR4 中通常为 4、8 或 16 位）或通过指定块传输和起始地址来传输。 Precharge 命令 (PRE) 关闭 bank 和 row 并准备好进行新的访问。每个命令以及块传输都与时钟同步。 

随着早期 DRAM 容量的增长，具有所有必要地址线的封装的成本成为一个问题。 解决方案是多路复用地址线，从而将地址引脚的数量减半。

为了在每个芯片上封装更多位，DRAM 仅使用一个有效充当电容器的晶体管来存储位。 这有两个含义：首先，检测电荷的传感线必须预充电，这将它们设置为逻辑 0 和 1 之间的“中间”，允许存储在电池中的小电荷导致 0 或 1 被检测到读出放大器。 、

此外，为了防止由于单元中的电荷泄漏（假设未读取或写入）而丢失信息，每个位必须定期“刷新”。 因此，内存系统中的每个 DRAM 都必须在特定时间窗口（例如 64 毫秒）内访问每一行。 

这个要求意味着内存系统偶尔会不可用，因为它正在发送一个信号告诉每个芯片进行刷新。 刷新的时间是行激活和同时写回行的预充电（这大约需要 2/3 的时间来获取数据，因为不需要列选择），这对于 DRAM 的每一行都是必需的。 因为 DRAM 中的内存矩阵在概念上是正方形的，所以刷新的步数通常是 DRAM 容量的平方根。

SDRAM

SDRAM是一种内存技术（Synchronous Dynamic Random Access Memory）。它的特点是与CPU的时钟同步，可以提高数据传输的效率和速度。SDRAM的速度用MHz来表示，而不是ns2。SDRAM是一种动态随机存取存储器（DRAM），也就是说它需要定期刷新，才能保持数据不变。SDRAM 还允许添加突发传输模式，在这种模式下可以在不指定新列地址的情况下进行多次传输。 SDRAM主要用于计算机的主存储器，以及一些特殊的设备和应用。

SDRAM 引入了 bank 以帮助进行电源管理、改进访问时间并允许对不同 bank 进行交错和重叠访问。对不同 bank 的访问可以相互重叠，并且每个 bank 都有自己的行缓冲区。

为了启动新的访问，DRAM 控制器发送一个存储体和行号（在 SDRAM 中称为激活，以前称为 RAS——行选择）。 该命令打开行并将整行读入缓冲区。 然后可以发送列地址，SDRAM 可以传输一个或多个数据项，具体取决于它是单项请求还是突发请求。 在访问新行之前，必须对存储区进行预充电。 如果该行在同一组中，则可以看到预充电延迟； 但是，如果该行位于另一个存储区中，则关闭该行和预充电可能会与访问新行重叠。 在同步 DRAM 中，这些命令周期中的每一个都需要整数个时钟周期.

DRAM与SDRAM的区别

• DRAM是动态随机访问存储器，SDRAM是同步动态随机访问存储器。DRAM利用电容器存储数据，需要定期刷新，而SDRAM是在DRAM的基础上增加了同步时钟，可以与CPU的时钟同步，提高了数据传输的效率。
• DRAM在两个读周期之间需要等待一段时间，用于充电操作，而SDRAM一个模组有两个bank，在对一个bank充电时，可以操作另一个bank，实现流水线。
• DRAM的传输速率较低，一般为66~133MHz，而SDRAM的传输速率较高，一般为100~200MHz。
• DRAM的工作电压为5V或3.3V，而SDRAM的工作电压为3.3V或2.5V。

GDRAMs

GDRAMs是一种基于 SDRAM 设计的特殊 DRAM，但专为处理图形处理单元的更高带宽需求而定制。 由于图形处理器单元（GPU）需要比 CPU 更高的每个 DRAM 芯片带宽，因此 GDDR 有几个重要的区别：

1. GDDR 具有更广泛的接口：32 位与当前设计中的 4、8 或 16 位相比。

2. GDDR 在数据引脚上具有更高的最大时钟速率。 为了在不产生信号问题的情况下实现更高的传输速率，GDRAM 通常直接连接到 GPU 并通过将它们焊接到电路板上来连接，这与 DRAM 通常排列在可扩展的 DIMM 阵列中不同。

GDDR是一种内存技术，全称为图形双倍速率同步动态随机存取存储器（Graphics Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory）。它是为了设计高端显卡而特别设计的高性能DDR存储器规格，其有专属的工作频率、时钟频率、电压，因此与市面上标准的DDR存储器有所差异，与普通DDR内存不同且不能共用。GDDR的特点是与CPU的时钟同步，可以提高数据传输的效率和速度。GDDR有不同的代数，如GDDR3，GDDR4，GDDR5，GDDR6等，代数越高，一般意味着时钟频率越高，容量越大，电压越低，性能越好。GDDR主要用于显卡的显存，以及一些特殊的设备和应用。

堆叠式 DRAM

 

2017 年 DRAM 的创新是封装创新，而不是电路创新。 它将多个 DRAM 以堆叠或相邻的方式嵌入到与处理器相同的封装中。 将 DRAM 和处理器放置在同一封装中可降低访问延迟（通过缩短 DRAM 和处理器之间的延迟）并通过允许更多 处理器和 DRAM 之间更快的连接。

该技术的一种版本使用焊料凸块技术将 DRAM 芯片直接放置在 CPU 芯片上以连接它们。 假设有足够的热管理，多个 DRAM 芯片可以以这种方式堆叠。 另一种方法仅堆叠 DRAM，并使用包含连接的基板（中介层）将它们与 CPU 紧靠在单个封装中。